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Fターム[5E001AB01]の内容

セラミックコンデンサ (14,384) |  (2,709) | サンドイッチ型 (131)

Fターム[5E001AB01]に分類される特許

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【課題】セラミック電子部品の鉛フリー半田実装時の半田食われを防止する。
【解決手段】端子電極のNi層にLi、Na、K、Rb及びCsの少なくとも1種を2×10−8mol/g以上7×10−6mol/gを添加することにより鉛フリー半田実装時の半田食われを防止する。さらに効果を顕著にするために、セラミック素体にZnを含ませる、あるいは、端子電極のNi層の結晶配向(111)面の相対強度を10−65%の範囲に制御する、ことの少なくとも一つをなす。 (もっと読む)


【課題】 実装面積をより小さくすることができ、かつ、耐振動性を向上させることが可能な4端子型セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 4端子型セラミックコンデンサ1は、直方体状のセラミックコンデンサ部10と、対向する側面10a,10bに形成された一対の電極20,21と、一対の電極20,21それぞれに接続されたヘアピン状のリード線30,31とを備える。リード線30(31)は、側面10a(10b)の長手方向に伸びる一対の直線部30a,30b(31a,31b)と、該一対の直線部30a,30b(31a,31b)の端部同士を滑らかに接続する湾曲部30c(31c)とを含む。一方の直線部30a(31a)は電極20(21)に接続され、他方の直線部30b(31b)は電極20(21)と離間して設けられ、湾曲部30c(31c)は、平面視した場合に、側面10a(10b)に対して垂直な方向に伸びる。 (もっと読む)


【課題】比較的に高い比誘電率を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲(−55〜400℃)において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式KNbOで表される第一の相と、一般式(Ba1−x)(Ti1−y)O(ただし、MはCa、SrおよびMgから選択される少なくとも1種類)、(ただし、LはZr、Hf、Co、V、Ta、Cr、Mo、W、Mgの中から選択される少なくとも1種類)で表される第二の相との混合相から成る。 (もっと読む)


【課題】比較的に高い比誘電率及び耐電圧を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲(−55〜400℃)において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式KNbOで表される第一の相と、一般式BaTiOで表される第二の相との混晶体から成る主成分を有し、副成分としてMn、Siの元素を含有する。KNbOとBaTiOとの混晶体から成る主成分とすることで、100℃以下では、BaTiOが有する高い比誘電率を利用し、150℃以上では、KNbOが有する高い比誘電率を利用することができる。 (もっと読む)


【課題】絶縁耐力を向上できるコンデンサを提供する。
【解決手段】コンデンサ1は、1対の内部電極7と、当該1対の内部電極7間に位置する誘電体5と、を有する。誘電体5は、粒径が130nm以下の複数の第1の無機粒子15と、粒径が160nm以上の複数の第2の無機粒子17と、を含む。第2の無機粒子17同士は、複数の第1の無機粒子15を互いに結合してなる三次元マトリクス構造を介して連結されている。 (もっと読む)


【課題】広範囲な温度領域(例えば、−55〜350℃)において比誘電率の変化率(例えば、ΔC/C=±22%以内)が小さく、350℃付近の高温領域に至るまでの諸特性に優れ、比誘電率が大きく、鉛を含有しないニオブ酸系の誘電体磁器組成物と、その誘電体磁器組成物を用いた電子部品を提供する。
【解決手段】一般式(K1−xNa)NbOで表されるニオブ酸化合物と、BaTiO3表されるチタン酸バリウムとを含有する誘電体磁器組成物中に、ニオブ酸化合物領域とチタン酸バリウム領域とがそれぞれコンポジット構造を形成し、 [(K1−xNaαBaβ](NbαTiβ)O12で表される固溶体の固溶体領域面積をA1、全体の領域面積をA2としたときに、A1/A2≦0.35とする。 (もっと読む)


【課題】粉末噴射コーティング法又は蒸着法が用いられる積層構造体の製造方法において、誘電体層の誘電特性を向上させる。
【解決手段】本発明に係る製造方法は、積層構造体を製造する方法であって、工程(a)、工程(b)、及び工程(c)を有している。製造される積層構造体は、金属製の基材1と、該基材1の表面上に形成された誘電体層とを備えている。工程(a)では、粉末噴射コーティング法又は蒸着法を用いて、基材1の表面上に、誘電体層となる成膜層6を形成する。工程(b)では、成膜層6の表面に焼結助剤を付着させる。工程(c)は、工程(b)の後に実行される。工程(c)では、成膜層6に対して熱処理を施すことにより、誘電体層を形成する。 (もっと読む)


【課題】交流破壊電界が高く、静電容量の温度特性が良好であり、比誘電率が高く、耐還元性が良好な誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】(BaBi)TiOの組成式で表わされる主成分と、第1副成分と、第2副成分と、を有する誘電体磁器組成物であって、前記組成式中のyが0.001≦y≦0.010であり、かつ、前記組成式中のxとyの合計が0.975≦x+y≦1.010であり、前記第1副成分は、酸化亜鉛であり、前記第2副成分は、Y、La、Ce、Nd、Sm、MnおよびNiから選ばれる少なくとも1種の酸化物であり、前記第1副成分が前記主成分100重量部に対して2重量部以上12重量部以下含有されており、前記第2副成分は前記主成分100重量部に対して酸化物換算で0.008重量部以上0.08重量部以下含有されている誘電体磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】比誘電率が高い高比誘電率固体材料及び誘電体、並びに、それを利用した、単位体積あたりの容量が大きいキャパシタ型蓄電池を提供すること。
【解決手段】ケイ酸、シロキサン、及びシリコネートの少なくとも1つのケイ素化合物であって、前記ケイ素化合物の持つ水酸基の少なくも一部に対して、イオン結合と共に共有結合を兼ね備える結合で、金属イオンが修飾されたケイ素化合物からなる高比誘電率固体材料、それを利用した誘電体、及びキャパシタ型蓄電池である。 (もっと読む)


【課題】比誘電率および交流破壊電圧が高く、誘電損失が低く、温度特性および焼結性が良好な誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】(Ba1−x−y,Ca,Sr(Ti1−z−a,Zr,Sn)Oの組成式で表わされる主成分と、第1副成分と、第2副成分と、を有する誘電体磁器組成物であって、0.03≦x≦0.30、0.00<y≦0.05、0.02<z≦0.2、0≦a≦0.2、0.04≦z+a≦0.3、0.97≦m≦1.03、第1副成分は、酸化亜鉛であり、第2副成分は、La、Pr、Pm、Nd、Sm、Eu、GdおよびYから選ばれる少なくとも1種の酸化物であり、第1副成分が主成分100重量%に対して0.45〜10重量%含有されており、第2副成分は主成分100重量%に対して酸化物換算で0.0重量%より多く、0.3重量%以下含有されている誘電体磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板に設けられた穴の内部に導電体と誘電体を配置することにより、キャパシタを構成してなるキャパシタ構造体において、穴をより深くしたり、穴の平面形状を複雑な形状とすることなく、導電体間の対向面積を増加させて容量値の増大が実現できるようにする。
【解決手段】穴20は、シリコン基板10の一方の主面に開口する有底穴であり、穴20の内部にはシリコン基板10よりなる突起21が設けられ、穴20の底面は、突起21による凹凸面とされており、穴20の内部では、穴20の底面および側面に、これらの面側から第1の導電体31、誘電体40、第2の導電体32が順次積層されているとともに、第1の導電体31および誘電体40は、突起21による凹凸面の形状を承継した層形状とされている。 (もっと読む)


【課題】環境への負荷が大きい物質を含まず、薄膜キャパシタ用途に適した誘電体薄膜を簡便な手法で作製することができ、また、保存安定性に優れ、塗膜性の良好な誘電体薄膜形成用組成物、誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi412(式中0.5≦x≦1.1)で示される複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状誘電体薄膜形成用組成物であり、この複合金属酸化物を構成するための原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合で、一般式:Cn2n+1COOH(但し、nが2〜6の整数。)で表される直鎖、或いは1本又は2本以上の側鎖を有するカルボン酸を主成分とする有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】寿命信頼性を向上し得る、強誘電体薄膜及び該強誘電体薄膜を用いた薄膜キャパシタを提供する。
【解決手段】(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3(式中、0.9<x<1.3、0≦y<0.1、0≦z<0.9)で示される複合金属酸化物に、Bi、Si、Pb、Ge、Sn、Al、Ga、In、Mg、Ca、Sr、Ba、V、Nb、Ta、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd、Li、Na、K、P、B、Ce、Nd、Sm及びCsからなる群より選ばれた1種或いは2種以上の元素から構成される金属酸化物がある一定の割合で混合した混合複合金属酸化物の形態をとる強誘電体薄膜が、2〜23層の焼成層を積層して構成され、焼成層の厚さtが45〜500nmであり、焼成層中に存在する結晶粒の定方向最大径の平均xが200〜5000nmであり、焼成層のいずれにおいても1.5t<x<23tの関係を満たす。 (もっと読む)


【課題】銅の薄膜上に成膜した誘電体薄膜の膜質を維持できる簡易な誘電体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板12上には、(111)の一軸配向性を有するCu下部電極14が形成される。該Cu下部電極14上に、ペロブスカイト型誘電体のナノ粒子の単分散スラリーをスピンコート法により塗布し、窒素雰囲気で乾燥させる。その後、還元性雰囲気で熱処理を行うことにより、ナノ粒子をCu下部電極14上でエピタキシャル成長させて一軸配向性を有する誘電体薄膜16を形成する。該誘電体薄膜16に上部電極18を形成すると薄膜キャパシタ10が得られる。この製造方法によれば、Cu下部電極14に与えるダメージが少なく変質・変形を抑制できるため、該Cu下部電極14上に形成される誘電体薄膜16の膜質の維持が可能になるとともに、少ない工程で高結晶性の誘電体薄膜16の作製が可能となる。 (もっと読む)


【課題】非耐熱性基板上に誘電体を形成するための、耐熱基板上に形成された誘電体構造と、その誘電体膜の非耐熱性基板上への剥離転移プロセスを提供する。
【解決手段】第1基板5と、第1基板5上に形成された酸化膜4と第1電極層3と、第1電極層3上に形成された誘電体層2と、を有する誘電体構造体1において、第1基板5と第1電極層3との間に、第1基板5上の少なくとも一部を覆うように形成されたTi等による結合層6を有する。形成後の誘電体内の残留応力に応じて、界面の機械特性を最適化することで、誘電体層2および電極層3が、形成過程では、耐熱性基板から剥離せず、転移過程において、剥離するような界面の剥離特性を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】結晶性が高く、クラックや剥離等の欠陥が少ないペロブスカイト型チタン含有複合酸化物膜の製造方法を提供する。
【解決手段】一般式ATiO(Aサイトは、Ca,Sr,Ba又はPbの中から選ばれる少なくとも1種又は2種以上の金属元素を表す。)で表されるペロブスカイト型チタン含有複合酸化物膜の製造方法であって、基体上に複合酸化物膜形成用塗布剤を塗布する塗布工程と、この基体上の塗膜にマイクロ波を照射して焼成する焼成工程とを含み、複合酸化物膜形成用塗布剤が、β−ジケトンを配位するチタン化合物と、β−ジケトンを配位するAサイトの金属元素を含む化合物との溶液からなる。 (もっと読む)


【課題】複数のセラミック材料を含み、モノリシックボディとして焼結可能なベースボディを備えた電気モジュールを提供する
【解決手段】セラミックベースボディ(1)は複数のセラミック層(1a,1b)を有しており、ここで、機能層(1a)は複合材料層(1b)に接しており、該複合材料層はジルコニウム酸化物とガラス充填物質との混合物を含む。 (もっと読む)


【課題】セラミックコンデンサなどの電子部品の誘電体層に用いられ、高周波数領域において誘電損失を低くすることができ、しかも誘電率温度特性に優れ、高い比誘電率を有する誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】酸化ストロンチウムをSrTiO換算で29.34〜44.70重量%、酸化ビスマスをBi換算で22.56〜28.48重量%、酸化チタンをTiO換算で26.36〜30.27重量%、酸化マグネシウムをMgO換算で3.61〜5.56重量%、酸化ネオジムを、Nd換算で、1.86〜3.42重量%、酸化マンガンをMnO換算で0.21〜0.99重量%、酸化ケイ素をSiO換算で0.06〜0.50重量%含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】 高周波領域での電気特性に優れ製造が容易な高周波用誘電体磁器およびその製造方法を提供する。また、そのような高周波用誘電体磁器を構成部材として用いた電気特性に優れた高周波回路素子を提供する
【解決手段】 組成式
a(Sn,Ti)O−bMgSiO−cMgTi−dMgSiO
で表され、前記組成式におけるa、b、c、及びd(ただし、a、b、c、及びdはモル%である)がそれぞれ4≦a≦37、34≦b≦92、2≦c≦15、及び2≦d≦15の範囲内にあり、ここでa+b+c+d=100である主成分と、MnOまたはMnからなる添加成分からなる添加成分とを含んでなり、該添加成分は前記主成分100重量部に対して0.5〜6.0重量部添加されていることを特徴とする高周波用誘電体磁器ならびに、それを構成部材とする高周波回路素子 (もっと読む)


【課題】 耐振性に優れ、電子部品を安定保持することが可能なラジアルリード電子部品を提供すること。
【解決手段】 電子部品2の素子本体を構成する平板状の基板4と、基板4の表裏面にそれぞれ形成される電極膜6と、電極膜6に電気的に接続される接続部8aと、接続部8aから外方へ延びるリード脚部8fとをそれぞれ有する2本のリード線8と、リード線8の接続部8aが接続された基板4の周囲を覆う外装樹脂12とを有し、素子本体4の厚さ方向へ突出する凸部9が外装樹脂12の外面に形成され、凸部9の頂面9aは平坦化してあり、基板4の表面から見て、凸部9の頂面9aの面積が基板4の表面の面積の60%以上であることを特徴とする。 (もっと読む)


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