【課題】 実装面積をより小さくすることができ、かつ、耐振動性を向上させることが可能な４端子型セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 ４端子型セラミックコンデンサ１は、直方体状のセラミックコンデンサ部１０と、対向する側面１０ａ，１０ｂに形成された一対の電極２０，２１と、一対の電極２０，２１それぞれに接続されたヘアピン状のリード線３０，３１とを備える。リード線３０（３１）は、側面１０ａ（１０ｂ）の長手方向に伸びる一対の直線部３０ａ，３０ｂ（３１ａ，３１ｂ）と、該一対の直線部３０ａ，３０ｂ（３１ａ，３１ｂ）の端部同士を滑らかに接続する湾曲部３０ｃ（３１ｃ）とを含む。一方の直線部３０ａ（３１ａ）は電極２０（２１）に接続され、他方の直線部３０ｂ（３１ｂ）は電極２０（２１）と離間して設けられ、湾曲部３０ｃ（３１ｃ）は、平面視した場合に、側面１０ａ（１０ｂ）に対して垂直な方向に伸びる。 （もっと読む）

【課題】コンデンサ内蔵基板に生じるインダクタンスを小さくすることが可能なコンデンサ素子、及び該コンデンサ素子を具えたコンデンサ内蔵基板を提供する。
【解決手段】本発明に係るコンデンサ素子は、第１電極層11と第２電極層12との間に誘電体層13が介在したコンデンサ素子１であって、第１電極層11は、第２電極層12側の表面111の一部が該第２電極層12によって覆われ、第１電極層11が金属箔により形成される一方、第２電極層12が金属薄膜又は金属箔により形成されている。本発明に係るコンデンサ内蔵基板は、前記コンデンサ素子１と絶縁基板２とを具え、該絶縁基板２内にコンデンサ素子１を埋設することにより絶縁基板２にコンデンサ素子１が内蔵されている。 （もっと読む）

【課題】結晶粒のサイズを制御し、誘電体膜を貫通する結晶粒界やクラックの発生を抑制することによって、リーク電流の少ない高性能のキャパシタを提供する。
【解決手段】電極３，５の間に誘電体膜４が挟持されてなるキャパシタであって、誘電体膜４は、アルカリ土類金属と遷移金属との酸化物に、アルカリ土類金属の炭酸塩を０．１〜１０ｍｏｌ％の範囲で含む。 （もっと読む）

【課題】 生産性に優れる温度補償型の静電容量素子を提供する。
【解決手段】 静電容量素子１０は、基板２０と、基板２０の上に位置する第１コンデンサ３０と、基板２０の上に位置して第１コンデンサ３０と電気的に並列接続されている第２コンデンサ４０とを有し、第１コンデンサ３０は、第１下部電極３１と第１誘電体３２と第１上部電極３３とで構成され、第２コンデンサ４０は、基板２０側から順に第１下部電極３１と異なる材料からなる第１層４１ｘと、第１下部電極３１と同じ材料からなる第２層４１ｙとが積層されてなる第２下部電極４１と、第１誘電体３２と同じ組成の材料からなる第２誘電体４２と、第２上部電極４３とで構成され、温度が上昇する際の第１コンデンサ３０の静電容量の変化量と第２コンデンサ４０の静電容量の変化量とで変化の正負が異なっている。 （もっと読む）

【課題】積層構造体において、高い耐湿性を実現すると共に電気特性の検査を可能にする。
【解決手段】本発明に係る積層構造体は、金属製の基材１、誘電体層２、第１電極層３１、第２電極層３２、及び保護膜４１を備えている。誘電体層２は、基材１の表面上に形成されている。第１電極層３１は、誘電体層２の表面上に形成されている。第２電極層３２は、誘電体層２の表面の内、第１電極層３１の形成領域Ｒ１とは異なる領域Ｒ２上に、該第１電極層３１から離間させて形成されている。保護膜４１は、耐湿性と電気絶縁性の両方の特性を有している。そして、保護膜４１は、誘電体層２の表面の内、第１電極層３１の形成領域Ｒ１と第２電極層３２の形成領域Ｒ２とによって挟まれた領域Ｒ３を被覆している。一方、第１電極層３１の表面と第２電極層３２の表面とにはそれぞれ露出面３１ａ，３２ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】低温焼結が可能で、高周波領域での誘電損失が低く、メッキ耐食性に優れたセラミックス焼結体を得ることが可能なセラミックス組成物、該組成物から得られるセラミックス焼結体、及び該焼結体を用いた電子部品を提供する。
【解決手段】固相反応法により合成されたディオプサイド結晶粉末１００質量部に対し、ＳｒＴｉＯ_３粉末を６〜１９質量部、Ａｌ成分を酸化物換算で１．４〜６質量部、Ｌｉ成分を酸化物換算で０．３〜０．９質量部、Ｂ成分を酸化物換算で１．６〜３．２質量部、Ｚｎ成分を酸化物換算で３．２〜５．１質量部、Ｃｕ成分を酸化物換算で０．５〜０．９質量部、Ａｇ成分を酸化物換算で０〜３質量部、Ｃｏ成分を酸化物換算で０〜４．５質量部含有するセラミックス組成物。該組成物を用いて、セラミックス焼結体及び電子部品を得る。 （もっと読む）

【課題】比誘電率が高い高比誘電率固体材料及び誘電体、並びに、それを利用した、単位体積あたりの容量が大きいキャパシタ型蓄電池を提供すること。
【解決手段】ケイ酸、シロキサン、及びシリコネートの少なくとも１つのケイ素化合物であって、前記ケイ素化合物の持つ水酸基の少なくも一部に対して、イオン結合と共に共有結合を兼ね備える結合で、金属イオンが修飾されたケイ素化合物からなる高比誘電率固体材料、それを利用した誘電体、及びキャパシタ型蓄電池である。 （もっと読む）

【課題】キャパシタ誘電体膜が水素や水分により還元されるのをより確実に防止し得る薄膜キャパシタ及びその製造方法、並びに、その薄膜キャパシタを用いた電子装置及び回路基板を提供する。
【解決手段】支持基板１０上に形成され、第１のキャパシタ電極１４と；第１のキャパシタ電極上に形成されたキャパシタ誘電体膜１６と；キャパシタ誘電体膜上に形成された第２のキャパシタ電極１８とを有するキャパシタ部２０と、第１のキャパシタ電極又は第２のキャパシタ電極から引き出され、水素又は水分の拡散を防止する導電性バリア膜より成る引き出し電極２６ａ、２６ｂと、引き出し電極に接続された外部接続用電極３４ａ、３４ｂとを有している。 （もっと読む）

【課題】静電容量が高く、強度に優れた薄膜キャパシタ型蓄電池を提供する。
【解決手段】第１の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池には、導電性又は半導電性の第１粒子１２Ａが有機高分子中に埋め込まれた第１複合層１２と、第１導電膜又は第１半導体膜からなる第１基材１３と、が積層された第１積層基材１１を設ける。第１積層基材１１の第１基材１３上には第１絶縁層２１が設け、第１積層基材の第１複合層１２の第１複合層１２上には第２絶縁層２２が設ける。第１絶縁層２１上には、第１積層基材１１の長尺方向（図１では紙面の手前から奥に向かう方向）に延在する第１導電路３１が設け、第２絶縁層２２上には、第１積層基材の長尺方向に延在し、第１導電路３１と平行するように第２導電路３２が設ける。 （もっと読む）

【課題】薄膜キャパシタにおける諸特性低下の原因となるヒロックを抑制し、リーク電流特性及び絶縁耐圧特性に優れた薄膜キャパシタを製造する。
【解決手段】下部電極を形成した後、３００℃よりも高い温度のアニール処理を行わずに薄膜形成前駆体溶液を下部電極上に塗布し、乾燥は室温〜４５０℃の範囲内の所定の温度で行い、焼成は乾燥温度よりも高い４５０〜８００℃の範囲内の所定の温度で行い、塗布から焼成までの工程は塗布から焼成までの工程を１回又は２回以上行うか或いは塗布から乾燥までの工程を２回以上行った後、焼成を１回行い、初回の焼成後に形成される誘電体薄膜の厚さは２０〜６００ｎｍにする。下部電極の厚さと初回の焼成後に形成される誘電体薄膜の厚さの比（下部電極の厚さ／誘電体薄膜の厚さ）は０．１０〜１５．０の範囲とするのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率εｒが40前後において、Ｑ値が高く、共振周波数の温度係数τｆの絶対値が小さく、高温域および低温域にわたる広範囲な温度域において、共振周波数の変化の少ない誘電体セラミックスを提供する。
【解決手段】 組成式をαＮｄ_２Ｏ_ｘ・βＭｇＯ・γＣａＯ・δＴｉＯ_２（ただし、３≦ｘ≦４）で表したとき、モル比α，β，γ，δが、0.216＜α＜0.385，0.064＜β＜0.146，0.181＜γ＜0.312，0.321＜δ＜0.386、かつα＋β＋γ＋δ＝１を満足し、前記組成式の成分100質量％に対してアルミニウムを酸化物換算で６質量％以下（０質量％を除く
）含む誘電体セラミックスである。この誘電体セラミックスは、比誘電率εｒが40前後において、Ｑ値が30000以上であり、共振周波数の温度係数τｆの絶対値が10ｐｐｍ／℃以
下であり、高温域および低温域の共振周波数の温度係数τｆの値の差が２ｐｐｍ／℃以下である。 （もっと読む）

【課題】薄膜キャパシタにおける諸特性低下の原因となるヒロックを抑制し、リーク電流特性及び絶縁耐圧特性に優れた薄膜キャパシタを製造する。
【解決手段】下部電極を形成した後、３００℃よりも高い温度のアニール処理を行わずに組成物を下部電極上に塗布し、乾燥は室温〜５００℃の範囲内の所定の温度で行い、焼成は乾燥温度よりも高い５００〜８００℃の範囲内の所定の温度で行い、塗布から焼成までの工程は塗布から焼成までの工程を１回又は２回以上行うか或いは塗布から乾燥までの工程を２回以上行った後、焼成を１回行い、初回の焼成後に形成される誘電体薄膜の厚さは２０〜６００ｎｍにすることを特徴とする。下部電極の厚さと初回の焼成後に形成される誘電体薄膜の厚さの比（下部電極の厚さ／誘電体薄膜の厚さ）は０．１０〜１５．０の範囲とするのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高容量でインピーダンス及びインダクタンスが小さく信頼性の高いキャパシタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】金属箔上に、エアロゾルデポジション法により、チタン酸バリウム系セラミックス材料の誘電体膜を形成し、誘電体膜に、金属箔に接続された第１のビア導体及び第２のビア導体を埋め込み、誘電体膜上に、第１のビア導体に接続された第１の電極パターンを形成し、金属箔をパターニングし、第２のビア導体に接続された第２の電極パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】無焼結ＭＩＭキャパシタ及びその製造方法を開示する。
【解決手段】本発明に係るＭＩＭキャパシタ製造方法は、下部金属―絶縁体―上部金属を製造し、前記絶縁体は、スモールパウダーと、前記スモールパウダーより大きい平均粒径を有するラージパウダーとを含む高誘電性セラミックパウダー、高分子樹脂及び溶媒を含むセラミック―高分子組成物を用意し、前記セラミック―高分子組成物を前記下部金属上に塗布してセラミック―高分子膜を形成し、前記形成されたセラミック―高分子膜内の高分子樹脂を硬化させることを含んで無焼結方式で形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上に｛１００｝配向性のABO₃型ペロブスカイト型酸化物からなる誘電層を有し、インクジェットヘッド用の圧電体等に好適に用いることのできる誘電体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板５上に、（１１１）配向性の金属自然配向膜３６と、金属自然配向膜３６上に該金属自然配向膜３６に接して設けられた、｛１００｝配向性のＬａがＡサイトに入ったABO₃型ペロブスカイト型酸化物からなる第１の下部電極３１と、第１の下部電極３１上に該第１の下部電極３１に接して設けられた、｛１００｝配向性の（Ｓｒ_x，Ｃａ_y，Ｂａ_z）ＲｕＯ₃（但しｘ＋ｙ＋ｚ＝１）系ABO₃型ペロブスカイト型酸化物からなる第２の下部電極３２と、第２の下部電極３２上に該第２の下部電極３２に接して設けられた、｛１００｝配向性のABO₃型ペロブスカイト型酸化物からなる誘電層７と、該誘電層上に設けられた上部電極８とを設けて誘電体を構成する。 （もっと読む）

【課題】基板内蔵用部品及びその製造方法並びに部品が内蔵された配線基板を提供する。
【解決手段】一面及び対面を有し、セラミックを主体とする部品基体と、部品基体の一面及び対面のうちの少なくとも一方に配設された表面電極１５０と、を備え、表面電極は、部品基体の一面及び対面のうちの少なくとも一方に設けられた内側層１５０ａと、内側層の外表面に設けられた中間層１５０ｂと、中間層の外表面に設けられた被覆層１５０ｃとを有し、内側層はセラミックと同組成の電極用セラミックとニッケルとを含有し、中間層はニッケルを含有し、被覆層は銅を含有する基板内蔵用部品及びその製造方法並びにこの部品を内蔵する配線基板。 （もっと読む）

【課題】基板内形成のための加熱制限があってもキャパシタ誘電体膜において高い比誘電率を得る。
【解決手段】基板内部の基板樹脂層３にキャパシタ１０を埋め込んで形成する。その形成工程では、下部電極１１を形成し、基板樹脂層３の耐熱温度以下、室温以上で結晶質金属酸化物を含むキャパシタ誘電体膜１２を形成し、その上面で下部電極１１と対向する上部電極１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】外部電極内部や外部電極と樹脂絶縁層間での剥離が起こりにくいため信頼性が高く、かつ低抵抗な外部電極を備えた配線基板内蔵用部品を提供すること。
【解決手段】本発明の部品１０１における外部電極１１１，１１２は、ニッケルを含むメタライズ金属層１５１の表面上に銅からなる被覆層１５２を形成した構造を有する。被覆層１５２の深部に存在する銅粒子１５６の平均粒径が、メタライズ金属層１５１を構成する無機材料粒子１５４の平均粒径よりも小さい。被覆層１５２の浅部に存在する銅粒子１５７の平均粒径は、深部に存在する銅粒子１５６の平均粒径よりも大きくかつメタライズ金属層１５１を構成する無機材料粒子１５４の平均粒径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】内部でのクラックや剥離の発生が抑制された薄膜コンデンサを提供する。
【解決手段】本実施形態に係る薄膜コンデンサ１００では、Ｎｉを主成分とする内部電極３，５，７，９が積層方向に貫通する貫通孔Ｈを有すると共に、この貫通孔Ｈの少なくとも一部の面積が０．１９〜７．０μｍ^２であって、且つ主面に対する貫通孔Ｈの面積の割合が０．０５〜５％の範囲である内部電極３，５，７，９の主面全体の面積に対する貫通孔Ｈの面積が上記の範囲であることによって、内部電極３，５，７，９と誘電体層２，４，６，８，１０との界面での剥離やクラックの発生が抑制され、この結果、歩留まりが向上される。 （もっと読む）

【課題】 端子電極の密着層と誘電体層とが直接接触することによる電気特性の劣化を防ぎ、信頼性を高めることができる薄膜コンデンサを提供する。
【解決手段】 薄膜コンデンサ１０は、下地電極１１上に積層された誘電体層１２と、誘電体層１２上に積層された上部電極層１３と、密着層１７ａ、シード層１７ｂ及びめっき層１７ｃを有する端子電極１７と、上部電極層１３と端子電極１７との間に設けられ、上部電極層１３と端子電極１７とを絶縁する配線用樹脂層１４と、配線用樹脂層１４を貫通するよう設けられ、密着層１７ａに接しており、上部電極層１３と端子電極１７とを電気的に接続する配線層１５と、を備え、配線層１５の組成が端子電極１７の密着層１７ａと異なるものであり、配線層１５の誘電体層１２に対する還元力が、密着層１７ａのものより小さい。 （もっと読む）