【課題】基体の全幅に均一な膜を成膜できる成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基体（１０１）の幅よりも狭い幅の基体搬送体（２０２）を基体（１０１）の裏面側に当接して搬送するとともに、基体搬送体（２０２）を通過する基体（１０１）の表面に、基体（１０１）よりも幅広の窓（１０６ａ）を有するシャッター（１０６）を介して基体（１０１）の表面に成膜することで、基体（１０１）の全幅に均一な膜を成膜できる成膜装置（２００）を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、潤滑剤に対する濡れ性が高く、平滑な表面を有し、高硬度で緻密な水素を含む炭素膜を形成することを可能とした炭素膜の形成方法、並びに、該炭素膜の形成方法により形成された水素を含む炭素膜を有する磁気記録媒体及び磁気記録再生装置を提供することを課題とする。
【解決手段】水素を含む炭素膜の形成後に、成膜室１０１内に不活性ガスを導入し、不活性ガスをイオン化して水素を含む炭素膜の表面に加速照射し、水素を含む炭素膜の少なくとも表層部を脱水素化する。 （もっと読む）

【課題】潤滑剤にたいする濡れ性が高く、かつ高硬度で緻密な炭素膜を形成することを可能とした炭素膜の形成方法を提供する。
【解決手段】減圧した成膜室１０１内に炭素と水素を含む原料の気体Ｇを導入し、この気体Ｇを、通電により加熱されたフィラメント状のカソード電極１０４と、その周囲に設けられたアノード電極１０５との間で、放電によりイオン化し、このイオン化した気体を基板Ｄに加えたバイアス電圧で加速して基板Ｄの表面に照射することによって、基板Ｄの表面に炭素膜を形成する炭素膜の形成方法であって、前記基板Ｄの表面に加えるバイアス電圧としてパルス状の負の電圧を用いることを特徴とする炭素膜の形成方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】ルテニウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）などの希少金属を用いることなく、磁気的に反平行状態で結合した構造と磁気異方性を有する垂直磁気記録媒体、磁気記憶装置、及び垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】垂直磁気記録層４１と軟磁性裏打ち層４２とを有する垂直磁気記録媒体であって、前記軟磁性裏打ち層４２は第１軟磁性層４４と、第２軟磁性層４０とが非磁性層４５を介して、磁気的に反平行状態で結合した構造を含む膜を有し、前記第１軟磁性層４４がスピネル型または逆スピネル型のイオン結晶構造をもつ酸化物からなり、前記第２軟磁性層４０が単体で強磁性を有する金属または、単体で強磁性を有する金属を含む合金からなり、前記非磁性層４５がバンドギャップ３ｅＶから８ｅＶの絶縁物からなり、前記垂直磁気記録層４１は、垂直磁気異方性を持つコバルトフェライト単結晶薄膜である垂直磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】従来の連続媒体から区別したパターニングされた媒体を識別するパターン転写ステップを統合した複数の基板の処理装置などの技術を提供すること。
【解決手段】ハードディスクドライブに用いるためのハードディスク上に磁気記録層をパターニングするためのインライン処理システム。ディスクは、ＭＤＣと呼ばれるラウンドプレート形状ホルダ（ｐｌａｔｅ−ｌｉｋｅ ｈｏｌｄｅｒ）の垂直方向に同時に両側に処理される。複数（１０個程）のディスクは、ＭＤＣのダイヤルキャリアでホールディングされ、１つの処理ステーションから他の処理ステーションに移動する。ＭＤＣのダイヤルキャリアは、１つまたは複数の処理源がディスクを同時に処理できるように各処理ステーションで、正常から７０°までの回転及び／または角度を提供する。このような構成は、時間節約及び要求される処理源の数と大きさの減少を提供する。磁気媒体のパターニングのためのマスク改善処理、及び充填と平坦化処理は共に用いられ、また開示される。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料の供給時に発生する飛沫を抑え、さらに液面の波紋の影響を低減し、蒸着材料のロスを少なくする蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空室１２内に、送りロール１３と巻取りロール１４を設けてベースフイルム１５を走行させ、中途の冷却キャン１６で定速回転させる。冷却キャン１６の幅方向の長さはルツボ１と略同じ円筒状で、内部の冷却水でベースフイルム１５の温度上昇による変形等を抑制する。ルツボ１を蒸着材料蒸発部分と、これに直角に設けた蒸着材料溶融部分で構成し、蒸着材料溶融部分で蒸着材料供給時に生じる波紋の影響を防ぎ安定な蒸着を行う。冷却キャン１６を軟磁性部分１６Ａと非磁性部分１６Ｂで構成し、１つの電子銃２１から照射される蒸発，溶解用電子ビーム２１Ａ，２１Ｂと、これを局部偏向することにより、蒸着材料を溶解，蒸発し、電子ビーム相互干渉による異常放電を抑え、ルツボ１を小さくし蒸着材料のロスを少なくする。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料供給時に生じる飛沫を抑え、投入時の液面の波紋が蒸着に与える影響を低減し、また蒸着材料のロスを少なくする。
【解決手段】真空状態となった真空室１２内に、送りロール１３と巻取りロール１４を設けてベースフイルム１５を走行させる。各ロール１３，１４は、ベースフイルム１５の幅と略同じ円筒状、冷却キャン１６の幅方向の長さはルツボ３１と略同じ円筒状で、内部に冷却水が流れ、ベースフイルム１５の温度上昇による変形等を抑制する。また真空室１２内には、冷却キャン１６と略同じ幅で設けられたルツボ３１には、蒸着材料（固体状態）２０ａを溶解用電子銃２１Ｂで溶融させて供給する。このルツボ３１は、蒸着材料蒸発部分３１Ａと、これに直角に設けられた蒸着材料溶融部分３１Ｂからなる。この蒸着材料溶融部分３１Ｂにより、蒸着材料（固体状態）２０ａを供給する際に生じる波紋の影響を防止して、安定した蒸着を行う。 （もっと読む）

【課題】基板フィルムの両面及び片面への蒸着を行なうことができ、装置の大型化及び複雑化を回避できる蒸着装置を提供する。
【解決手段】基板フィルムに蒸着膜を成膜する蒸着装置であって、基板フィルムを送り出すように回転駆動する第１の駆動部と、搬送された基板フィルムを巻き取るように回転駆動する第２の駆動部と、第１駆動部と第２駆動部との間で搬送される基板フィルムの搬送経路に設けられ、基板フィルムの一方の面を周面に支持する複数の成膜ローラと、基板フィルムの成膜ローラに支持された面の反対側の面に蒸着膜を成膜する複数の蒸着部と、第１の駆動部及び第２の駆動部の一方と切り換えられて駆動する第３の駆動部とを備え、第３の駆動部への切り換えの有無によって基板フィルムの両面又は片面に蒸着が行われるように搬送経路が変更される。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ原盤の凹凸形状に成膜した複版を凸部に欠けが生じることなく剥離し得るモールドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】表面に微細な凹凸パターンを有するモールド１０の製造方法において、凹凸パターンを有するＳｉ原盤２６の表面に、イオン化傾向が水素よりも小さい金属、例えば、Ｐｔ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕ、ＲｕおよびＰｄから選ばれる少なくとも一種の金属を含む金属膜からなる剥離層１６を形成する剥離層形成工程と、剥離層１６の形成後にモールドを構成する金属基板１２を電鋳形成する電鋳工程と、電鋳工程の後、剥離層１６と金属基板１２とを備える複版をＳｉ原盤２６から剥離する剥離工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 電子ビームが走査された蒸発源から、基板に向かって成膜を行う薄膜の製造方法において、長時間安定成膜に有効な、棒状の供給材料を先端より順次溶解して供給する供給方法を長時間安定に実現する。
【解決手段】 蒸発源の上方に棒状供給材料３２を差し向け、前記棒状供給材料３２に前記電子ビームを照射することにより前記蒸発源の材料の溶解供給を行うものであって、かつ、前記棒状供給材料３２を前記蒸発源の両側に配し、前記電子ビームの走査範囲は、前記棒状供給材料上および前期蒸発源上であって、前記蒸発源上の電子ビームの走査範囲は一定であることを特徴とする。 （もっと読む）

【解決課題】 充分な耐衝撃性を有し、加工プロセスや磁気記録層の成膜プロセスを複雑なものとすることがなく、表面平坦性に優れ、しかもコストダウンを可能とする磁気記録媒体用Ｓｉ基板を提供すること。
【解決手段】 粗研磨（Ｓ６）後の多結晶シリコン基板表面に熱酸化により酸化膜を形成（Ｓ７）した後、ＣＶＤやスパッタなどの気相系成膜処理もしくはシリコーン系材料やオルガノシリカを含有する液剤を塗布して段差や結晶粒界部分を遮蔽する平滑な薄膜とした後、この薄膜を適度な温度で熱処理して有機成分を気散させることでＳｉやＳｉＯ_２膜を形成し（Ｓ８）、このＳｉ膜、ＳｉＯ_２膜に対してＣＭＰ研磨等の精密研磨（Ｓ９）を施して基板の平坦性を高めることとした。これにより、多結晶粒の結晶方位の違いや結晶粒界の存在には影響を受けずに平坦で平滑な表面（ウェビネスとマイクロウェビネスの２乗平均値が何れも０．３ｎｍ以下）を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ法で形成したＤＬＣ膜よりも緻密であり、かつパーティクルを必要十分なレベルまで低減したテトラヘドラル・アモルファス・カーボン（ｔａ−Ｃ）膜を主体とする磁気記録媒体用保護膜、および該保護膜を有する磁気記録媒体の提供。
【解決手段】陰極ターゲットとしてガラス状炭素を用いたフィルタード・カソーディック・アーク法によって形成されるｔａ−Ｃ膜を主体とする磁気記録媒体用保護膜。基体と、磁気記録層と、ｔａ−Ｃ膜を主体とする保護膜とを有する磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】安全性、操業安定性に優れ、しかも低コストの蒸着用素材を提供する。
【解決手段】棒状の蒸着素材本体２と、該蒸着素材本体２の片端部に接合されたつかみ部３とを有するとともに、つかみ部３は、蒸着素材本体２よりも径の小さいロッド部４と、該ロッド部４から拡径したフランジ部５とが一体に形成され、該フランジ部５と蒸着素材本体２との間が、その外周部を飛び石状に溶接することにより、隙間Ｇをあけて接合されている。 （もっと読む）

【課題】裁断するのみで、裁断面に磁性層の断面が露出することがない記録媒体の単体とすることができ、裁断時には、裁断方法に特定されることなく、パターニングされた記録層間の裁断部を単に裁断するのみで、裁断面に磁性層の断面が露出することがない記録媒体の単体を確実に製造できる。
【解決手段】非磁性支持体１上に磁性層２を有してなる薄膜型の磁気記録媒体の製造方法であって、前記磁性層２を含む記録層６を前記非磁性支持体１上において規定された幅に裁断される裁断部７間にパターニング形成し、当該パターニング形成により前記裁断部７を含む部分に前記記録層６を有しない所定幅の非記録層部６ｂを形成し、当該磁気記録媒体原反Ｂを、前記裁断部７に添って裁断することにより所定の形状に形成する。 （もっと読む）

【解決課題】 加工プロセスや磁気記録層の成膜プロセスを複雑なものとすることがなく、表面平坦性に優れ、しかも熱伝導率が単結晶や多結晶のバルク基板と変わらない磁気記録媒体用Ｓｉ基板を提供すること。
【解決手段】 粗研磨（Ｓ６）後の多結晶シリコン基板表面にＳｉ薄膜を成膜した後、このシリコン膜にＣＭＰ研磨等の精密研磨（Ｓ８）を施して基板の平坦性を高めることとした。これにより、多結晶粒の結晶方位の違いや結晶粒界の存在には影響を受けずに平坦で平滑な表面を得ることができ、かつバルクＳｉ基板と同等な熱伝導率を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】１つの真空成膜装置では、チャンバー数が足りずに、より多層化された磁気記録媒体を製造することが困難である真空成膜装置を、連結することにより、製造を可能とする磁気記録媒体の製造方法および、連結するための連結装置を提供する。
【解決手段】ディスク状の磁気記録媒体の製造方法において、枚葉搬送システム３０２を具備した連結装置３０１にて、複数の真空成膜装置１０１，２０１を連結してなる成膜装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】カソードおよびアノード間の異常放電の発生率を十分に低下させる。
【解決手段】熱電子を放出するカソード２２と、カソード２２から熱電子が放出されている状態においてカソード２２との間に印加されているグリッド電圧の電圧値に応じた量の電子を放出するグリッド２３と、カソード２２との間にアノード電圧が印加されて電子を加速させるアノード２４と、加速された電子を集束して電子ビームＥＢを生成する集束部２５とを備えた電子ビーム蒸着装置用の電子ビーム照射装置６であって、アノード２４は、カソード２２に対向配置されたフランジ部（鍔状部）２４ａと、熱電子を集束部２５に向けて案内する筒状部２４ｂとが一体形成されて構成されると共に、フランジ部２４ａにおけるカソード２２側の一面２４ｓの算術平均粗さＲａが２．０μｍ以上７．３μｍ以下の範囲内となるようにショットブラスト加工されている。 （もっと読む）

【課題】カソードおよびアノード間の異常放電の発生率を十分に低下させる。
【解決手段】熱電子を放出するカソード２２と、カソード２２から熱電子が放出されている状態においてカソード２２との間に印加されているグリッド電圧の電圧値に応じた量の電子を放出するグリッド２３と、カソード２２との間にアノード電圧が印加されて電子を加速させるアノード２４と、加速された電子を集束して電子ビームＥＢを生成する集束部２５とを備えた電子ビーム蒸着装置用の電子ビーム照射装置６であって、カソード２２は、アノード２４側の一面２２ｓの十点平均粗さＲｚが０．１０μｍ以上０．２８μｍ以下の範囲内となるように研磨されている。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの基本磁気層を有する少なくとも１つの構造化されない記憶媒体を含む磁気記憶デバイスであって、前記記憶媒体は前記媒体の平面に対して垂直な磁性を有する磁気記憶デバイスに関する。本磁気記憶デバイスは、前記媒体の平面に対して垂直な磁性と前記記憶媒体の反転磁場より高い反転磁場とを有しかつ磁気エレメント（４６）が前記記憶媒体内で双極磁場を発生するように非磁性体製の減結合層（４７）により前記記憶媒体から分離される複数の磁気エレメント（４６）を備え、前記複数の磁気エレメント（４６）は非磁性領域（４１）によって互いから分離され、各磁気エレメント（４６）は書込みオペレーションの間に前記記憶媒体（４３）におけるメモリポイントを画定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で均一性の高い磁性粒子の周期性パターンを一度に形成することを可能とする、微粒子の形成方法を実現する。
【解決手段】本発明の微粒子形成方法は、不活性ガス存在下で、基板１０４に、当該基板１０４表面の構成材料と化合物を生成可能な供給材料を、原子若しくは分子の状態で供給源１０３から供給することにより、当該基板１０４上に微粒子を形成する微粒子形成方法であり、上記供給源１０３は、上記微粒子を形成する基板１０４表面と直接直線で結ばれない位置に配置され、正負両極性成分を有する１００ｋＨｚ以上１００ＭＨｚ以下の範囲の高周波電圧を、上記基板１０４及び当該基板１０４を支持する基板支持部材１０２の少なくとも一方に対して印加する方法である。 （もっと読む）