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Fターム[5D112BD04]の内容

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Fターム[5D112BD04]に分類される特許

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【課題】垂直磁性層の高い垂直配向性を維持し、更なる高記録密度化を可能とした磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも非磁性基板の上に、軟磁性下地層と、直上の層の配向性を制御する配向制御層11と、磁化容易軸が非磁性基板に対して主に垂直に配向した垂直磁性層とを積層してなる磁気記録媒体の製造方法であって、垂直磁性層を2層以上の磁性層から構成し、各磁性層を構成する結晶粒子が配向制御層11を構成する結晶粒子と共に厚み方向に連続した柱状晶を形成するように各層を結晶成長させる際に、配向制御層11をCoCr合金で形成し、この配向制御層11をスパッタリングガスに窒素を混合した反応性スパッタリングにより成膜すると共に、成膜時に前記非磁性基板に対して負のバイアス電圧を印加する。 (もっと読む)


【課題】垂直磁性層の高い垂直配向性を維持し、更なる高記録密度化を可能とした磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも非磁性基板の上に、軟磁性下地層と、直上の層の配向性を制御する配向制御層11と、磁化容易軸が非磁性基板に対して主に垂直に配向した垂直磁性層とを積層してなる磁気記録媒体の製造方法であって、垂直磁性層を2層以上の磁性層から構成し、各磁性層を構成する結晶粒子が配向制御層11を構成する結晶粒子と共に厚み方向に連続した柱状晶を形成するように各層を結晶成長させる際に、配向制御層11をCoCr合金で形成し、この配向制御層11をスパッタリングガスに窒素を混合した反応性スパッタリングにより成膜することで、CoCr合金に3〜15原子%の範囲で窒素をドープさせる。 (もっと読む)


【課題】マスター情報担体の繰り返し転写できる使用可能回数を向上させることのできる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性基板1の上に、少なくとも、軟磁性下地層2と、直上の層の配向性を制御する配向制御層3と、磁化容易軸が前記非磁性基板に対して垂直に配向した垂直磁性層4とを、この順で形成する磁気記録媒体の製造方法であって、CoCr合金を含むターゲットを使用し、窒素を含むスパッタリングガスを用いる反応性スパッタリング法によって、第1配向制御層3aを成膜する第1成膜工程と、第1配向制御層3a上に、スパッタリング法を用いて、RuまたはRu合金からなる第2配向制御層3bを成膜する第2成膜工程とを行うことにより、前記配向制御層3を形成する磁気記録媒体の製造方法とする。 (もっと読む)


【課題】 基板ホルダー周りに被エッチング膜の付着することによるエッチングレートの低下を防止する。
【解決手段】 基板ホルダーに搭載された基板に対し各処理を行って磁気記録媒体を製造する装置において、基板を搭載しない状態の前記基板ホルダーに第1の膜を成膜するホルダー成膜室と、前記第1の膜が成膜された前記基板ホルダーに基板を搭載する基板搭載室と、磁性膜層を含む多層膜上に所定パターンのレジスト層が形成された基板に対し、ドライエッチング処理を行い、前記磁性膜層を前記所定パターンに基づく形状に加工する加工室と、を有し、前記第1の膜は、前記ドライエッチング処理により除去される前記多層膜中の膜よりもエッチングされにくい膜であり、前記加工室、ホルダー成膜室及び基板搭載室は、大気より減圧条件下で基板ホルダーを搬送可能に接続されている。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、スパッタリングにより薄膜を形成するために用いられる化合物の生成を抑制したCrTi系合金およびスパッタリング用ターゲット材並びにそれを使用した垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】 Tiを35〜65原子%含み、残部Crおよび不可避的不純物かなるCrTi系合金において、Cr(110)のX線回折強度[I(Cr)]とCr2 Ti(311)のX線回折強度[I(Cr2 Ti)]の強度比が[I(Cr2 Ti)/I(Cr)]が0.50以下であるCrTi系合金およびCrTi系スパッタリング用ターゲット材並びにそれを使用した垂直磁気記録媒体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 スパッタリング時にパーティクル発生を抑制可能なCr−Ti合金ターゲット材を提供することである。
【解決手段】 Tiを40〜60原子%含有し、残部Crおよび不可避的不純物からなるCr−Ti合金ターゲット材であって、スパッタ面のX線回折におけるCr相の(110)面の回折ピーク強度をA、TiCl化合物相の(311)面の回折ピーク強度をBとするとき、相対強度比B/Aが10%以下であるCr−Ti合金ターゲット材である。 (もっと読む)


【課題】良好な記録再生特性を有し、高密度の情報の記録再生が可能な磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】垂直磁気記録層がグラニュラ膜型記録層と連続膜型記録層とを含み、グラニュラ膜型記録層は膜面内の磁気結晶粒子が3nmから7nmの平均結晶粒径を有する第1のグラニュラ膜型記録層と、第1のグラニュラ膜型記録層の平均結晶粒径よりも大きい膜面内の平均結晶粒子をもつ磁気結晶粒子を有する第2のグラニュラ膜型記録層を含む。 (もっと読む)


【課題】ハードディスクドライブ磁気媒体用の部分酸化キャップ層を提供する。
【解決手段】部分酸化キャップ層を有する垂直磁気記録媒体は、第2酸化物層を第1キャップ層と結合して単一の部分酸化キャップを形成する。部分酸化層の酸化部分および非酸化部分は、同じターゲットからスパッタリングされ、金属元素の組成が同じである。酸化部分のMsは非酸化部分の約2倍である。酸化部分は、厚さが約5〜25Åの範囲である。層組成はCoPtCrBTaを含むことができ、Crのat%は約18〜24%、Ptは約13〜20%、Bは約4〜10%、Taが約0〜2%である。 (もっと読む)


【課題】 スパッタリングによって成膜される垂直磁気記録媒体の中間層用Co−Cr系合金膜のバラツキを抑制することが可能なCo−Cr系合金スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 Crを33〜40原子%含有し、残部Coおよび不可避的不純物からなるCo−Cr系合金スパッタリングターゲット材の製造方法において、Co−Cr系合金の溶解鋳造インゴットを、1150℃〜1300℃の加熱後に総圧下率50%〜90%の熱間塑性加工を行い、次いで500℃〜1200℃の加熱温度範囲で熱処理を行うCo−Cr系合金スパッタリングターゲット材の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】磁気記録媒体及びその製造方法並びに記憶装置において、磁気記録層の磁性粒子の微細化と保磁力の向上を両立させることを目的とする。
【解決手段】基板の上方に軟磁性層、非磁性シード層、中間層及び磁気記録層が積層された磁気記録媒体において、非磁性シード層は、少なくともW又はCrの一方を含むNi合金で形成されており、非磁性シード層の成膜時に使用し、且つ、非磁性シード層内に残留する反応ガスのイオンカウントは、成膜時に基板バイアス電圧を印加しないで形成された基準非磁性シード層のイオンカウントの10倍以上であるように構成する。 (もっと読む)


【課題】 下地層の皮膜の強度を高めることで信頼性を向上しつつ、高いSNRを確保することが可能な垂直磁気記録媒体および垂直磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明にかかる垂直磁気記録媒体の構成は、ディスク基体110上に少なくとも、ルテニウムからなる下地層118と、Co系合金からなり結晶粒子が柱状に成長したグラニュラー構造を有するグラニュラー層(非磁性グラニュラー層120、磁気記録層122)を備える垂直磁気記録媒体100において、下地層は、ディスク基体に成膜速度を、低速度から高速度または高速度から低速度のいずれかで変化させて成膜したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】片面のみに磁気記録膜を有する構成としつつ、反りの発生を抑えることができ、薄型で高い品質が得られる磁気記録媒体及びその製造方法、磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明では、基板1の一方の主面1Aに、気相成膜法によって、少なくとも磁気記録膜4を有する記録層5を形成する際に、基板1の他方の主面1Bに、気相成膜法を用いて薄膜11を形成する。ここで、記録層5を多層構成として形成する場合には、薄膜11も記録層5と同じ積層数の多層構成で形成するようにし、記録層5と薄膜11との同じ積層順位の層同士を、同じチャンバ内で並行して成膜するのが好ましい。 (もっと読む)


【課題】レジストの直下に剥離しやすい層を新たに設けることで、レジストを簡単かつ確実に除去することができるため、表面に露出する層にダメージを与えずに磁気トラックパターンを形成することが可能となる。
【解決手段】本発明にかかる垂直磁気記録媒体100の製造方法は、ディスク基体110上に、磁気記録層122を成膜し、磁気記録層の上に保護層126を成膜し、保護層の上に剥離層130を成膜し、剥離層の上にレジスト層132を成膜し、レジスト層を加工することで当該レジスト層の厚みを部分的に変化させ所定のパターンを形成し、レジスト層を介在させた状態で磁気記録層にイオンを注入し、剥離層を溶剤で除去することによりレジスト層を除去することを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】テクスチャを設けることなしに磁気記録層に磁気異方性を付与することができる新規な構成を提供する。
【解決手段】 基板9上に形成された磁気記録層91より成る磁気記録ディスクは、基板9と磁気記録層91の間に磁気記録層91に磁気異方性を付与する異方性付与層92を有する。異方性付与層92は、タンタル、ニオブ合金又はタンタル合金であって窒化されたもの又は窒素を含む薄膜であり、表面が大気ガス、窒素ガス又は酸素ガスに晒されて変性されている。異方性付与層92は、例えばクロムニオブ合金製ターゲットを窒素を含むプロセスガスによってスパッタして作成した薄膜であり、成膜後に0.5〜10Pa程度の圧力の酸素ガスに晒す。ターゲットからのスパッタ粒子のうち、付与すべき異方性の方向に方向成分を持って飛行するスパッタ粒子を相対的多く基板9に入射させる方向制御が行われる。 (もっと読む)


【課題】高記録密度の磁気記録媒体を製造すること課題とする。
【解決手段】磁気記録層3の上に形成された記録補助層4に、非磁性部8を所定のパターンで形成するため、磁性部7とその直下の磁気記録層3を記録単位とする磁気記録媒体を実現できる。非磁性部8を、イオン注入による非磁性化により形成するため、高記録密度の磁気記録媒体を製造することができる。 (もっと読む)


【課題】良好な記録再生特性と信頼性を両立したディスクリートトラック媒体やビットパターン媒体を作製する。
【解決手段】基板上に、少なくとも2層の異なる組成の強磁性合金層18,19からなる磁気記録層を有する。媒体の最表面側に位置する強磁性合金層19は面内方向に非磁性原子の含有率の高い部分23と低い部分を有し、非磁性原子の含有率の高い部分は、磁気記録層内の中間層を除く他の部分に比べ非磁性原子の含有率を高くする。媒体の最表面側に位置する強磁性合金層の非磁性原子の含有率の高い部分と低い部分は、おおむね同心円状に形成する。非磁性原子の含有率の高い部分は、非磁性原子22をイオン注入することによって形成する。 (もっと読む)


【課題】磁化の飽和による書き込み時の問題を発生させることなく、軟磁性層間の交換結合磁界Hexを増大させる。
【解決手段】垂直磁気記録媒体100であって、基板110と、軟磁性裏打ち層114と、磁気記録層である主記録層124とを備え、軟磁性裏打ち層114は、少なくとも、第1軟磁性層202aと、第1非磁性層204aと、第2軟磁性層202bと、第2非磁性層204bと、第3軟磁性層202cとを有し、第2非磁性層204bは、第2非磁性層204bを挟んで対向する第2軟磁性層202b及び第3軟磁性層202cを反強磁性的層間相互作用により磁気的に交換結合させる非磁性層であり、第1非磁性層204aは、第2軟磁性層202bとは異なる材料で形成される層である。 (もっと読む)


【課題】磁気記録媒体における下地膜として用いる下地膜製造用Cr−Mn−B系スパッタリングターゲット材およびこれを用いて製造した薄膜を提供する。
【解決手段】at%で、Mn:5〜35%、B:0.1〜10%を含み、残部Crおよび不可避的不純物からなる磁気記録媒体における下地膜製造用Cr−Mn−B系スパッタリングターゲット材およびその製造方法。また、上記のスパッタリングターゲット材を用いて製造したCr−Mn−B系薄膜。 (もっと読む)


【課題】垂直磁気記録層の粒径の微細化と垂直配向性を両立することで、高密度の情報の記録再生が可能な磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】非磁性基板上に、少なくとも裏打ち層とシード層と中間層と垂直磁気記録層をこの順で含む垂直磁気記録媒体において、前記シード層をhcp構造の(002)結晶配向層とし、前記中間層を、bcc構造の(110)結晶配向層、および、hcp構造の(002)結晶配向層をこの順で含む構造とする。また、前記bcc構造の(110)結晶配向層を、Crを好ましくは60原子%以上含む構造とする。 (もっと読む)


【課題】ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するための比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】非磁性酸化物:0.5〜15モル%、Cr:4〜20モル%、Pt:5〜25モル%を含有し、さらに必要に応じてB:0.5〜8モル%を含有し、残部:Coおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットであって、このスパッタリングターゲットは素地中にCo−Cr二元系合金相が均一分散している組織を有する。 (もっと読む)


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