【課題】 極力少ない半導体化元素を添加し、経時変化が小さく、上記ＰＴＣ特性が実用レベルで満足するＰＴＣサーミスタ用磁器組成物、及びＰＴＣサーミスタを提供する。
【解決手段】 組成式が、(Ba_1-x-yA1 _x A2_y)Ti_z O₃ (但し、A1はLa、Dy、Eu、Gdの一種又は二種以上の元素、A2はY、Ho、Er、Ybの一種又は二種以上の元素)で表され、
前記x、y、ｚが、0.0005≦x≦0.0045、0.0005≦y≦0.0045、1.00<z≦1.05であり、かつｘ＋ｙ≦0.005の範囲に有るＰＴＣサーミスタ用磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】正特性サーミスタ本来の機能に加えて、ダイオードとしての機能をも備える、正特性サーミスタを提供する。
【解決手段】正の温度係数を有するサーミスタ特性を示す半導体セラミックからなるサーミスタ素体２と、サーミスタ素体２の各端部にそれぞれ互いに対向するように形成される第１および第２の電極３および４と、を備える、正特性サーミスタ１において、第１の電極３は、サーミスタ素体２に対してオーミック性を有し、他方、第２の電極４は、サーミスタ素体２に対して非オーミック性を有する。第１および第２の電極３および４間に順方向電圧を印加するときには、通常の正特性サーミスタのような抵抗−温度特性が得られ、逆方向電圧を印加するときには、ダイオードと正特性サーミスタとを合わせたような抵抗−温度特性が得られる。 （もっと読む）

【課題】サーミスタの外部電極と該外部電極に接続されている端子電極との間でスパークが発生することを抑制できるサーミスタ装置を提供することである。
【解決手段】サーミスタ２０と端子電極Ｔ２とを備えているサーミスタ装置。外部電極５２ａは、サーミスタ素体５０の主面に設けられ、かつ、サーミスタ素体５０に対してオーミック接触している。外部電極５４ａは、外部電極５２ａ上に設けられ、かつ、ｙ軸方向から平面視したときに、外部電極５２ａの外縁内に収まっている。端子電極Ｔ２は、接触部２８ｄ及び折り曲げ部２８ｅを含んでいる。接触部２８ｄは、ｙ軸方向から平面視したときに、外部電極５４ａの外縁内に収まっていると共に、外部電極５４ａに接触している。折り曲げ部２８ｅは、接触部２８ｄに接続され、かつ、接触部２８ｄに対して外部電極５４ａから遠ざかる方向に向かって折り曲げられている。 （もっと読む）

【課題】外部電極間でトラッキング現象が発生することを抑制できると共に、サーミスタが本体から容易に脱落することを抑制できるサーミスタ装置を提供することである。
【解決手段】サーミスタ装置は、サーミスタ２２、支持部７６及び端子電極Ｔ２，Ｔ４を備えている。サーミスタ２２は、サーミスタ素体６０及び外部電極６２ａ，６２ｂを含んでいる。サーミスタ素体２２は、互いに対向している端面を有している。外部電極６２ａ，６２ｂは、サーミスタ素体６０の両端面のそれぞれに設けられている。端子電極Ｔ２，Ｔ４はそれぞれ、外部電極６２ａ，６２ｂに圧接している。支持部７６は、端面間を繋ぐ側面に対して接触している。 （もっと読む）

【課題】パッケージ封入型サーミスタの熱伝導を抑制して、許容動作特性を付与する。
【解決手段】
温度依存性のサーミスタ素子(2)を電気絶縁性のパッケージ(1)内に配置し、パッケージ(1)内の上間隙(9)、下間隙(7)、周間隙(8)及び上間隙(9)内に保持される各空気層により、発熱するサーミスタ素子(2)からパッケージ(1)を通じ基板に伝導する熱伝達を十分に抑制する。 （もっと読む）

【課題】Pbを使用することなく、キュリー温度を正の方向へシフトすることができ、室温における抵抗率を大幅に低下させた半導体磁器組成物を得る製造方法、及び複雑な熱処理を行うことなく、比較的大きな厚みのある形状の材料においても、材料内部にまで均一な特性を付与することができる半導体磁器組成物の製造方法の提供。
【解決手段】組成式を[(Bi_0.5Na_0.5)_x(Ba_1-yR_y)_1-x]TiO₃(但し、RはLa、Dy、Eu、Gd、Yの少なくとも一種)と表し、前記x、yが、0<x≦0.14、0.002<y≦0.02を満足する半導体磁器組成物の製造方法において、焼結を酸素濃度1%以下の不活性ガス雰囲気で行うことにより、室温における抵抗率を大幅に低下させかつ材料内部にまで均一な特性を付与する。 （もっと読む）

【課題】長時間通電してもサーミスタ特性を損なうことなく抵抗値の経時劣化を抑制できる信頼性の良好な非鉛系の正特性サーミスタを実現する。
【解決手段】正特性サーミスタは、実質的に鉛を含まない非鉛系の半導体セラミックを部品素体１とし、該部品素体１の両端部に外部電極２ａ、２ｂが形成されている。半導体セラミックは、ＢａＴｉＯ_３系組成物を主成分とし、Ｂａの一部が、アルカリ金属及びＢｉで置換されている。半導体セラミックの理論焼結密度に対する実測焼結密度が、７０〜９０％である。半導体セラミックは、前記Ｂａの一部が希土類元素で置換されているのも好ましく、アルカリ金属は、Ｎａ、Ｋ、及びＬｉのうちの少なくとも１種を使用することができる。 （もっと読む）

【課題】高い電界強度下においても良好な特性を示す誘電体磁器組成物、および該誘電体磁器組成物が誘電体層に適用されたセラミック電子部品を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムを、主成分として含有し、チタン酸バリウム１００モルに対して、副成分を５．０モル以上含む誘電体磁器組成物である。副成分は希土類元素の酸化物を有している。誘電体磁器組成物には、誘電体粒子として、コア２１ａと、コアの周囲に存在し、Ｒ元素が固溶しているシェル２１ｂと、からなるコアシェル構造を有するコアシェル構造粒子２１と、Ｒ元素が誘電体粒子全体に固溶している全固溶粒子２２と、が存在しており、誘電体粒子の個数１００％に対して、全固溶粒子２２の個数割合をｘ（％）としたとき、ｘ≧１０である。 （もっと読む）

【課題】 Ｐｂを使用することなく室温抵抗率を低減しながらも優れたジャンプ特性を示し、且つ経時変化を低減したＰＴＣ素子と発熱モジュールを提供する。
【解決手段】 少なくとも２つのオーミック電極と、前記電極の間に配置されたＢａＴｉＯ_３のＢａの一部がＢｉ−Ｎａで置換された半導体磁器組成物とを有するＰＴＣ素子であって、前記半導体磁器組成物が、組成式を［（Ｂｉ-Ｎａ）_ｘ（Ｂａ_{１−ｙ−θ}Ｒ_ｙＡ_θ）_１−ｘ］Ｔｉ_１−ｚＭ_ｚＯ_３（但し、Ｒは希土類元素のうち少なくとも一種、ＡはＣａ、Ｓｒのうち少なくとも一種、ＭはＮｂ、Ｔａ、Ｓｂのうち少なくとも一種）と表し、前記ｘ、ｙ、ｚ、θが、０＜ｘ≦０．３０、０≦ｙ≦０．０２０、０≦ｚ≦０．０１０、０≦θ≦０．２０を満足し、前記電極と半導体磁器組成物の界面において電極のオーミック成分と半導体磁器組成物が接触していない面積の割合が２５％以下としたＰＴＣ素子である。 （もっと読む）

【課題】高抵抗化するのを回避し、信頼性に優れた半導体セラミックを得ることができる半導体セラミックの製造方法、半導体セラミック、及びＰＴＣサーミスタを実現する。
【解決手段】Ｂａ化合物、Ｔｉ化合物、希土類化合物、更にはＣａ化合物又は／及びＳｒ化合物を混合して熱処理し、ＢａＴｉＯ_３系組成物からなる第１の熱処理粉を作製する。また、アルカリ金属Ｍ（例えば、Ｎａ、Ｌｉ）を含有したアルカリ金属化合物、Ｂｉ化合物、Ｂａ化合物、及びＴｉ化合物を混合して熱処理し、一般式（Ｍ，Ｂｉ）_1-xＢａ_ｘＴｉＯ_３（ただし、ｘは０．０２５≦ｘ≦０．１５）で表わされる第２の熱処理粉を作製する。そして、第１の熱処理粉と第２の熱処理粉とを混合して成形加工し、成形体を作製し、焼成し、半導体セラミックを製造する。部品素体１は、この半導体セラミックで形成されている。 （もっと読む）

【課題】高温動作のためのＺｎＯサージ防止素子を提供する。
【解決手段】本ＺｎＯサージ防止素子のＺｎＯ粒子間の粒子境界層は、全粒子境界層の１０〜８５モル％を占めるＢａＴｉＯ₃系正温度係数サーミスタ材料を含有し、動作温度が上昇する時、該粒子境界層の正温度係数サーミスタ材料の抵抗は急激に増加して、該粒子境界層内の別の成分の温度上昇による抵抗減少を補うか又は部分的に補うことで、ＺｎＯサージ防止素子の該粒子境界層の抵抗を温度に依存しないようにする。従って、本ＺｎＯサージ防止素子は最大動作温度が１２５℃より高い、或いは１５０℃を超える動作に適している。 （もっと読む）

【課題】製造コストが低く、優れたＰＴＣ特性と高い信頼性を有するセラミック積層ＰＴＣサーミスタを提供すること。
【解決手段】複数のセラミック層１２と、隣接するセラミック層１２の間に内部電極１４と、を備えるセラミック素体１０、及び、セラミック素体１０の端面１０ａ，１０ｂに外部電極３０、を備えるセラミック積層ＰＴＣサーミスタ１００であって、セラミック素体１０の表面１０ｃ，１０ｄの上にガラス層２０を有し、ガラス層２０は、亜鉛及びビスマスから選ばれる少なくとも一種の元素の酸化物を主成分として含有し、ガラス層におけるアルカリ酸化物の含有量が０．８質量％以下である。 （もっと読む）

【課題】ピンホールを生じること無くガラス層を形成することができるセラミック積層電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係るセラミック積層電子部品の製造方法は、主としてセラミックスからなる焼結した素体の表面にガラス粉体層を形成する工程と、焼成炉内において所定の焼成温度でガラス粉体層を焼成する焼成工程とを有し、焼成工程においては、所定の焼成温度における焼成炉内の圧力を、室温における焼成炉内の圧力の２．２倍以上にして、ガラス粉体層を焼成する。 （もっと読む）

【課題】素体の還元によるＰＴＣ特性の変動を抑制することができる積層型セラミックＰＴＣ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る積層型セラミックＰＴＣ素子１は、主としてセラミックスからなる多孔質の素体２と、素体２の表層に形成された無機コーティング層５とを有し、素体の内部の空隙部に酸化性ガスが封入されているものである。 （もっと読む）

【課題】 ＢａＴｉＯ_３のＢａの一部がＢｉ−Ｎａで置換された半導体磁器組成物に関して、Ｐｂを使用することなく室温抵抗率を低減しながらも優れたジャンプ特性を示し、且つ経時変化を低減したＰＴＣ素子およびこれを用いた発熱モジュールを提供する。
【解決手段】 少なくとも２つの電極と、前記電極の間に配置されたＢａＴｉＯ_３のＢａの一部がＢｉ−Ｎａで置換された半導体磁器組成物とを有するＰＴＣ素子であって、前記半導体磁器組成物は少なくとも2種類の組成物が前記電極の通電方向に積層されてなり、前記電極のうち負極側の電極が配置される組成物のＢｉとＮａのモル比率Ｂｉ／Ｎａが０．７８を越え、１．０以下となし、正極側の電極が配置される組成物のＢｉとＮａのモル比率Ｂｉ／Ｎａが１．０を越え、１．５５以下となしたＰＴＣ素子である。 （もっと読む）

【課題】耐電圧が高く、かつ動作時間を短い積層正特性サーミスタを提供する。
【解決手段】第１及び第２の外部電極のそれぞれに電気的に接続されるように形成されており、少なくともその一部がセラミック層を挟んで互いに重なり合った状態で形成された第１の内部電極及び第２の内部電極と、を有する積層正特性サーミスタであって、第１の内部電極及び前記第２の内部電極との組み合わせが、セラミック素体の厚み方向の最外層側から、順に、第１のグループと、第２のグループと、第３のグループと、からなり、第２のグループでは、第１の内部電極層及び第２の内部電極層により、サーミスタとして機能するサーミスタ有効部が形成され、第１のグループ及び第３のグループでは、第１の内部電極層及び第２の内部電極層のいずれか一方が形成されることで、サーミスタとして機能しないサーミスタ無効部が形成されている。 （もっと読む）

【課題】低い抵抗値及び従来と同等の抵抗温度特性を維持しつつ、かつ、耐電圧を向上することができる積層正特性サーミスタ及び積層正特性サーミスタの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】正の抵抗温度係数を有する半導体セラミック材料からなり、複数の空隙を有する複数のセラミック層が積層されてなるセラミック素体と、セラミック素体の外表面上の互いに異なる位置に形成される第１及び第２の外部電極と、
セラミック素体の内部であって、第１及び第２の外部電極に電気的に接続されるように形成されており、セラミック層を挟んで互いに重なり合った状態で形成された第１の内部電極及び第２の内部電極と、を有し、前記セラミック素体の空隙率が６％以上３５％以下であり、前記空隙に、前記半導体セラミック材料とオーミック接触を有しない金属材料が存在しており、前記金属材料の前記空隙に対する存在比率が０．２ｖｏｌ％以上４０ｖｏｌ％以下であることを特徴とする請求項１に記載の積層正特性サーミスタ。 （もっと読む）

【課題】ベース筒部を有する内側ケースと、ベース筒部の外周面に配置される複数のＰＴＣ素子と、複数の電極部が共通に接続される環状の集合部に端子部の一端が接続される通電部材７５と、電極部７５ａを内周面で保持する筒状の外側ケース７６とを備えるガスの加熱装置において、部品点数および組付け工数を少なくして組立可能とする。
【解決手段】端子部７５ｃおよび位置決めピン７５ｄを外側ケース７６の鍔部７６ａに設けられる挿通孔８１，８２に挿通せしめるようにして通電部材７５が内側ケース７５に位置決め保持された状態で、鍔部を７６ａを含む外側ケース７６の外面側が合成樹脂から成るモールド部８５Ａで覆われ、少なくとも通電部材７５、外側ケース７６およびモールド部８５Ａから成る通電部側集合体７７Ａに、ベース筒部の外周面にＰＴＣ素子を配置した状態にある内側ケースが嵌合される。 （もっと読む）

【課題】信頼性を損なわずにモータの小型化を図る技術を提供する。
【解決手段】ＰＴＣ４０は、正の温度係数を持つ抵抗体素子６３と、抵抗体素子の一方の面に設けられた第１の電極６５と、抵抗体素子の他方の面に設けられた第２の電極６４と、を備える。第１の電極６５は、第２の電極６４より厚い。この態様によると、第１の電極６５と第２の電極６４の厚みが互いに異なるため、両電極全体の容積を変えずに第１の電極６５と第２の電極６４の厚みを同じにした場合と比べて、より大きな熱流量を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】還元性雰囲気または中性雰囲気による特性劣化を防止でき、かつ一定レベル以上の耐電圧を保ちながら比抵抗が十分に小さい正特性サーミスタ磁器組成物を提供する。
【解決手段】正特性サーミスタ磁器組成物は、組成式が（Ｂａ_ｘＳｒ_ｙＣａ_ｚＰｂ_ｓＰｒ_ｔＳｍ_ｕ）Ｔｉ_ｖＯ_３(但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｓ＋t＋ｕ＝１、０．４１５≦ｘ≦０．８０５、０．０２≦ｙ≦０．３０、０．０５≦ｚ≦０．２０、０．０１≦ｓ≦０．２４、０．００２≦ｔ≦０．００４、０．００２≦ｕ≦０．００４、０．９７≦ｖ≦１．０５、ｔ／ｕ＝０．７４〜１．２５)で表される固溶体と、固溶体に対する重量が０．００１〜０．０３ｗｔ％のＭｎと、固溶体に対する重量が０．０９〜１．０ｗｔ％のＳｉとを含む。 （もっと読む）