【課題】高価な金型を用いること無く、絶縁樹脂で被覆された受光装置を得る。
【解決手段】受光部１１を有する受光素子１０が配列された基板２０上に絶縁樹脂材３０Ａを塗布する。受光部１１に対応する開口部６１と、開口部６１の周縁部に形成された堰止め用突起６２とを有するマスク６０を、基板２０上に配置する。マスク６０により、絶縁樹脂材３０Ａを押し広げて受光素子１０の周縁部および基板２０の上面を被覆する絶縁樹脂３０を形成する。絶縁樹脂３０には、開口部３１と、開口部３１の上部周縁部に凹部３２とが形成される。 （もっと読む）

【課題】 光ディスクの信号記録層から反射される戻り光が照射されるとともに光ピックアップ装置の制御動作を行う信号を生成するべく設けられる光検出器の受光面に傷が付かないようにする。
【解決手段】 光ディスクの信号記録層に照射されたレーザー光の反射光である戻り光が照射されるとともに該戻り光の光量に応じた信号を出力する受光素子Ｐが透光性樹脂より成るカバー１５Ｂにて被覆された光検出器において、前記カバー１５Ｂの受光面１５Ｃを保護する保護用突部１６を該カバー１５Ｂに形成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオード形状に依存せず、加算出力を維持したまま、周波数特性を向上させることの可能な受光素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１０および半導体層１１によってＰＮ接合型のフォトダイオードが構成されている。半導体層１１の上面には反射防止膜１２が形成され、反射防止膜の上には受光面１Ａに対応して開口部１３Ａを有する層間膜１３が形成されている。反射防止膜１２は、第１絶縁膜１２Ａおよび第２絶縁膜１２Ｂを積層してなる積層構造を有しており、第１絶縁膜１２Ａには開口部１３Ａの端縁１３Ｂに沿って延在する溝部１２Ｃが設けられている。溝部１２Ｃの底面には半導体層１１が露出しており、溝部１２Ｃにはシリサイドを含んで構成されたカソード電極１４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】特に青色光を中心とした短波長光に対し、受光面における反射率が低減され、高受光感度特性となっている光半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】光半導体装置の製造方法は、基板１０１に受光素子を形成する工程（ａ）と、受光素子上にシリコン窒化膜１０４を形成する工程（ｂ）と、基板１０１上に第１の絶縁膜１０５を形成する工程（ｃ）と、第１の絶縁膜１０５を熱処理により平坦化する工程（ｄ）と、受光素子上において、第１の絶縁膜１０５を開口してシリコン窒化膜１０４を露出させる工程（ｅ）と、工程（ｅ）の後に、シリコン窒化膜１０４に選択的に不純物を導入することにより、シリコン窒化膜１０４の屈折率を変化させる工程（ｆ）とを含む。 （もっと読む）