説明

Fターム[5E034BC00]の内容

サーミスタ、バリスタ (5,260) | NTCの抵抗材料・組成 (181)

Fターム[5E034BC00]の下位に属するFターム

金属酸化物系 (148)
有機物系 (11)
SiC系 (3)
硫化物系
出発原料 (12)
粒径 (1)
結合剤 (1)
その他抵抗材料 (4)

Fターム[5E034BC00]に分類される特許

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ここに記載されているのは、半導体素子およびこのような半導体素子を作製する方法であり、ここでこの半導体素子は、温度に大きく依存する抵抗特性を有する。この抵抗特性は、この半導体素子の独特の多層構造によって得られる。ここでは1つの層を構成して、例えば、nドーピングされた領域に複数のpドーピングされた領域が設けられるようし、これらの領域の一方の側をメタライゼーション層によって短絡する。この半導体素子は、例えば電流ピークを低減するために使用することができ、この場合にこの半導体素子は導体に組み込まれる。この半導体素子は冷たい状態では高い抵抗を有する。この高い抵抗は、電流が流れることによって半導体素子が暖まった後は格段に小さくなる。
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