【課題】正特性サーミスタ本来の機能に加えて、ダイオードとしての機能をも備える、正特性サーミスタを提供する。
【解決手段】正の温度係数を有するサーミスタ特性を示す半導体セラミックからなるサーミスタ素体２と、サーミスタ素体２の各端部にそれぞれ互いに対向するように形成される第１および第２の電極３および４と、を備える、正特性サーミスタ１において、第１の電極３は、サーミスタ素体２に対してオーミック性を有し、他方、第２の電極４は、サーミスタ素体２に対して非オーミック性を有する。第１および第２の電極３および４間に順方向電圧を印加するときには、通常の正特性サーミスタのような抵抗−温度特性が得られ、逆方向電圧を印加するときには、ダイオードと正特性サーミスタとを合わせたような抵抗−温度特性が得られる。 （もっと読む）

【課題】内部電極を備えることなく、ＥＳＤ耐量を良好に維持することが可能なチップバリスタを提供すること。
【解決手段】バリスタ部７は、ＺｎＯを主成分とする焼結体からなり、電圧非直線特性を発現する。複数の第一導電部９は、ＺｎＯを主成分とする焼結体からなると共にバリスタ部７を挟んで配置され、バリスタ部７に接続される主面９ａと主面９ａに対向する主面９ｂとをそれぞれ有している。複数の端子電極５は、対応する第一導電部９にそれぞれ接続されている。各端子電極５は、主面９ｂに接続される第一電極部分５ａと、第一電極部分５ａに接続される第二電極部分５ｂと、を有している。 （もっと読む）

【課題】内部電極を備えることなく、ＥＳＤ耐量を良好に維持することが可能なチップバリスタを提供すること。
【解決手段】チップバリスタ１は、第一バリスタ部７と、複数の端子電極５と、を備えている。第一バリスタ部７は、ＺｎＯを主成分とする焼結体からなり、電圧非直線特性を発現すると共に、互いに対向する一対の主面７ａ，７ｂを有している。複数の端子電極５は、第一バリスタ部７に接続されている。各端子電極５は、各主面７ａ，７ｂに接続される第一電極部分５ａと、第一電極部分５ａに接続される第二電極部分５ｂと、を有している。 （もっと読む）

【課題】電気的接続を確実に行うことが可能なバリスタを提供すること。
【解決手段】バリスタ１は、電圧非直線特性を発現すると共に、対向する第１及び第２の主面１０ａ，１０ｂを有するバリスタ素体１０と、バリスタ素体１０の一部を挟み込むようにバリスタ素体１０内に配置され、第１及び第２の主面１０ａ，１０ｂの対向方向に対向する第１及び第２の内部電極３０，３５と、第１の主面１０ａに配置される第１の外部電極２０と、第２の主面１０ｂに配置される第２の外部電極２５と、第１の内部電極３０と第１の外部電極２０とを電気的に接続する第１の導体部４０と、第２の内部電極３５と第２の外部電極２５とを電気的に接続する第２の導体部４５とを備えている。第１の外部電極２０は、第１及び第２の主面１０ａ，１０ｂの対向方向に凹む凹部５０を有している。 （もっと読む）

【課題】内部電極を備えることなく、ＥＳＤ耐量を良好に維持しつつ、低静電容量化を図ることが可能なチップバリスタを提供すること。
【解決手段】素体３は、バリスタ部７と支持部９とを有している。バリスタ部７は、ＺｎＯを主成分とし且つ副成分として希土類金属及びＣｏが含有する焼結体からなり、端子電極５に接続されるように素体３の一対の端面３ａ，３ｂ間にわたって延び、電圧非直線特性を発現する。支持部９は、ＺｎＯを主成分とし且つ副成分としてＳｒ、Ｚｒ、及びＣｏを含有する焼結体からなり、端子電極５に接続されるように素体３の一対の端面３ａ，３ｂ間にわたって延びている。バリスタ部７と支持部９とは、素体３の一対の端面３ａ，３ｂ間にわたって延び且つ互いに接続される主面７ａ，７ｂ，９ａ，９ｂを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】サーミスタの機械的な強度を向上し、且つ、サーミスタの反りの発生を防止することで、製品の信頼性を向上させることが可能なサーミスタ、を提供することを目的とする。
【解決手段】薄膜サーミスタ１は、基板２と、基板２上に配置されたサーミスタ膜５とを備え、基板２は、該基板２の最大厚さΔＴ３よりも薄い肉薄部分ＴＨ１を有し、サーミスタ膜５は、凹部５２が形成されたもの、又はサーミスタ膜５の一部が除去されて孔部５２が形成されたものである。これにより、薄膜サーミスタ１の素子としての強度が向上し、膜の応力によって発生する薄膜サーミスタ１の反りを防止する。 （もっと読む）

【課題】ＣＴＲ素子を構成するために有利に用いられる、ＡサイトにおいてＲとＢａとが整列した構造を有する酸化物導電体を能率的に製造できる方法を提供する。
【解決手段】ＣＴＲ素子１に備える素子本体２を構成する、Ａサイト整列構造を有する、酸化物導電体を製造するため、Ｒ（ＲはＮｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、ＥｒおよびＹの少なくとも１種）、ＢａおよびＭｎを含み、これらを化学式ＲＢａＭｎ_２Ｏ_６で示される主成分組成が得られるように秤量して、出発原料を用意し、出発原料を仮焼することによって、仮焼粉を得、仮焼粉を所定の形状に成形することによって、成形体を得、成形体を本焼成することによって、焼結体を得、焼結体を再酸化処理する。そして、本焼成を、酸素分圧１×１０^−６ＭＰａ〜５×１０^−１２ＭＰａの条件下で実施する。 （もっと読む）

【課題】電気的特性の変化を抑えつつ、電極部と金属酸化物の焼結体（サーミスタ部）との密着力を向上することができるサーミスタ素子を提供する。
【解決手段】サーミスタ素子１は、温度に応じて抵抗値が変化する板状のサーミスタ部１０と、サーミスタ部１０の両面に形成された電極部２０と、電極部２０に接続されたリード線４０とを有している。そして、サーミスタ部１０には、ペロブスカイト型の結晶構造を有する導電性の金属酸化物と、絶縁性の金属酸化物とが含まれている。また、電極部２０には、Ｐｔ等の導電性の金属と、サーミスタ部１０との密着力を向上させるための共材として、サーミスタ部１０に含まれている絶縁性の金属酸化物が含まれている。 （もっと読む）

【課題】高温での連続使用においても抵抗値にばらつきがなく、信頼性の高い積層型サーミスタ素子を提供すること。
【解決手段】少なくとも一対の内部電極層と、内部電極層の間に挟まれるサーミスタ層とを有する素子本体と、素子本体の表面に形成され、内部電極層と電気的に接続する外部電極層とを有する積層型サーミスタ素子であって、外部電極層は、素子本体の表面に直接に形成される第１外部電極層と、第１外部電極層の表面に形成される第２外部電極層とを有し、第１外部電極層が白金粒子とセラミック粒子とを含み、第２外部電極層が白金粒子で構成され、第１外部電極層における白金粒子とセラミック粒子との合計を１００ｖｏｌ％とした時に、セラミック粒子が３０〜５０ｖｏｌ％であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い雷サージ耐量性能を有する酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛（ＺｎＯ）１００ｍｏｌ％に対して、酸化アンチモン（Ｓｂ₂Ｏ₃）２．５〜５．０ｍｏｌ％と、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）０．０５〜０．１５ｍｏｌ％とを添加し、さらに酸化コバルト（ＣｏＯ）と二酸化マンガン（ＭｎＯ₂）をそれぞれ２．０〜６．０ｍｏｌ％添加してなるバリスタ組成物により酸化亜鉛バリスタを作製する。 （もっと読む）

【課題】優れた電圧非直線性を有する電圧非直線抵抗体を低不良率で提供すること。
【解決手段】酸化亜鉛粒子と、亜鉛及びアンチモンを主成分とするスピネル粒子と、酸化ビスマス相とから主として構成される焼結体からなり、酸化ビスマス相中にカリウム及びナトリウムからなる群から選択される少なくとも１種のアルカリ金属が存在し且つ焼結体における正方晶Ｂｉ₁₆ＣｒＯ₂₇の（１２３）面のＸ線回折ピーク強度（Ａ）に対する立方晶Ｂｉ₃₈ＣｒＯ₆₀の（３２１）面のＸ線回折ピーク強度（Ｂ）の比（Ｂ／Ａ）が０以上０．２４未満の範囲であることを特徴とする電圧非直線抵抗体である。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＤに対する耐性が高く、しかも容易にショートしない積層型セラミック電子部品を提供する。
【解決手段】半導体セラミック層１０と内部電極１２ａ〜１２ｃ，１４ａ〜１４ｃとが交互に積層された素子本体４と、前記素子本体の端部に形成された複数の端子電極６と、を有する積層型セラミック電子部品２であって、前記端子電極６と、該端子電極の極性と異なる極性を有し、最外に配置された内部電極１４ａと、の最短距離をｄ（ｄ１）とし、極性の異なる内部電極間の最短距離をｔ（ｔ１）とすると、前記ｄおよびｔが、ｄ／ｔ≦０．９６である関係を満足する。 （もっと読む）

【課題】 Ｙ_２Ｏ_３を混合して焼結させたペロブスカイト型酸化物において研磨工程を削除して製造コストを低減可能なサーミスタ素子の製造方法及びサーミスタ素子を提供すること。
【解決手段】 焼成により一般式：（１−ｚ）ＡＢＯ_３＋ｚＹ_２Ｏ_３（ただし、ＡＢＯ_３はペロブスカイト型酸化物、０＜ｚ≦０．８）で示される複合酸化物焼結体となるサーミスタ材料であるセラミックス粉体の成型体３に電極ペースト４を塗布する工程と、電極ペースト４が塗布された成型体３を焼成して複合酸化物焼結体１とすると共に焼成により電極ペースト４を焼き付けて電極部５を形成し、該電極部５以外の表面に、絶縁膜であるＹ_２Ｏ_３層Ｙを析出させる工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】サーミスタ素子と外部電極の界面に抵抗を生じないチップ型ＰＴＣサーミスタを提供する。
【解決手段】正の抵抗温度特性を有するＰＴＣサーミスタ素体２に対し、該ＰＴＣサーミスタ素体の互いに背反する第１および第２の端面２ａ、２ｂに各々、第１および第２の外部電極３、４を設けてなるチップ型ＰＴＣサーミスタ１であって、
前記第１および第２の外部電極がそれぞれ、背反方向に向けて積層する複数の電極形成層２１、２２、２３、２４からなり、前記複数の電極形成層のうち、前記ＰＴＣサーミスタ素体の第１および第２の端面に接合される電極形成層が第１電極層としてオーミック接触し、前記第１電極層がＡｇに加えてＺｎを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】素体の表面をガラス層により保護しつつ、内部電極と下地電極との良好な電気的接続を確保することができるセラミック積層電子部品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係るセラミック積層電子部品１は、主としてセラミックスからなる素体２と、素体２の内部に設けられ、かつ素体２の端面から突出した内部電極３と、素体２の端面に形成された第１の下地電極５と、第１の下地電極５及び素体２の表面を被覆するガラス層６と、素体２の端面に相当する部位におけるガラス層６上に形成された第２の下地電極７と、を有し、内部電極３が、第１の下地電極５及びガラス層６を貫通して第２の下地電極７に達している。 （もっと読む）

【課題】 限流素子の故障により発生したアークでもって上部端子電極が溶解・ガス化することを抑制する。
【解決手段】 非直線性の電流電圧特性を有する限流素子１１を一対の端子電極１２，１３間に挟み込んで限流素子１１および端子電極１２，１３を同軸上に配列させて絶縁外被体１５で被覆した避雷装置であって、電線側端子となる一方の端子電極１２と限流素子１１との間に、重金属製のスペーサ１８を介在させる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｂの添加量ができるだけ少なく、高いバリスタ電圧を有し、高い非線形指数を有し、課電劣化特性に優れたＺｎＯバリスタを提供する。
【解決手段】酸化亜鉛９８．８ｍｏｌ％、酸化ビスマス０．５ｍｏｌ％、酸化マンガン０．５ｍｏｌ％、４酸化３コバルト０．２ｍｏｌ％およびアンチモンの水溶性塩２００〜２４００ｐｐｍに、平均粒径５〜１０ｎｍの二酸化ケイ素１００〜１５００ｐｐｍを添加したものを湿式混合し、得られた混合物を仮焼成した後粉砕し、粉砕物を加圧成形し、得られた成形物を本焼成することによってアンチモン添加酸化亜鉛バリスタを製造する。 （もっと読む）

【課題】良好なバリスタ特性を維持しつつ、外部電極や抵抗体のサイズが十分に微細化されたバリスタを容易に製造する方法を提供すること。
【解決手段】バリスタ素体１０の一面１０ａ上に、互いに対向する外部電極３２，３４からなる外部電極対３０を複数形成する工程と、複数の外部電極対３０同士及び外部電極３２と外部電極３４とが連結されるようにバリスタ素体１０の一面１０ａ上に抵抗体を形成する工程と、隣り合う外部電極対３０の間の領域に形成された抵抗体をレーザ光照射により除去して接続体２０を形成する工程とを有する。バリスタ素体１０は、主成分としてＺｎＯ、副成分としてＣａ酸化物とＳｉ酸化物と希土類金属の酸化物とを含み、主成分全体に対してＣａ酸化物をＣａ原子に換算した比率Ｘが２〜８０原子％、Ｓｉ酸化物をＳｉ原子に換算した比率Ｙが１〜４０原子％であり、１≦Ｘ／Ｙ＜３を満たす。 （もっと読む）

【課題】インパルス耐量特性に優れ、且つ特性のバラツキを低減することができる酸化亜鉛積層チップバリスタの製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛と、酸化ビスマスと、酸化アンチモンと、酸化コバルトまたは酸化マンガンと、酸化クロムと、ホウ酸と、二酸化ケイ素と、酸化アルミニウムと、を含むバリスタ原料を準備し、バリスタ原料に分散剤を加えてスラリーを作成し、スラリーを用いてグリーンシートを作成し、グリーンシートを積層してグリーンチップを作成し、グリーンチップを、所定温度まで加熱して焼成する酸化亜鉛積層チップバリスタの製造方法であって、焼成は、400℃/hr以上の昇温速度で、所定温度まで昇温させる。分散剤として、α−オレフィンと無水マレイン酸の共重合体を用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＢａＴｉＯ_３−（Ｂｉ_１/２Ｎａ_１/２）ＴｉＯ_３系材料のジャンプ特性を向上させる。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３のＢａの一部をＢｉ-Ｎａで置換した半導体磁器組成物の製造方法であって、（ＢａＱ）ＴｉＯ_３仮焼粉（Ｑは半導体化元素）を用意する工程、（ＢｉＮａ）ＴｉＯ_３仮焼粉を用意する工程、前記（ＢａＱ）ＴｉＯ_３仮焼粉及び前記（ＢｉＮａ）ＴｉＯ_３仮焼粉を混合する工程、混合した仮焼粉を成形し焼結する工程、得られた焼結体を６００℃以下で熱処理する工程、前記工程で作製した素子を用いたＰＴＣヒータを含む。 （もっと読む）