説明

Fターム[5E001AA01]の内容

セラミックコンデンサ (14,384) | 種別 (21) | 半導体 (20)

Fターム[5E001AA01]の下位に属するFターム

Fターム[5E001AA01]に分類される特許

1 - 9 / 9


【課題】拡散剤にPb系材料を使用しなくても、良好な電気特性を提供する。
【解決手段】粒界絶縁型半導体セラミックは、主成分がSrTiO系化合物で形成されると共に、粒界絶縁化剤とガラス成分とを含む拡散剤が含有されている。粒界絶縁化剤は、Pbを含まない非Pb系材料で形成されると共に、ガラス成分が、B及びPbを含まないSiO−XO−MO−TiO系ガラス材(Xはアルカリ金属、MはBa、Sr、Caから選択された少なくとも1種を示す。)を主成分とし、かつ、前記ガラス成分の含有量は、前記粒界絶縁化剤100重量部に対し3〜15重量部である。部品素体2は、この粒界絶縁型半導体セラミックで形成されている。 (もっと読む)


【課題】静電容量が高く、強度に優れた薄膜キャパシタ型蓄電池を提供する。
【解決手段】第1の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池には、導電性又は半導電性の第1粒子12Aが有機高分子中に埋め込まれた第1複合層12と、第1導電膜又は第1半導体膜からなる第1基材13と、が積層された第1積層基材11を設ける。第1積層基材11の第1基材13上には第1絶縁層21が設け、第1積層基材の第1複合層12の第1複合層12上には第2絶縁層22が設ける。第1絶縁層21上には、第1積層基材11の長尺方向(図1では紙面の手前から奥に向かう方向)に延在する第1導電路31が設け、第2絶縁層22上には、第1積層基材の長尺方向に延在し、第1導電路31と平行するように第2導電路32が設ける。 (もっと読む)


バラクタは、次の各構成要素を含んでおり、すなわち、抵抗に関して正の温度係数を有する第1のPTC領域(4)と、コンデンサ領域(3)とを含んでおり、該コンデンサ領域は、第1の電極(2)と、第2の電極(2’)と、第1の電極(2)と第2の電極(2’)との間に配置された第1の誘電性層(1)とを含んでおり、
第1のPTC層(4)とコンデンサ領域(3)は熱伝導式に相互に結合されており、コンデンサ領域(3)のキャパシタンスは、第1のPTC領域(4)、コンデンサ領域(3)、または第1のPTC領域(4)およびコンデンサ領域(3)へのバイアス電圧の印加によって変更可能である。
(もっと読む)


【課題】一方では著しく低減された寄生キャパシタンスとインダクタンスを有し、他方では例えばプリント基板への容易で省スペース的な取り付けが可能である、より高い集積密度を備えた電気的多層構成素子を提供すること。
【解決手段】上下に積層された誘電層から形成された基体を有し、前記基体内で間隔を置いて誘電層間に配置された複数の導電的電極面を有し、該電極面に複数の電極が形成されており、構成素子の電気的なコンタクトのための少なくとも2つの隆起状はんだを有しており、該隆起状はんだは、基体の表面に配設されており、前記隆起状はんだは、基体内に配設されている貫通コンタクトを介して少なくとも1つの電極と導電的に接続されており、それにより第1の電極積層部と第2の電極積層部が形成され、これらの電極積層部がそれぞれ唯1つの隆起状はんだとコンタクトするようにする。 (もっと読む)


【課題】 直径10mm、厚み5mmのサイズの成形体を焼成して得られた焼結体からなる試料において、誘電体磁器のサイズが大きい場合でも、優れた誘電特性を有する誘電体磁器が要求されており、この要求を満たすことができるか不明であった。
【解決手段】 誘電体磁器4内部のAlをAl換算で0.007質量%以下(ゼロを含まず。)含有し、内部におけるAlの濃度を1としたとき、誘電体磁器4の表面近傍におけるAlの濃度の比が0.5〜2であり、かつ平均気孔径が8μm以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】Laの強い吸湿性を改善し、高い耐湿性及び安定性を有する半導体装置及びコンデンサを提供する。
【解決手段】高誘電率絶縁膜12が(La1−x(0<x≦0.3、MはSc、Y、Hf、Ti、Ta、Al、Nbの群から選ばれる1又は2以上の金属)で表記される組成からなることにより、吸湿性が改善し、安定性が向上する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、誘電率を向上させるペロブスカイト化合物粉末の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するために、本発明は、ペロブスカイト化合物の一般式をABO3(A、Bは元素、Oは酸素をそれぞれ示す)としたとき、少なくとも元素Aと元素Bからなるとともに元素Aのモル数が元素Bのモル数よりも大きい化合物αと、少なくとも元素Bを含む化合物βとを混合して熱処理することを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】 薄膜容量素子等の薄膜回路素子を備えたチップ型電子部品において、実装密度を大きくする。
【解決手段】 基板1上に設けられたグランド層5の上面中央部には絶縁膜9が設けられている。絶縁膜9の上面には複数の上部電極11が設けられている。そして、薄膜容量素子2は、上部電極11、上部電極11下に設けられた絶縁膜9および当該絶縁膜9下に設けられたグランド層5からなる下部電極により構成されている。このように、基板1上に複数の薄膜容量素子2を設けているので、実装密度を大きくすることができる。この場合、グランド層5は薄膜容量素子2の下部電極を兼ねているので、専用の下部電極を形成する必要がなく、それに応じて、製造工程数を少なくすることができる。 (もっと読む)


【課題】電子デバイス構造を保護するための組成物の提供。
【解決手段】吸水率が2%以下のエポキシ含有環状オレフィン樹脂と、吸水率が2%以下の1種または複数のフェノール樹脂と、エポキシ触媒と、任意選択で、電気絶縁性充填剤、消泡剤および着色剤のうち1種または複数と、1種または複数の有機溶媒とを含む組成物が提供される。これらの組成物は封止材として有用であり、190℃以下の硬化温度を有する。 (もっと読む)


1 - 9 / 9