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Fターム[5E034DC01]の内容

Fターム[5E034DC01]に分類される特許

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【課題】サーミスタの取付構造において取付作業を簡素化する。
【解決手段】単電池群10には、複数の単電池11の並び方向に沿って配置されるとともに、単電池11の並び方向に延びて配される導電路32が形成された本体部31を有するフレキシブルプリント基板30が配される。フレキシブルプリント基板30には、導電路32Aの一方の端末から連なり、隣り合う単電池11の間に導入される導入線部34と、導入線部34に実装されたサーミスタ35とを備える導入片33が、本体部31と一体的に設けられている。本発明のサーミスタ35の取付構造においては、導入片33を隣り合う単電池11の間に挿入することにより、サーミスタ35が単電池群10に取り付けられる。 (もっと読む)


【課題】 極力少ない半導体化元素を添加し、経時変化が小さく、上記PTC特性が実用レベルで満足するPTCサーミスタ用磁器組成物、及びPTCサーミスタを提供する。
【解決手段】 組成式が、(Ba1-x-yA1 x A2y)Tiz O3 (但し、A1はLa、Dy、Eu、Gdの一種又は二種以上の元素、A2はY、Ho、Er、Ybの一種又は二種以上の元素)で表され、
前記x、y、zが、0.0005≦x≦0.0045、0.0005≦y≦0.0045、1.00<z≦1.05であり、かつx+y≦0.005の範囲に有るPTCサーミスタ用磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】正特性サーミスタ本来の機能に加えて、ダイオードとしての機能をも備える、正特性サーミスタを提供する。
【解決手段】正の温度係数を有するサーミスタ特性を示す半導体セラミックからなるサーミスタ素体2と、サーミスタ素体2の各端部にそれぞれ互いに対向するように形成される第1および第2の電極3および4と、を備える、正特性サーミスタ1において、第1の電極3は、サーミスタ素体2に対してオーミック性を有し、他方、第2の電極4は、サーミスタ素体2に対して非オーミック性を有する。第1および第2の電極3および4間に順方向電圧を印加するときには、通常の正特性サーミスタのような抵抗−温度特性が得られ、逆方向電圧を印加するときには、ダイオードと正特性サーミスタとを合わせたような抵抗−温度特性が得られる。 (もっと読む)


【課題】LEDパッケージの小型化を達成し、高電圧のLED素子にも対応することが出来る手段を提供する。
【解決手段】バリスタのグリーンシートを70〜250μmの厚みで準備する第一の工程と、前記グリーンシートを焼成して50〜200μmの厚みのバリスタ素体を形成する第二の工程と、前記バリスタ素体をそのまま使用して、その表裏面に外部電極を形成する第三の工程と、前記外部電極を形成した外部電極付バリスタ素体を、その全表裏面が外部電極で被覆されているようにカットする第四の工程と、を含むチップバリスタの製造方法によって得られる、バリスタ素体と外部電極のみからなる小型のチップバリスタをLEDパッケージに搭載する。チップバリスタの厚みは50〜200μm、長さ及び幅は100〜300μmである。
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【課題】パッケージ封入型サーミスタの熱伝導を抑制して、許容動作特性を付与する。
【解決手段】
温度依存性のサーミスタ素子(2)を電気絶縁性のパッケージ(1)内に配置し、パッケージ(1)内の上間隙(9)、下間隙(7)、周間隙(8)及び上間隙(9)内に保持される各空気層により、発熱するサーミスタ素子(2)からパッケージ(1)を通じ基板に伝導する熱伝達を十分に抑制する。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成で、機能膜とセラミック基板との密着性が良く、製造も容易でありコストも掛からない電圧非直線性抵抗素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板14上に、酸化亜鉛を主成分とし、酸化プラセオジム等の希土類酸化物を含む添加物から成る機能膜12を備える。絶縁基板14の表面と機能膜12との境界14aの機能膜12中に、希土類酸化物の酸化プラセオジム化合物層22を有する。機能膜12は、希土類酸化物に、酸化コバルト、酸化マンガン、酸化ニッケル、酸化クロムのうち少なくとも1種類から成る添加物Xを、下記のmol%及び質量比の範囲で含み、ガラス成分を有しない。
80.0mol%≦a≦99.0mol%、1.0mol%≦b≦20.0mol%、0.01≦P/X≦3.5
a:酸化亜鉛、b:希土類酸化物と添加物Xの混合物、P:希土類酸化物、X:添加物X (もっと読む)


【課題】電圧非直線特性を良好に維持しつつ、低静電容量化を確実に図ることが可能なバリスタを提供すること。
【解決手段】積層チップバリスタ1は、電圧非直線特性を発現する半導体セラミックからなるバリスタ素体3と、バリスタ素体3の一部の領域を挟むようにバリスタ素体3内に配置された複数の内部電極21,23と、バリスタ素体3の表面に配置されると共に、対応する内部電極21,23に接続された複数の外部電極4,5と、を備えている。外部電極4,5は、バリスタ素体3の表面にアルカリ金属を含む導電性ペーストCP1を付与して焼き付けることにより形成された第一電極層4a,5aを有している。バリスタ素体3は、導電性ペーストCP1に含まれるアルカリ金属がバリスタ素体3の表面と第一電極層4a,5aとの界面からバリスタ素体3内に拡散することにより形成された高抵抗領域31を有している。 (もっと読む)


【課題】内部電極の露出部にめっき膜を析出させるにあたって、より確実なめっき成長を実現するため、いずれの内部電極も存在しない外層部にダミー導体を形成したとき、積層セラミック電子部品の信頼性、たとえばBDVが低下することがあった。
【解決手段】高さ方向に沿って2枚以上の外層ダミー導体7を所定間隔で連続的に配置することにより、複数の外層ダミー群31を形成する。外層ダミー群31内における外層ダミー導体7同士の間隔をd、外層ダミー群31同士の間隔をg、としたとき、gがdより大きくなるようにする。これによって、めっき析出ポイントを確保しつつ、外層ダミー群31同士の間隔を遠ざけることにより、外層ダミー導体7による内部電極3,4の押圧を緩和することができ、局所的に内部電極間距離が短くなることを防止でき、BDVの低下を防止できる。 (もっと読む)


【課題】 表面実装用としてランドに接合して用いられるに当たって、応力に対して高い信頼性を維持することができるサーミスタ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に備えた感熱層および前記感熱層に接続した一対の引き出し電極を覆うガラス保護層を備え、前記ガラス保護層の周縁部の適宜位置に、前記引き出し電極にそれぞれ接続するように一対の接続用電極を備えたサーミスタ素子であって、前記ガラス保護層は、前記感熱層および前記感熱層の周囲であって前記基板の外周縁付近まで覆うように備えられ、前記引き出し電極と前記接続用電極を接続するための一対の穴を有した構成となっている。 (もっと読む)


【課題】非直線抵抗特性、エネルギ耐量特性および高温下での温度特性に優れた電流−電圧非直線抵抗体を提供する。
【解決手段】電流−電圧非直線抵抗体10は、酸化亜鉛を主成分とし、副成分として、酸化ビスマス、酸化アンチモン、酸化マンガン、酸化コバルトおよび酸化ニッケルを含んだ混合物の焼結体20を備える。混合物における酸化ビスマス粒子および酸化アンチモン粒子の平均粒径が1000nm以下であり、焼結体中の酸化亜鉛結晶粒子の粒度分布に基づく標準偏差が酸化亜鉛結晶粒子の平均粒径の25%未満である。 (もっと読む)


【課題】フラックスが付着しても抵抗値が減少しにくく、所望の特性が得られるチップPTCサーミスタを提供する。
【解決手段】チップPTCサーミスタ1は、直方体状のセラミック素体2と、セラミック素体2の端面5、6に形成されている第1の外部電極13、14と、第1の外部電極13、14の表面と、セラミック素体2の側面3、4の一部と、を覆うように形成されている第2の外部電極15、16と、を備え、セラミック素体2は、端面5、6とそれぞれ接する2つの外側領域2b、2cと、2つの外側領域2b、2cに挟まれている内側領域2aと、を有し、外側領域2b、2cの抵抗率が内側領域2aの抵抗率よりも高いことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】特性許容誤差を低くするPTCサーミスタ部品とその製造方法を提供する。
【解決手段】ベース本体1と、それぞれ前記ベース本体1の端面上に配置された第1の導電層と第2の導電層とを有する。第1の導電層は空乏層を破壊するバリア層21、22である。ベースの周面は第1の導電層がなく、第2の導電層はベースの各端面上に配置されたキャップ31、32を形成する。さらに、前記第1の導電層は、部品領域の分割前に基板の主要面上にスパッタを通じて生成される。キャップの形状をした第2の導電層は、分割された部品領域の端面上に、浸漬過程で生成される。 (もっと読む)


【課題】長時間通電してもサーミスタ特性を損なうことなく抵抗値の経時劣化を抑制できる信頼性の良好な非鉛系の正特性サーミスタを実現する。
【解決手段】正特性サーミスタは、実質的に鉛を含まない非鉛系の半導体セラミックを部品素体1とし、該部品素体1の両端部に外部電極2a、2bが形成されている。半導体セラミックは、BaTiO系組成物を主成分とし、Baの一部が、アルカリ金属及びBiで置換されている。半導体セラミックの理論焼結密度に対する実測焼結密度が、70〜90%である。半導体セラミックは、前記Baの一部が希土類元素で置換されているのも好ましく、アルカリ金属は、Na、K、及びLiのうちの少なくとも1種を使用することができる。 (もっと読む)


【課題】複雑な製造工程を必要とせずに低抵抗および高耐電圧を高水準で両立可能な積層型PTCサーミスタを提供すること。
【解決手段】半導体セラミック層2と内部電極層3とが交互に積層されている素子本体10と、内部電極層3と電気的に接続され、素子本体10の相互に向き合う両端面10dにそれぞれ設けられている外部端子電極4と、を備える積層型PTCサーミスタである。素子本体10の側面にはガラス膜5が形成され、かつ素子本体10の実装基板側の少なくとも1つの側面10bに放熱用端子電極6が設けられている。 (もっと読む)


【課題】大型でも、高性能で高品質で、実装状態で高い信頼性を確保することのできるチップ部品を提供する。
【解決手段】誘電体素子11と、該誘電体素子の内部に設けた内部電極11aと、該内部電極と電気的に接続した外部電極層15とを備え、誘電体素子11と外部電極層15の間に誘電体素子11の全面を覆うガラス層12を有し、外部電極層15は、金属成分を含む下地電極13と、樹脂電極14とからなり、樹脂電極14は、下地電極13を覆い、かつ誘電体素子11にガラス層12を介して接合する。ガラス層12は、結晶化ガラスからなることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】端子電極とセラミック素体との接着性及び端子電極のめっき性に優れたセラミック電子部品を提供すること。
【解決手段】バリスタ素体20と、バリスタ素体20の表面20aに形成された端子電極10と、を備えるセラミック電子部品100であって、端子電極10が、金属3及びガラス成分1を含有し、バリスタ素体20及び端子電極10を横断する断面において、バリスタ素体20と端子電極10との境界線上に存在するガラス溜まり1aの割合が、境界線全体に対して0〜30%であり、端子電極10の表面に存在するガラス成分1の面積の割合が、端子電極10の表面の面積に対して0〜50%である。 (もっと読む)


【課題】表面実装可能な電気回路保護デバイスを提供する。
【解決手段】表面実装可能な電気回路保護デバイス(10)は第1のポリマー正温度係数(PPTC)抵抗要素(16)、第2のPPTC抵抗要素(18)、および第1および第2のPPTC要素の間に熱的に接触して配置されたプレーナツェナーダイオードチップなどの少なくとも1つの発熱電気部品(20)を規定する層を含み、これにより、閾値より大きい電流が部品に流れて部品を加熱し、この熱がPPTC抵抗要素に伝導されて、第1または第2のPPTC要素の少なくとも1つ、好ましくは双方が高抵抗状態にトリップするようになっている。エッジに形成された一連のターミナル電極(22、24、26)により、第1および第2のPPTC要素および電気部品をプリント回路基板などの電気回路基板に表面実装接続することが可能になる。また、このデバイスを製造する方法も開示される。 (もっと読む)


【課題】抵抗値の調整を容易に行うことができるチップサーミスタを提供すること。
【解決手段】チップサーミスタ1は、金属酸化物を主成分とするセラミックスからなるサーミスタ部7と、金属とガラス成分とを含み且つサーミスタ部7を挟むようにサーミスタ部7の両側に配置されてサーミスタ部7と接続されている一対の導体部9と、を備えている。サーミスタ部7と一対の導体部9とは、一対の導体部9の対向方向に直交する断面形状が一対の導体部9の対向方向にわたって同じである。 (もっと読む)


【課題】内部電極を備えることなく、ESD耐量を良好に維持しつつ、静電容量にばらつきが生じるのを抑制することが可能なチップバリスタを提供すること。
【解決手段】チップバリスタ1は、複数の端子電極5と、バリスタ部7と、複数の導電部9と、を備えている。バリスタ部7は、ZnOを主成分とする焼結体からなり、電圧非直線特性を発現する。複数の導電部9は、バリスタ部7を挟んで配置され、バリスタ部7に接続される主面9aと主面9aに対向する主面9bとをそれぞれ有する。複数の端子電極5は、複数の導電部9の主面9bに接続される。 (もっと読む)


【課題】内部電極を備えることなく、ESD耐量を良好に維持しつつ、低静電容量化を図ることが可能なチップバリスタを提供すること。
【解決手段】素体3は、バリスタ部7と、一対の端面の対向方向に直交する方向にバリスタ部7を挟んで位置される支持部9と、を有している。バリスタ部7は、ZnOを主成分とする焼結体からなり、端子電極に接続されるように一対の端面間にわたって延び、電圧非直線特性を発現する。支持部9は、ZnOを主成分とする焼結体からなり、端子電極に接続されるように一対の端面間にわたって延びている。バリスタ部7は、アルカリ金属、Ag、及びCuからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素が存在する第一領域8aと、一対の端面間にわたって延びる且つアルカリ金属、Ag、及びCuからなる群より選ばれる元素が存在しない第二領域8bと、を含んでいる。 (もっと読む)


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