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Fターム[5E034AA06]の内容

サーミスタ、バリスタ (5,260) | PTCの目的、機能 (309) | オーミック接触 (2)

Fターム[5E034AA06]に分類される特許

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【課題】チップ形正特性サーミスタの対向電極間距離を均一とし、磁器内の電界分布の乱れを抑えるとともに、電極の短絡を防止できる電極構造を提供する。
【解決手段】チタン酸バリウム系半導体からなるチップ形正特性サーミスタにおいて、
該チップ形正特性サーミスタの素子の電極が対向する2面にあり、該電極を3層で形成し、第1層としてオーミック接触するニッケル電極を対向端面の全面に形成し、該対向端面を除く側面にセラミックス系、ガラス系、または樹脂系の絶縁材料を用いて絶縁層を形成し、第2層として上記ニッケル表面を被覆する銀電極を、第3層として上記銀表面を被覆するはんだ電極を形成したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】チップ形正特性サーミスタの対向電極間距離を均一とし、磁器内の電界分布の乱れを抑えるとともに、電極の短絡を防止できる電極構造を提供する。
【解決手段】チップ形正特性サーミスタ素子の電極が対向する2面にあり、該電極を3層で形成し、第1層としてオーミック接触するニッケル層を対向端面に形成し、第2層として上記ニッケル層表面を被覆する銀層を、第3層として上記銀層表面を被覆するはんだ層を形成し、かつ、対向する電極間にセラミックス系、ガラス系、または樹脂系の絶縁材料を用いて絶縁層を形成し、サーミスタ素子を被覆したことを特徴とする。 (もっと読む)


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