【課題】冷却性能に優れたスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ターゲット電極と、基板Ｗを載置することが可能な載置部と当該載置部に載置される基板との間に空間を形成する凹部を有する基板保持台１０７と、前記凹部内に冷却ガスを供給する供給源と、前記基板保持台との間に押し付け力を発生させて、前記基板を前記基板保持台に固定する保持部材と、前記基板保持台に接続される冷凍機１０８と、前記基板保持台を冷凍機と共に回転させる回転駆動手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】搬送時にも基板を清浄に保つことができる技術を提供する。
【解決手段】
搬送槽１１０とゲートバルブ３３の間に二重オーリング１１５ｂ、１１６ｂを配置し、二重オーリング１１５ｂ、１１６ｂの間の密閉空間８０ｂに真空排気系３３９を接続し、密閉空間８０ｂを真空排気する。密閉空間８０ｂ内に大気が浸入しても真空排気によって除去されるので搬送槽１１０内に大気が浸入せず、搬送槽１１０内を高真空状態に置ける。ＭＲ比の大きいトンネル接合磁気抵抗効果素子を作成することができる。 （もっと読む）

【課題】形成された膜のステップカバレッジを大きくすることが可能であり、かつ低温領域で成膜することが可能な磁気抵抗効果素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態では、プラズマ源と成膜室を隔壁板により隔離したプラズマＣＶＤ装置により多層磁性層上に絶縁性の保護層を形成する。本方法によれば、磁気特性の劣化をもたらすことなく保護層を成膜でき、かつ、１５０℃未満の低温成膜も可能である。これにより、レジストを残留させたまま保護層の成膜が可能であり、多層構造の磁気抵抗効果素子の製造において工数低減も可能である。 （もっと読む）

本発明は、真空チャンバー内で基板を加熱して、次に即座に基板をコーティングする方法に関し、当該方法は、（１）基板の下面を基板ホルダー上に配置する工程、（２）基板を、基板ホルダーに対して所定距離に亘って持ち上げる工程、（３）加熱装置、例えば、放射熱装置を用いて、その上面によって持ち上げ基板を加熱する工程、（４）例えば、コーティングゾーンの中およびそれを通過して移動することによって加熱基板をコーティングする工程、（５）基板をチャック上まで下ろして、基板を冷却する工程、および（６）必要に応じて、冷却基板を更にコーティングする工程を含む。本発明に係る方法は、実施される方法手順を更に可能にし、様々な規定温度を各々の工程の間に基板上に設定でき、および必要に応じて、その後に即座に１以上のコーティングを前記基板温度で行うことができる。例えば、コーティング（抑えた）した後に即座に所定時間に亘って基板を更に高温で保持できる場合も含まれる。
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【課題】面内分布の均一性に優れた膜を成膜することができるようにし、優れた性能の電子デバイスを容易に製造することができるようにするスパッタリング技術の実現。
【解決手段】スパッタリング装置は、基板２１をその処理面の面方向に沿って回転可能に保持する基板ホルダ２２と、基板２１の周囲に配設され、基板２１の処理面に磁場を形成する基板側磁石３０と、基板２１の斜め上方に配置され、放電用の電力が印加されるカソード４１と、基板２１の回転位置を検出する位置検出部２３と、該位置検出部２３が検出した回転位置に応じて、前記放電用の電力を制御するコントローラ５とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板に投入する磁界の方向を基板面内で±１°以内に揃えることができ、且つコイル群毎に印加する電力を制御することで回転磁場を発生可能であるとともに、基板マグネットのサイズを低コストで変更することができる磁場発生装置を提供する。
【解決手段】磁場発生装置は、磁性材料からなる略棒状のコアエレメント２１に導線２３が巻回された有芯コイルエレメント２０を、磁性材料からなる接続部品３１を介して多角形状に連結して構成されており、基板保持台に載置された基板表面に平行な磁界を発生することができる。 （もっと読む）

【課題】量産時、ＴＭＲ素子を用いたＭＲＡＭの完成品間で、ＭＲＡＭのメモリー特性にバラツキあり、不良品発生頻度が高かった。このバラツキは、量産時のＴＭＲ素子のＭＲ比がウエハー製品間で一定値に維持されず、変動していたことが原因していたので、バラツキを抑制する製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】低周波成分カットフィルターにより低周波成分をカットした高周波電力印加の下で、酸化マグネシウムを有するターゲットをスパッタリングすることによって酸化マグネシウムの薄膜結晶膜１２２を成膜し、そして磁性金属（好ましくは強磁性体）のターゲットをスパッタリングすることによって磁性金属薄膜１２３を成膜する工程及び該工程を実行する制御プログラムを備えた成膜スパッタリング装置。 （もっと読む）

【課題】磁性体層又は反磁性体層をエッチングする際のパーティクルの混入を抑制し、高性能なTMR素子を提供する。
【解決手段】炭化水素類ガス、アルコール類ガス、エーテル類ガス、アルデヒド類ガス、カルボン酸類ガス、エステル類ガス及びジオン類ガスからなる化合物ガス群から選択された少なくとも一種の化合物ガス、及び酸素ガスを有する混合ガス中の全炭素原子数Ｃｎと全酸素原子数ＯｎとがＯｎ／Ｃｎ＞１の関係を満たし、該混合ガスを用いて形成したプラズマ雰囲気下で、磁性体層又は反磁性体層をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】磁性膜又は反磁性膜をエッチングする際に発生するパーティクルの混入を抑制し、高性能なTMR素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】炭化水素類、アルコール類、エーテル類、アルデヒド類、カルボン酸類、エステル類及びジオン類からなるガス化化合物群から選択された少なくとも一種のガス化化合物を０．５×１０^１７分子数／分・ｍ^２以上、好ましくは２×１０^１７分子数／分・ｍ^２以上の分子流速の条件下において形成したプラズマ雰囲気下で、磁性膜又は反磁性膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】ターゲットが磁性体で厚かったり、ターゲットとして強磁性体を用いる場合であっても、ターゲットの表面に放電に必要な磁気トンネルを形成させるために十分な大きさの漏洩磁場を発生させることが可能なマグネトロンスパッタカソード、マグネトロンスパッタ装置及び磁性デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のマグネトロンスパッタカソードは、ターゲット１０のスパッタ面１０ａに設けられた第２環状溝１４と、ターゲット１０の非スパッタ面１０ｂに設けられた第３環状凸部２３と、非スパッタ面１０ｂの、第３環状凸部２３の外側に設けられた第４環状溝２４と、非スパッタ面１０ｂの、第４環状溝２４の外側に設けられた第４環状凸部２５とを有するターゲットを備える。また、上記マグネトロンスパッタカソードは、非スパッタ面１０ｂ側に、第１磁石５、及び第１磁石５と極性の異なる第２磁石６を備える。 （もっと読む）

【課題】 二重回転シャッタ機構を有するスパッタリング装置でクロスコンタミネーションの防止を図ることができるスパッタリング装置及び二重回転シャッタユニット並びにスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】 二重回転シャッタ機構を構成する２枚のシャッタ板，のうち、ターゲット側に配設された第１のシャッタ板に形成された第１の開口部の周囲かつ第２のシャッタ板との間に円筒状の第２の防着シールドを取り付け、スパッタリングカソードと第１のシャッタ板との間には、ターゲットの前面領域の周囲を囲むように円筒状の第１の防着シールドが配設されることで、スパッタ物質が第１のシャッタ板と第２のシャッタ板の間、及び、第１のシャッタ板とスパッタリングカソードの間の隙間を通ることができなくなり、クロスコンタミネーションの発生を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 量産に適した、コンタミの少ない、組成制御された、ち密で、欠陥、粒界の極めて少ない、深さ方向に構造制御された、良好な絶縁特性を持つ絶縁膜の提供。
【解決手段】 Ｏ、Ｎ及びＦから選ばれた少なくとも１種を含む気体状分子を該基板表面に供給し、吸着させた後排気する第１の工程の後に、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、又はＴｉを含む気体状分子を基板表面に供給し、吸着させた後排気する第２の工程を行い、その後にＡｒを導入した後排気する第３の工程を行い、前記第１〜第３の工程を１つのサイクルとして、このサイクルを複数回行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高密度記憶の磁気記憶装置に適用可能で、信頼性の向上が図られた磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた絶縁層と前記絶縁層を貫通する金属層を含むスペーサ層とを有する磁気抵抗効果素子の製造方法において、前記スペーサ層は、第１の金属層を成膜し、前記第１の金属層上に、前記絶縁層に変換される第２の金属層を成膜し、前記第２の金属層を前記絶縁層に変換するとともに前記絶縁層を貫通する前記金属層を形成する第１の変換処理を行い、前記第１の変換処理を通じて形成された前記絶縁層及び前記金属層上に、前記絶縁層に変換される第３の金属層を成膜し、前記第３の金属層を前記絶縁層に変換するとともに前記絶縁層を貫通する前記金属層を形成する第２の変換処理を行って形成する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高いＭＲ比を持った磁気抵抗素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態では、基板の上に、スパッタリング法を用いて、磁化固定層、磁化自由層及びトンネルバリア層を成膜する工程において、磁化自由層成膜工程は、Ｃｏ原子、Ｆｅ原子及びＢ原子を含有する第１ターゲットと、Ｃｏ原子及びＦｅ原子を含有し、該第１ターゲット中のＢ原子含有量と相違する含有量の第２ターゲットと、を用いたコ−スパッタリング法により、Ｃｏ原子、Ｆｅ原子及びＢ原子を含有する強磁性体層を成膜する。 （もっと読む）

【課題】ダメージ層を持った多層磁性膜の磁気特性劣化を防止でき、高品質な磁気抵抗効果素子を製造することが可能な磁気抵抗効果素子の製造装置の提供。
【解決手段】反応性イオンエッチング室と、ラジカル処理室と、前記反応性イオンエッチング室及び前記ラジカル処理室の間で基板を搬送可能な搬送手段を有する真空搬送室と、を備える磁気抵抗効果素子の製造装置において、真空搬送室では、搬送手段により、磁性膜及び基板を有する磁気抵抗効果素子を前記反応性イオンエッチング室に搬入する第１工程が実行され、反応性イオンエッチング室では、前記磁性膜の所定領域を、反応性イオンエッチング法により、プラズマにより活性化された水素原子及び酸素原子の存在下でエッチングする第２工程１０１，１０２が実行され、ラジカル処理室では、前記第２工程後の磁性膜をイオン電流密度４×１０^−７Ａ／ｃｍ^２以下のプラズマに曝する第３工程１０３が実行される。 （もっと読む）

【課題】被研削物を研削面に押し当てて研削する際、被研削物の姿勢を適切に制御し、研削精度を向上できる研削装置、研削装置用の研削ヘッド及び研削方法を提供することを目的とする。
【解決手段】被研削物を研削面に押し付けて研削する研削装置用の研削ヘッドであって、前記被研削物を表面に保持する弾性の保持手段と、前記保持手段を研削方向に沿って引っ張るための引張手段と、前記保持手段を介して前記研削面に対して前記被研削物を押し付ける押圧手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】制御された蒸気の供給を可能とする。
【解決手段】液体又は固体の物質を保持する保持部４と、保持部を冷却する冷却手段５と、保持部の温度を検知する検知手段６と、検知手段により検出した温度に基づき、冷却手段を制御する制御手段７と、を有し、制御手段により、冷却手段を用いて保持部の温度を制御することで、液体又は固体の物質の気化又は昇華を制御して、物質の蒸気を供給する。蒸気供給装置の置かれた雰囲気での、液体又は固体から気化又は昇華した蒸気の圧力を測定する手段９又は１０を有し、制御手段は、測定された圧力に基づき蒸気の圧力が所定の値になるように保持部の温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】磁気媒体の作成において、良質の磁気媒体を作製できるようにする。
【解決手段】基板８の外側周囲を回転する磁界発生手段７を備えたマグネトロンスパッタリングのためのチャンバー１内に、基板８と第１及び第２ターゲット２１，２１とを、前記基板８の中心軸と前記第１及び第２ターゲット２１，２１の中心軸とが交差するように配置し、前記チャンバー１内を排気し、前記チャンバー１内にガスを導入し、前記排気及びガス導入された雰囲気下で、前記基板８を回転させ、前記磁界発生手段７を前記基板８の外周の周りにおいて回転させながら、マグネトロンスパッタリング法により前記基板８の上に磁性膜及び異種材料膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】磁気ヘッドにおいて、簡単かつ迅速な処理で再生素子の磁極高さと記録素子の磁極高さをいずれも精度良く形成できるようにする。
【解決手段】磁気情報を読み出すための再生素子７と、磁気情報を書き込むための記録素子８と、再生素子７と同一平面上に形成された再生素子マーカー１１と、記録素子８と同一平面上に形成された記録素子マーカー１２とを有する磁気ヘッド２を、基板１上に複数個形成し、基板１を切断して、複数の磁気ヘッド２を含むバー１４を形成する。このバー１４を保持し、保持されているバー１４の再生素子マーカー１１と記録素子マーカー１２を光学的に検知し、それらの位置を求め、それに基づいて、保持されているバー１４の姿勢を調節する。そして、姿勢が調節された状態のバー１４を研磨し、研磨されたバー１４を個々の磁気ヘッド２ごとに切り離す。 （もっと読む）

【課題】ターゲット間のクロスコンタミネーションを防止する。
【解決手段】シャッタ機構は、下記（ａ）〜（ｃ）を同時に満たす様に動作するスパッタ装置。
（ａ）第１シャッタ板６１の第１孔６１ａと第２シャッタ板６２の第３孔６２ａとの重ね合わせ部が第１ターゲット３８下に位置する。
（ｂ）第１シャッタ板６１の第２孔６１ｂが第２ターゲット３５下に位置し、第２シャッタ板６２が第２ターゲット３５を覆う。
（ｃ）第１シャッタ板６１と第２シャッタ板６２とが第３ターゲット（３６，３７）を覆う。 （もっと読む）