【課題】一定の加速電圧で処理対象物の厚さ方向全長に亘って均一なイオン濃度分布を得ることができる生産性のよいイオン注入法を提供する。
【解決手段】本発明は、減圧下で所定の処理ガスを導入してプラズマを形成し、このプラズマ中のイオンを引き出し、引き出したイオンを加速して処理対象物Ｗ内に注入するイオン注入法であって、処理ガスとして、Ｘ_ｍＹ_ｎ（式中、Ｘ及びＹを互いに異なる元素であって、その質量数が１、５〜４０の原子とし、ｍ＝１〜４、ｎ＝１〜１０とする）で表される分子の中から選択されるものを用いる。 （もっと読む）

【課題】表面が平滑な磁気記録媒体用アルミニウム基板を製造するにあたり、研磨前の表面粗度を小さくすることにより研磨量を低減して生産性を高めると共に、コストを削減できる技術を提供する。
【解決手段】アルミニウム基板にりん酸処理を施す工程と、りん酸処理後のアルミニウム基板表面に、酸素ガスと有機シロキサンガスを用いてプラズマ化学気相成長法によりＳｉＯ₂膜を形成する工程とを含む磁気記録媒体用アルミニウム基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 パターンド媒体における磁性ドットごとの反転磁界のばらつきを低減することで、高密度の情報の記録再生が可能な磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 磁気記録媒体は、基板、基板上に形成された補助層、補助層上に形成された少なくとも一層の垂直磁気記録層を含む。垂直磁気記録層は、磁性ドットパターンを有する。垂直磁気記録層は、鉄及びコバルトのうち１つの元素と、プラチナ及びパラジウムのうち１つの元素とを含有する合金材料からなる。また、この合金材料はＬ１_０構造を有し、（００１）面配向している。補助層は、磁性ドットパターンで覆われたドット状の第１の領域と、磁性ドットパターンで覆われていない第２の領域を有する。第１の領域は、（１００）面配向したニッケル酸化物からなる。第２の領域は、第１の領域に用いられたニッケル金属を主成分として含有する。 （もっと読む）

【課題】マスター情報担体の繰り返し転写できる使用可能回数を向上させることのできる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性基板１の上に、少なくとも、軟磁性下地層２と、直上の層の配向性を制御する配向制御層３と、磁化容易軸が前記非磁性基板に対して垂直に配向した垂直磁性層４とを、この順で形成する磁気記録媒体の製造方法であって、ＣｏＣｒ合金を含むターゲットを使用し、窒素を含むスパッタリングガスを用いる反応性スパッタリング法によって、第１配向制御層３ａを成膜する第１成膜工程と、第１配向制御層３ａ上に、スパッタリング法を用いて、ＲｕまたはＲｕ合金からなる第２配向制御層３ｂを成膜する第２成膜工程とを行うことにより、前記配向制御層３を形成する磁気記録媒体の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】ＤＣスパッタ法を用いて、ＭｇＯ膜を有する磁気記録媒体を高い生産性で製造することができ、同時にＭｇＯ膜の酸素欠損を抑制して高い結晶性を有するＭｇＯ下地層を与える方法の提供。
【解決手段】酸素含有ガス中でＭｇおよびＭｇＯを含むターゲットを用いる反応性ＤＣスパッタ法によって、非磁性基体にＭｇＯからなる中間層を形成する工程と、中間層の上に、Ｌ１₀系規則合金を含む磁気記録層を形成する工程とを少なくとも含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 効率的に且つ十分に非記録部の磁性が失活した磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に磁気記録層を含む磁気記録媒体において、前記磁気記録層は、記録部と非記録部とから成るパターンを有し、前記非記録部は、前記記録部が非磁性化した構造を有し、前記非記録部は、バナジウムおよびジルコニウムから成る群から選択される少なくとも１つの金属元素と、窒素、炭素、ホウ素および酸素から成る群から選択される少なくとも１つの元素とを含み、前記非記録部に含まれる窒素、炭素、ホウ素および酸素から成る群から選択される少なくとも１つの元素の含有量は、前記記録部に含まれる元素の含有量よりも多い磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】媒体を製造するシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】媒体を製造する方法は、基板上に記録媒体を形成するステップを含む。記録媒体上の、基板と反対側に保護膜が成膜される。保護膜は第一の表面仕上げ層を有する。保護膜はエッチングされ、材料が取り除かれ、保護膜に、第一の表面仕上げより平滑な第二の表面仕上げ層が設けられる。成膜とエッチングは、ｉｎ−ｓｉｔｕドライ真空工程で逐次的に行われてもよい。第二の表面仕上げ層には、エッチング後に、保護膜をさらに平坦化するための機械加工を行わなくてもよい。 （もっと読む）

【課題】電気磁気変換特性を向上させ、よりいっそうの高記録密度化に対応可能な垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】垂直磁気記録方式での情報記録に用いる垂直磁気記録媒体であって、基板上に、少なくとも軟磁性層と下地層と磁気記録層とを備える垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記下地層は、スパッタリング成膜により形成され、成膜時のガス圧が低ガス圧にて成膜される低ガス圧成膜層と、成膜時のガス圧が高ガス圧にて成膜される高ガス圧成膜層からなる。そして、前記高ガス圧成膜層は、成膜レートを段階的に低下させた多層成膜により形成する。 （もっと読む）

【課題】高いＳＮＲを確保しつつ信頼性を向上することが可能な垂直磁気ディスクの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる垂直磁気ディスクの製造方法の構成は、基板上に、第１の圧力の雰囲気ガス下でＲｕまたはＲｕ合金からなる第１下地層を成膜する第１下地層成膜工程と、第１の圧力より高い第２の圧力の雰囲気ガス下でＲｕまたはＲｕ合金からなる第２下地層を成膜する第２下地層成膜工程と、第１の圧力より高く且つ第２の圧力よりも低い第３の圧力の雰囲気ガス下で、ＲｕまたはＲｕ合金を主成分とし酸化物を副成分とする第３下地層を成膜する第３下地層成膜工程と、第３下地層より上層に、柱状に成長したＣｏＣｒＰｔ合金を主成分とする磁性粒子の周囲に酸化物を主成分とする非磁性物質が偏析して粒界部が形成されたグラニュラ磁性層を成膜するグラニュラ磁性層成膜工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、潤滑剤に対する濡れ性が高く、平滑な表面を有し、高硬度で緻密な水素を含む炭素膜を形成することを可能とした炭素膜の形成方法、並びに、該炭素膜の形成方法により形成された水素を含む炭素膜を有する磁気記録媒体及び磁気記録再生装置を提供することを課題とする。
【解決手段】水素を含む炭素膜の形成後に、成膜室１０１内に不活性ガスを導入し、不活性ガスをイオン化して水素を含む炭素膜の表面に加速照射し、水素を含む炭素膜の少なくとも表層部を脱水素化する。 （もっと読む）

【課題】 保護層の耐摩耗性や耐衝撃性等の耐久性を向上し、保護層の膜厚が３ｎｍ以下に制限されたとしてもスクラッチ等の諸問題を回避可能な、垂直磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基体１１０上に少なくとも、柱状に成長した結晶粒子の間に非磁性の粒界部を形成したグラニュラー構造の磁気記録層１２２と、磁気記録層より上に設けられた非磁性のバリア層１２４と、バリア層より上に設けられ基体主表面の面内方向に磁気的にほぼ連続した補助記録層１２６と、補助記録層より上に設けられカーボンを主体とする保護層１２８と、保護層の上に設けられた潤滑層１３０と、を備え、保護層は、ラマンスペクトルのＤピークの高さ（Ｄｈ）とＧピークの高さ（Ｇｈ）の比（Ｄｈ／Ｇｈ）が０．７０以上０．９５以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録層の磁性粒子の粒度分布を改善し、記録再生特性の良好な垂直磁気記録媒体を得る。
【解決手段】磁気記録層の下に、不活性ガス雰囲気でスパッタされた、ルテニウムまたは第１のルテニウム合金からなる第１非磁性下地層と、不活性ガス雰囲気で、第１非磁性下地層をスパッタするときの圧力よりも高い圧力でスパッタされた、ルテニウム、及び第２のルテニウム合金のうち一方からなる第２非磁性下地層との間に、ルテニウムとシリコンからなる非磁性テンプレート層が設けられた構造を有する多層下地層を設ける。 （もっと読む）

【課題】高い特性を有するグラニュラー磁性層を、高価なＰｔまたはＲｕの使用量を低減して形成する
【解決手段】非磁性基体上に、強磁性を有する結晶粒子と酸化物を含む非磁性結晶粒界とからなる磁気記録層を備えた垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記磁気記録層を、成膜初期には酸素ガスを２体積％以上、１０体積％以下添加した希ガスを用いて反応性スパッター法で成膜し、引き続き酸素ガス濃度を低下して反応性スパッター法で成膜することを特徴とする。
磁気記録層の直下に、Ｒｕ或いはＲｕを含む合金からなる下地層を形成する工程を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を有し、更なる高記録密度化を可能とした磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】スパッタリングガス圧０．６Ｐａ〜１．２Ｐａの範囲内で、層厚８ｎｍ〜１２ｎｍの範囲内のＲｕ又はＲｕを主成分とする材料からなる低ガス圧層３ａを形成する工程と、低ガス圧層３ａ上にスパッタリングガス圧４Ｐａ〜１２Ｐａの範囲内で、層厚が低ガス圧層３ａの層厚以下で４ｎｍ〜１２ｎｍの範囲内であり、ＳｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＷＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５の何れか１種以上の酸化物を合計で０．５ｍｏｌ％〜３ｍｏｌ％の範囲内で含むＲｕを主成分とする材料からなるグラニュラー構造を有する高ガス圧層３ｂを形成する工程とを備え、垂直磁性層４を積層する工程が、配向制御層３を構成する結晶粒子と共に厚み方向に連続した柱状晶Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３を形成するように結晶粒子を結晶成長させる工程を備える製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】従来の連続膜媒体の作製プロセスに近い簡便な方法を用い、磁気記録層において配向分散を抑制しつつ磁気クラスターサイズを減少させることができる下地層の分離構造を形成し、かつ下地層の薄膜化による記録性能の高性能化が可能な垂直媒体の提供。
【解決手段】非磁性基体上に少なくとも下地層および磁気記録層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体であって、前記下地層は結晶粒子と非晶質結晶粒界とからなり、該結晶粒子が、（成長初期の底面積）＞（上部の面積）である形状を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】ハードディスクドライブ磁気媒体用の部分酸化キャップ層を提供する。
【解決手段】部分酸化キャップ層を有する垂直磁気記録媒体は、第２酸化物層を第１キャップ層と結合して単一の部分酸化キャップを形成する。部分酸化層の酸化部分および非酸化部分は、同じターゲットからスパッタリングされ、金属元素の組成が同じである。酸化部分のＭｓは非酸化部分の約２倍である。酸化部分は、厚さが約５〜２５Åの範囲である。層組成はＣｏＰｔＣｒＢＴａを含むことができ、Ｃｒのａｔ％は約１８〜２４％、Ｐｔは約１３〜２０％、Ｂは約４〜１０％、Ｔａが約０〜２％である。 （もっと読む）

【課題】鮮明な磁気記録パターンを有する磁性層の平滑化プロセスを高速で行いつつ、記録密度を大幅に増加させ、また磁気記録パターン部間領域の保磁力、残留磁化を極限まで低減できる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性基板１の少なくとも一方の面上に磁性層２を形成する工程と、磁性層２の上に磁気記録パターンＭＰに対応した形状にパターニングされたレジスト層３を形成する工程と、レジスト層３を用いて磁性層２を部分的に除去する工程と、磁性層２が除去された面上を覆う非磁性層４を形成する工程と、磁性層２が表出するまで非磁性層４に研磨加工を施す工程と、磁性層２の表面を水素プラズマに曝す工程と、磁性層２の上に保護層５を形成する工程と、保護層５の上に潤滑膜６を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】磁気記録媒体の表面に凹凸パターンを形成してパターンドメディア型磁気記録媒体を製造する際に、加工前の磁気記録媒体の初期磁気特性を低下させずに維持するパターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１０表面に、軟磁性層１１と、シード層１２と、中間層１３と、磁性層１４と、貴金属材料の第二保護層１７と、ダイヤモンドライクカーボンの第一保護層１５とをこの順に積層形成し、前記第一保護１５層表面に所要のレジスト１６パターンを形成後、該レジスト１６をマスクとして前記第一保護層１５を酸素系ドライエッチングで選択除去して前記第二保護膜１７を露出させ、前記第二保護層１７と磁性層１４とを不活性ガス系ドライエッチングで選択除去した後、前記レジスト１６を除去し、前記第一保護層１５を酸素系のドライエッチングで剥離し、前記第二保護層１７を不活性ガスを用いたドライエッチングで剥離する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】媒体表面荒れが抑制され、良好なヘッドの浮上性を確保することができるパターンド磁気記録媒体（ＤＴＲ媒体およびＢＰＭ）の製造方法を提供する。
【解決手段】 磁気記録層上に、カーボンからなる第１のハードマスク、Ｓｉ、Ｃｕなどからなる第２のハードマスクおよびレジストを形成し、レジストに対してスタンパをインプリントして凹凸パターンを転写し、パターン化されたレジストをマスクとして、第２のハードマスクをエッチングして凹凸パターンを転写し、第２のハードマスクをマスクとして、第１のハードマスクをエッチングして凹凸パターンを転写し、第１のハードマスクの凸部に残存している第２のハードマスクを除去し、酸素ガスとフッ素系ガスの混合ガスによってマスク表面の汚染層を除去し、磁気記録層をパターニングし、前記第１のハードマスクを除去することを含む磁気記録媒体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】記録密度を大幅に増加させ、また磁気記録パターン部間領域の保磁力、残留磁化を極限まで低減できる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性基板１の少なくとも一方の面上に磁性層２を形成する工程Ａと、磁性層２の面上を覆う炭素マスク層３を形成する工程Ｂと、炭素マスク層３の上にレジスト層４を形成する工程Ｃと、スタンプ５を用いてレジスト層４を磁気記録パターンに対応した形状にパターニングする工程Ｄと、レジスト層４を用いて炭素マスク層３を磁気記録パターンに対応した形状にパターニングする工程Ｅと、磁性層２の炭素マスク層３で覆われていない箇所を部分的に除去することにより凹部７を形成する工程Ｆと、レジスト層４及び炭素マスク層３を除去する工程Ｇと、磁性層２の表面を水素プラズマに曝す工程Ｈと、磁性層２の上に保護層９を形成する工程Ｉとを含む。 （もっと読む）