【課題】熱安定性を確保して特性バランスに優れた記憶素子を実現する。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。その上で、上記層構造の積層方向に電流を流すことで記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われる。記憶層は、少なくともＣｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層を有する。また記憶層に接する中間層と、該中間層とは反対側で記憶層が接する他方の層は、少なくとも記憶層と接する界面が酸化物層とされており、さらに上記他方の層は、酸化物層が、Ｌｉを含むＬｉ系酸化物層とされている。 （もっと読む）

【課題】書き込みエラーを生じることなく、短い時間で書き込み動作を行うことができる記憶素子及び記憶装置を提供する。
【解決手段】情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層１４と、磁化の向きが固定された磁化固定層１２と、上記記憶層１４と上記磁化固定層１２との間に配された非磁性体による中間層１３と、垂直磁気異方性誘起層１５とを含む層構造を有する記憶素子３を構成する。そして、上記記憶層１４が、第１の強磁性層１４ａと第１の結合層１４ｂと第２の強磁性層１４ｃと第２の結合層１４ｄと第３の強磁性層１４ｅとが同順に積層されて、上記第１の強磁性層１４ａが上記中間層１３に接し、上記第３の強磁性層１４ｅが上記垂直磁気異方性誘起層１５に接し、上記結合層１４ｂ，１４ｄを介して隣接する上記強磁性層１４ａ，１４ｃ，１４ｅの磁化の向きが膜面に垂直な方向から傾斜している。 （もっと読む）

【課題】熱安定性を確保して特性バランスに優れた記憶素子を実現する。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。その上で、上記層構造の積層方向に電流を流すことで記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われる。そして記憶層は、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層と、少なくとも１つの非磁性層を有し、酸化物層、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層、非磁性層が順に積層された積層構造が形成されているようにする。 （もっと読む）

【課題】第１の磁性部分と、第２の磁性部分と、第１の磁性部分と第２の磁性部分の間の
バリア層とを有するセンサスタックを含む磁気センサを提供する。
【解決手段】第１の磁性部分及び第２の磁性部分のうち少なくとも一方が、バリア層に隣接する正の磁気ひずみを有する第１の磁性層と、第２の磁性層と、第１の磁性層と第２の磁性層の間の中間層とを有する多層構造を含む。この磁気センサは、その抵抗−面積（ＲＡ）積が約１．０Ω・μｍ^２であるとき、少なくとも約８０％のＭＲ比を有する。 （もっと読む）

【課題】向上した磁気性能および堅牢性を有する磁気読み出しセンサを提供する。
【解決手段】磁気センサは、磁化自由層構造３１０と磁化固定層構造とを含む。磁化固定層構造は、非磁性結合層３１８によって互いに分離させた第１の磁性層３１４および第２の磁性層３１６を含む。磁化固定層構造の第２の磁性層はＣｏＦｅＢＴａの層を含んでおり、この層が原子の拡散を防止し、さらには所望のＢＣＣ結晶粒成長を促進する。磁化自由層構造は、原子拡散をさらに防止し、所望のＢＣＣ粒成長をさらに促進するためのかかるＣｏＦｅＢＴａ層を含むこともできる。 （もっと読む）

【課題】この発明のさまざまな実施例は、第１の強磁性自由層１３８と第２の強磁性自由層１４０との間に配置されたスペーサ層１４２とともに構築されてもよい、磁気応答積層１３２に一般的に向けられる。
【解決手段】少なくとも１つの強磁性自由層は、磁気応答積層の磁気抵抗比（ＭＲ）を向上させる結合サブ層１８６，１９６を有することができる。 （もっと読む）

【課題】室温付近で電圧によりキュリー温度を変化させることができ、かつ大きな磁化、即ち大きな磁界を発生させることが可能な電圧駆動型電磁石を提供する。
【解決手段】鉄、コバルト、ニッケルのうちのいずれか、もしくはこれらのうち少なくとも一つを含む合金からなる強磁性金属薄膜層１２と、前記強磁性金属薄膜層１２の片側に積層された絶縁層２０と、前記絶縁層２０の、前記強磁性金属薄膜層１２とは反対側に設けられたゲート電極３０と、前記強磁性金属薄膜層１２と前記ゲート電極３０の間に電圧を印加する電圧印加部４０とを備える電圧駆動型電磁石を提供する。また、強磁性金属薄膜層１２内の磁化を特定の方向に配向させる下地層１３と、配向させた強磁性金属薄膜層１２内の磁化の方向を維持させるキャップ層１１を備える。 （もっと読む）

【課題】厚さが３５ｎｍ以下でも十分に高い保磁力および角型比を有する磁性のコバルト薄膜を得ることができるコバルト薄膜の形成方法およびこの方法により形成したコバルト薄膜を用いたナノ接合素子を提供する。
【解決手段】ポリエチレンナフタレート基板１１上に真空蒸着法などによりコバルト薄膜１２を３５ｎｍ以下の厚さに成膜する。こうしてポリエチレンナフタレート基板１１上にコバルト薄膜１２を成膜した積層体を二つ用い、これらの二つの積層体をそれらのコバルト薄膜１２のエッジ同士が、必要に応じて有機分子を挟んで、互いに対向するように交差させて接合することによりナノ接合素子を構成する。このナノ接合素子により不揮発性メモリや磁気抵抗効果素子を構成する。ポリエチレンナフタレート基板１１の代わりに、少なくとも一主面がＳｉＯ₂ からなる基板、例えば石英基板を用いてもよい。 （もっと読む）

【解決課題】 磁場書き込み方式ＭＲＡＭ、および、スピン注入磁化反転方式ＭＲＡＭにおいても、書き込みに必要な電流値を小さくすることが可能な強磁性トンネル接合素子を提供する。
【解決手段】 順に、強磁性層を含む複数の層からなる強磁性自由層２と、絶縁層３と、強磁性層を含む複数の層からなる強磁性固定層４とを積層した構造を有し、前記強磁性自由層２が、該強磁性自由層２の飽和磁化を下げる働きを有する添加元素を、前記絶縁層３と接しない側において前記絶縁層３と接する側よりも多く含む強磁性トンネル接合素子１である。 （もっと読む）

【課題】 複数の磁気層および中間層を有するパターン化垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 パターン化垂直磁気記録媒体は、第１および第２の強磁性層（ＭＡＧ１およびＭＡＧ２）を、ＭＡＧ１とＭＡＧ２との間に第１および第２の非磁性中間層（ＩＬ１およびＩＬ２）を備えた状態で有するディスクリートデータアイランドを有する。ＭＡＧ１およびＭＡＧ２は、類似の厚さを有した類似のＣｏＰｔＣｒ合金でもよく、ＩＬ１およびＩＬ２の厚さは、ＭＡＧ１およびＭＡＧ２が強固に交換結合されることを保証する。あるいは、ＭＡＧ２は、「書き込み補助」層、例えば、交換スプリング構造における高飽和磁化の軟磁性材料でもよく、ＩＬ１は非常に薄く、それによってＩＬ２が、ＭＡＧ１と書き込み補助ＭＡＧ２層間とのカップリング層として機能できる。 （もっと読む）

【課題】高熱安定性を有する高速超低消費電力不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】不揮発性磁気メモリに、高い熱安定性をもつ自由層を適用した高出力なトンネル磁気抵抗効果素子を装備し、スピントランスファートルクによる書込み方式を適用する。トンネル磁気抵抗効果素子１は、ＣｏとＦｅとＢを含有する体心立方構造の第一の強磁性膜３０６と第二の強磁性膜３０８と第一の非磁性膜３０７で構成される自由層を持ち、自由層に（１００）配向した岩塩構造のＭｇＯ絶縁膜３０５を介して固定層３０２１を積層した構造を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、磁気減衰自由層を備えたスピントルク発振器（ＳＴＯ）を提供する。
【解決手段】スピントルク発振器（ＳＴＯ）は、発振自由強磁性層の磁気減衰を増加させる。ギルバート磁気減衰パラメータ（α）は、少なくとも０．０５、好ましくは０．０５より大きい。自由層は、任意のタイプの従来の強磁性材料であってもよいが、ドーパントとして１つまたは複数の減衰元素を含む。減衰元素は、Ｐｔ、Ｐｄおよび１５のランタニド元素からなる群から選択される。自由層減衰は、自由層に隣接する減衰層によって増加させてもよい。減衰層の一タイプは、Ｍｎ合金のような反強磁性材料であってもよい。反強磁性減衰層に対する変更例として、二重層減衰層を、反強磁性減衰層と、自由層および反強磁性層間の非磁性金属導電分離層とで形成してもよい。別のタイプの減衰層は、Ｐｔ、Ｐｄおよびランタニドから選択された元素の１つまたは複数で形成された層であってもよい。 （もっと読む）

【課題】高速かつ消費電力が極めて小さい不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】不揮発性磁気メモリに、高出力なトンネル磁気抵抗効果素子を装備し、スピントランスファートルクによる書込み方式を適用する。トンネル磁気抵抗効果素子１は、ＣｏとＦｅとＢを含有する体心立方構造の強磁性膜３０４と、（１００）配向した岩塩構造のＭｇＯ絶縁膜３０５と、強磁性膜３０６とを積層した構造を有する。 （もっと読む）

【課題】高周波のＳＮＲ特性とＳｑｕａｓｈ特性を同時に満足する高記録密度化に対応した磁気記録媒体を提供すること。
【解決手段】本発明の磁気記録媒体は、非磁性基体上に少なくとも軟磁性裏打ち層と、磁気記録層を含む。この磁気記録媒体では、軟磁性裏打ち層は、非磁性基体側の軟磁性層、交換結合制御層、磁気記録層側の軟磁性層からなる積層構造を有するものであり、且つ、前記磁気記録層側の軟磁性層は、前記非磁性基体側の軟磁性層よりも比透磁率の周波数特性（１０ＭＨｚ時の比透磁率に比べて、比透磁率が５０％低下させる周波数）が高く、前記非磁性基体側の軟磁性層が前記磁気記録層側の軟磁性層よりも比透磁率が高いことを特徴とする磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】磁気スタックおよびこのようなスタックを備えたメモリセルを提供すること。
【解決手段】本発明は、平面外磁化を有する磁気スタック（４）に関し、前記スタックは、
−コバルト、鉄およびニッケル、ならびにこれらの材料をベースとする磁気合金の群から選択される１つまたは複数の材料で構成された第１の磁気層（１）と、
−第１の層の材料と共有界面を形成すると界面起源の垂直異方性を与えることができる金属材料で構成された第２の層（２）と
を備え、スタック（４）は、第１の層（１）の上に堆積した第３の層（３）をさらに備え、第２の層（２）が第３の層（３）の上に堆積し、第３の層（３）が、第１の層の材料との１０％未満の混和性を有する金属材料で構成されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】高い強磁性共鳴周波数を有するグラニュラ磁性材料を利用しつつ、強磁性共鳴線幅の増加を抑制し、動作周波数の広い積層磁性薄膜及び磁性部品を提供する。
【解決手段】積層磁性薄膜１０は、絶縁体媒質１４中に磁性粒子１６が分散されたグラニュラ磁性層１２と絶縁層１８とを交互に積層した構造であり、磁性粒子１６には結晶配向を促すＰｄが添加されている。Ｐｄの添加量は、グラニュラ磁性層１２をＣｏＦｅＰｄＳｉＯとし、絶縁層１８をＳｉＯ_２とする積層磁性薄膜１０においては、Ｃｏ−Ｆｅの磁性粒子１６に対し、２０ａｔ％以上とすることが好ましい。グラニュラ磁性層１２と絶縁層１８の積層構造により、磁性粒子１６の粒径の分布を抑制して膜厚方向の磁性粒子１６の間隔を一定に保ち、前記Ｐｄの添加により磁性粒子１６の結晶配向を促して磁化容易軸方向の分散に起因した強磁性共鳴線幅の増加を抑制する。 （もっと読む）

【課題】磁気記録素子のＭＲ比の向上を図る。
【解決手段】実施形態に係わる磁気記録素子は、磁化が可変で磁化容易軸方向が膜面に垂直となる方向の磁気記録層１１と、磁化が膜面に垂直となる方向に固定される磁気固着層１２と、磁気記録層１１と磁気固着層１２との間の非磁性バリア層１３と、磁気記録層１１と非磁性バリア層１３との間の挿入層１４とを備える。挿入層１４は、軟磁性材料、ホイスラー合金、ハーフメタル酸化物、及び、ハーフメタル窒化物のうちの１つを含む。 （もっと読む）

【課題】良好な（００１）配向を有し、かつ、規則度が高いＬ１_０型のＦｅＰｔ合金、もしくはＣｏＰｔ合金からなる磁性層を有する熱アシスト記録媒体が実現し、これを用いたエラーレートの低い磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】基板と、該基板上に形成された複数の下地層と、Ｌ１_０構造を有する合金を主成分とする磁性層からなる磁気記録媒体において、該複数の下地層が、ＮｉＯ下地層と、該ＮｉＯ下地層に（１００）配向をとらせるための配向制御層を含むからなる下地層であることを特徴とする磁気記録媒体を用いる。 （もっと読む）

【課題】積層構造の中にスピネルフェライト薄膜を配置したスピンフィルタ効果素子において、スピネルフェライト薄膜下部の金属電極層の酸化および下部界面の熱拡散を抑制し、上部界面の大気成分による汚染を排除しつつ、（１００）優先配向したスピネルフェライト薄膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板上に（１００）優先配向のスピネルフェライト薄膜を製造する方法であって、前記製造方法は、スパッタリング法でスピネルフェライト薄膜もしくはその前駆体となる薄膜を基板上に形成するスパッタ成膜ステップと、その基板を真空中で加熱する真空加熱ステップとを有することを特徴とするスピネルフェライト薄膜の製造方法。 （もっと読む）