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Fターム[5D112FA10]の内容

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Fターム[5D112FA10]に分類される特許

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【課題】保護層の厚さを2nm以下としつつも、優れた耐食性を有する磁気記録媒体を提供すること。
【解決手段】基板上に磁性層と、炭素系保護層とを含み、上記炭素系保護層の厚さが2nm以下であり、かつ、上記炭素系保護層表面の水滴に対する接触角が25度以上60度未満である。 (もっと読む)


【課題】磁気特性の変化を防止するパターン化媒体の製造プロセスを提供する。
【解決手段】実施形態は、スタックのパターン化された磁気材料を保護する方法を開示する。方法は、連続薄膜が堆積されるパターン化されたスタックの磁気材料に対して不活性である不活性材料の連続薄膜を堆積するステップと、非エッチング高レリーフ磁気アイランドの上部および側壁領域ならびにパターン化スタックの磁気薄膜エッチング表面を、空気暴露損傷および埋め戻し材料との接触による損傷から保護するために、連続薄膜から薄膜中間インターフェース層を形成するステップとを含む。 (もっと読む)


【課題】表面が平滑な磁気記録媒体用アルミニウム基板を製造するにあたり、研磨前の表面粗度を小さくすることにより研磨量を低減して生産性を高めると共に、コストを削減できる技術を提供する。
【解決手段】アルミニウム基板にりん酸処理を施す工程と、りん酸処理後のアルミニウム基板表面に、酸素ガスと有機シロキサンガスを用いてプラズマ化学気相成長法によりSiO2膜を形成する工程とを含む磁気記録媒体用アルミニウム基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】小さい膜厚においても高い耐久性および高い耐食性を両立することができるDLC膜の製造方法および製造装置の提供。
【解決手段】炭化水素系原料ガスの熱分解により発生させたラジカル粒子により被成膜基板上に第1層を形成する工程と、該炭化水素系原料ガスのプラズマ中で発生させたイオン粒子により第2層を形成する工程とを含むことを特徴とする第1層および第2層から構成されるDLC膜の製造方法。 (もっと読む)


【課題】電圧印加手段から電圧が印加される給電部材の弾性の劣化やヘタリを評価することができる。
【解決手段】基板処理装置は、搬入口と搬出口を有するチャンバ85と、チャンバ内にガスを供給するガス供給手段12と、ガスをプラズマにするためのプラズマ発生手段と、基板を保持する基板ホルダ20と、搬入口から搬入され、搬出口へと基板ホルダを保持しながら搬送するキャリア2と、基板ホルダ20に電圧を印加するための電圧印加手段16と、給電部材13を可動して、該給電部材を基板ホルダ20に接触又は非接触させることにより、電圧印加手段16からの電圧を供給するための駆動手段18と、給電部材13に流れる電流を測定する電流測定手段17と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】インプリントレジスト特徴寸法の拡大を可能にするパターン化磁気記録ディスクの製作方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、インプリントレジストがNILによりパターン化された後インプリントレジスト特徴部の寸法を拡大する。インプリントレジスト材料の層は、ブランクディスク上に堆積される。インプリントレジスト層はNILによりパターン化され、上部から基部まで傾斜した側壁を有する複数の離間されたレジスト柱を生じる。被覆層が、傾斜したレジスト柱側壁の上を含むパターン化されたレジスト層の上に堆積される。被覆層は次に、レジスト柱間の空間部内にブランクディスクを露出する一方で傾斜したレジスト柱側壁上に被覆層を残すためにエッチングされる。レジスト柱は次に、ブランクディスクをエッチングするためのマスクとして使用され、ブランクディスク上に複数の個別のアイランドを残す。 (もっと読む)


【課題】十分緻密な薄膜を成膜することが可能な薄膜製造方法および装置を提供する。求める成膜特性、あるいはプロセス条件に応じた薄膜を成膜することが可能な薄膜製造方法および装置を提供する。
【解決手段】原料ガスからプラズマを生成し、該プラズマ中からイオンを抽出し、該イオンにより被成膜基板の片面または両面に薄膜を成膜する薄膜製造方法である。該方法は、該プラズマを発生させるプラズマ室と、被成膜基板を収容する成膜室と、該プラズマ室から該成膜室まで該イオンを輸送するためのイオン輸送路と、該イオン輸送路から分岐する分岐管と、該分岐管に接続された排気系統とを有する装置内で実施される。該イオン以外の原料ガスを該分岐管から排気しながら薄膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】保護膜の膜質を損なうことなく処理時間の短縮を図ることができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、磁性層12を磁気分離するためのイオン注入工程に際して使用されるレジストパターン13のアッシング工程において、基板11を保護膜14の成膜に適した温度にまで昇温させ、上記アッシング工程後はその基板温度を利用して保護膜14の成膜処理を実施する。これにより、保護膜14の膜質および成膜効率を損なうことなく、保護膜14の成膜のための処理時間を短縮することができる。 (もっと読む)


【課題】磁気スペーシングのよりいっそうの低減を実現することができ、近年の急速な高記録密度化に伴う磁気ヘッドの低浮上量のもとで、また用途の多様化に伴う非常に厳しい環境耐性のもとで高信頼性を有する磁気ディスクを提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも磁性層と保護層と潤滑層が順次設けられた磁気ディスクであって、前記潤滑層は、分子構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有し、且つ分子の中心付近の位置に、
−O-CH2-CH(OH)-CH2-CH2-CH(OH)-CH2-O−
または
−O-CH2-CH(OH)-CH(OH)-CH2-O−
で示される構造を有する磁気ディスク用潤滑剤化合物を含有する。 (もっと読む)


【課題】磁気スペーシングのより一層の低減を実現することができ、しかも磁気ディスクの耐久性、特にグライド特性及びLUL耐久性に優れ、近年の急速な高記録密度化に伴う磁気ヘッドの超低浮上量のもとで、また用途の多様化に伴う非常に厳しい環境耐性のもとで高信頼性を有する磁気ディスクを提供する。
【解決手段】基板上に、少なくとも磁性層と炭素系保護層と潤滑層を順次形成する磁気ディスクの製造方法において、分子構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有し、且つ芳香族基またはホスファゼン環を有する潤滑剤化合物を含む潤滑剤組成物を上記保護層上に成膜して潤滑層を形成した後に、磁気ディスクに対して、酸素濃度が5体積%以下である窒素ガスまたは不活性ガス雰囲気下で、且つ雰囲気温度を50〜180℃の範囲に調整して紫外線照射を施す。 (もっと読む)


【課題】 保護層の耐摩耗性や耐衝撃性等の耐久性を向上し、保護層の膜厚が3nm以下に制限されたとしてもスクラッチ等の諸問題を回避可能な、垂直磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基体110上に少なくとも、柱状に成長した結晶粒子の間に非磁性の粒界部を形成したグラニュラー構造の磁気記録層122と、磁気記録層より上に設けられた非磁性のバリア層124と、バリア層より上に設けられ基体主表面の面内方向に磁気的にほぼ連続した補助記録層126と、補助記録層より上に設けられカーボンを主体とする保護層128と、保護層の上に設けられた潤滑層130と、を備え、保護層は、ラマンスペクトルのDピークの高さ(Dh)とGピークの高さ(Gh)の比(Dh/Gh)が0.70以上0.95以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ゲートバルブの開閉動作に伴う振動の発生を抑制しながら、このゲートバルブの開閉動作を高速で行うことを可能としたインライン式成膜装置を提供する。
【解決手段】シリンダ115内のピストン114が一の方向の端部に到達する直前に、第2の開閉バルブ117aを全閉することによって第2の流量調整バルブ117bのみで排気する一方、シリンダ115内のピストン114が他の方向の端部に到達する直前に、第1の開閉バルブ116aを全閉することによって第1の流量調整バルブ116bのみで排気する。これにより、シリンダ115の端部とピストン114との接触による衝撃を緩和し、振動の発生を抑制することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】DLC膜の諸性質を、それぞれの用途における要求特性などに応じて、二次的に改質することを目的とするものである。
【解決手段】基材の表面に、膜厚3μm超の厚膜DLCを被覆してなる部材において、この厚膜DLCは、水素が13〜30原子%、残部が炭素である微粒子の堆積層からなるものであって、残留応力が1.0GPa以上、硬さ(Hv)が700〜2800の熱処理DLCの膜であることを特徴とする厚膜DLC被覆部材。 (もっと読む)


【課題】磁気スペーシングのより一層の低減を実現することができ、しかも磁気ディスクの耐久性、特にLUL耐久性及びアルミナ耐性に優れ、近年の急速な高記録密度化に伴う磁気ヘッドの低浮上量のもとで、また用途の多様化に伴う非常に厳しい環境耐性のもとで高信頼性を有する磁気ディスクを提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも磁性層と炭素系保護層と潤滑層が順次設けられた磁気ディスクであって、前記潤滑層は、構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有し、且つ分子の末端を除く位置に芳香族基を有するとともに、分子の末端には極性基を有する化合物からなる磁気ディスク用潤滑剤化合物を含有する。 (もっと読む)


【課題】近年の急速な高記録密度化に伴う磁気ヘッドの低浮上量のもとで、また用途の多様化に伴う非常に厳しい環境耐性のもとで、良好な磁気特性、信頼性特性を有する磁気ディスクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも磁性層と保護層が設けられた磁気ディスクの製造方法であって、前記保護層はプラズマCVD法により成膜され、反跳分子散乱法を用いて測定される前記磁性層中の水素含有量が許容値となるように前記保護層の成膜条件を設定し、該設定した成膜条件により前記保護層を形成する。 (もっと読む)


【課題】薄膜化しても潤滑層との密着性、耐磨耗性及び耐腐食性に優れた保護層を備えた磁気ディスクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも磁性層と保護層と潤滑層が順次設けられた磁気ディスクの製造方法であって、前記保護層は化学的気相成長(CVD)法で形成される。まず炭化水素系ガスを用いて成膜を行い、途中から炭化水素系ガスに窒素族又は酸素族に属する元素の単体もしくは化合物ガスを添加して引き続き成膜を行う。 (もっと読む)


【課題】磁気スペーシングのより一層の低減を実現でき、しかも近年の急速な高記録密度化に伴う磁気ヘッドの低浮上量のもとで、また用途の多様化に伴う非常に厳しい環境耐性のもとで高信頼性を有する磁気ディスクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、少なくとも磁性層と保護層と潤滑層が順次設けられた磁気ディスクの製造方法であって、前記潤滑層は、構造中にパーフルオロポリエーテル主鎖を有し且つヒドロキシル基を有するパーフルオロポリエーテル化合物を、沸点が90℃以上のフッ素系溶媒に分散溶解させた塗布液を用いて形成する。 (もっと読む)


【課題】高硬度で緻密な炭素膜を形成することを可能とし、更なる薄膜化が可能な炭素膜の形成方法を提供する。
【解決手段】減圧した成膜室101内に炭素を含む原料の気体Gを導入し、この気体Gを高周波プラズマによりイオン化し、このイオンを用いて基板Dの両表面に炭素膜を形成する炭素膜の形成方法であって、高周波プラズマにより原料の気体Gをイオン化するプラズマ空間106と、イオンを加速させる加速空間108とが連続する成膜室101内において、基板Dを加速空間108内に配置し、この状態で加速していないイオン又は加速されたイオンを用いて、基板Dの両表面に炭素膜を形成する第1の工程と、第1の工程の後に、第1の工程時よりも反応圧力を下げた状態で、第1の工程時よりも加速度を高めたイオンを用いて、基板Dの両表面に炭素膜を形成する第2の工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】磁気記録層からのCoの溶出を抑制するとともに、膜厚が3nm以下の、磁気記録媒体用保護層の形成方法を提供することにある。
【解決手段】(1)基体と該基体上に形成される金属膜層とを含む積層体の上に、炭化水素ガスを原料として用いるプラズマCVD法によって保護膜を形成する工程であって、上記炭化水素ガスの流量が50sccm以上200sccm以下であり、放電電流が0.1A以上0.3A以下である、保護膜の形成工程と、(2)工程(1)で形成した保護膜の表面処理工程であって、(2a)アルゴンガス中でのプラズマ処理、及び(2b)窒素ガスを含むガス中でのプラズマ処理を含む表面処理工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体用保護膜の形成方法。 (もっと読む)


【課題】表面の平滑性に優れた磁気記録媒体を、高い生産性で製造することが可能な磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】磁性層2に、磁気記録パターン20として、凸部からなる磁気記録領域21と、該磁気記録領域21の間の凹部からなる境界領域22とを形成する磁気記録パターン形成工程と、次いで、非磁性基板1に負のバイアスを印加しながら、高周波プラズマ化学蒸着法を用いてカーボン保護膜9を形成することにより、磁気記録領域21上のカーボン保護膜9aを、境界領域22上のカーボン保護膜9bよりも薄くする保護膜形成工程とを備えた方法である。 (もっと読む)


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