【課題】 高機能な永久磁石材料の製造方法であって、鉄-白金系合金の保磁力を増大させることができ、しかも、増大させる保磁力の大きさや増大させる部位についても容易に制御できる保磁力に優れた鉄-白金系磁性合金の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明では、鉄-白金系磁性合金の製造する際、熱処理を行う前に、鉄-白金系合金にＮイオンビームを照射して窒素原子を直接注入する工程を採用したことにより、従来の反応性スパッタ法よりも窒素元素の添加量を大幅に増やすことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高い強磁性共鳴周波数を有するグラニュラ磁性材料を利用しつつ、強磁性共鳴線幅の増加を抑制し、動作周波数の広い積層磁性薄膜及び磁性部品を提供する。
【解決手段】積層磁性薄膜１０は、絶縁体媒質１４中に磁性粒子１６が分散されたグラニュラ磁性層１２と絶縁層１８とを交互に積層した構造であり、磁性粒子１６には結晶配向を促すＰｄが添加されている。Ｐｄの添加量は、グラニュラ磁性層１２をＣｏＦｅＰｄＳｉＯとし、絶縁層１８をＳｉＯ_２とする積層磁性薄膜１０においては、Ｃｏ−Ｆｅの磁性粒子１６に対し、２０ａｔ％以上とすることが好ましい。グラニュラ磁性層１２と絶縁層１８の積層構造により、磁性粒子１６の粒径の分布を抑制して膜厚方向の磁性粒子１６の間隔を一定に保ち、前記Ｐｄの添加により磁性粒子１６の結晶配向を促して磁化容易軸方向の分散に起因した強磁性共鳴線幅の増加を抑制する。 （もっと読む）

【課題】低磁歪定数、高飽和磁束密度及び良好な表面平滑性を備えたハ−ドディスク装置などに用いられる磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】非磁性基板１上に、少なくとも軟磁性裏打ち層１１、下地層６、中間層７及び磁気記録層８をこの順で有する磁気記録媒体において、軟磁性裏打ち層１１が、少なくとも１層以上のナノ結晶粒子を含まないアモルファス構造を有する軟磁性合金膜３，５を含み、この軟磁性合金膜３，５の磁歪定数λの絶対値が１×１０^−６以下である。 （もっと読む）

【課題】小型かつ薄型でありながら、磁気特性の変化量が大きく、その調整及び調整後の値の保持が容易な磁性薄膜と、その製造方法及び磁気特性制御方法，薄膜磁気デバイスを提供する。
【解決手段】絶縁体基板１２上に形成した磁石層１４の近傍に層間絶縁層１６を介して軟磁性層１８を設け、前記磁石層１４の磁化の制御を、パルス電流発生回路によって発生されたパルス電流の印加により行い、前記軟磁性層１８にかかる磁界を変化させることで、磁気特性を変化させる。パルス電流の印加は、磁化を変化させる時にのみ行う。また、前記パルス電流を流すためのコイル導体層を、前記絶縁体基板１２と磁石層１４の間に形成すれば、薄膜磁気デバイスの小型化・薄型化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】磁気記録層が所定のパターンに加工された磁気記録媒体において、良好な記録再生特性を得る。
【解決手段】磁気記録媒体１０は、垂直磁気記録層５、クロム、チタン、及びシリコンから選択される磁性失活元素を含むＲｕ非磁性下地層２、及び非磁性基板１を含む積層に、磁性失活ガスを用いてガスイオン照射を行なうことにより形成される。ガスイオン照射を行なう前の垂直磁気記録層は、鉄及びコバルトのうち少なくとも１つ、及びプラチナを含有する。ガスイオン照射には、ヘリウム、水素、及びＢ_２Ｈ_６からなる群から選択される少なくとも１種のガスと窒素ガスの混合ガス、あるいは単独の窒素ガスのいずれかを使用する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は高い特性を示すスピントロニクス素子を実現するために、０．６５以上のスピン偏極率を持つＣｏ_２Ｆｅ基ホイスラー合金とそれを用いた高特性スピントロニクス素子を提供することを課題とする。
【解決手段】 Ｃｏ_２Ｆｅ（Ｇａ_ＸＧｅ_Ｘ−１）ホイスラー合金は０．２５＜Ｘ＜０．６０の領域でＰＣＡＲ法により測定したスピン偏極率は０．６５以上の高い値を示す。また１２８８Ｋと高いキュリー点をもつことから、Ｃｏ_２Ｆｅ（Ｇａ_ＸＧｅ_Ｘ−１）ホイスラー合金が実用材料として有望である。実際、Ｃｏ_２Ｆｅ（Ｇａ_ＸＧｅ_Ｘ−１）ホイスラー合金を電極としたＣＰＰ−ＧＭＲ素子は世界最高のＭＲ比を、ＳＴＯ素子では高い出力を、ＮＬＳＶ素子では高いスピン信号を示した。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、垂直磁気記録媒体におけるシード層として用いるＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏ系磁気記録媒体のシード層用合金およびスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍ合金であって、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏの比率がａｔ％で、Ｎｉ：Ｆｅ：Ｃｏ＝９８〜２０：０〜５０：０〜６０、Ｆｅ＋Ｃｏ≧２であり、かつ、Ｍ元素としてＷ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｖ，Ｎｂの１種または２種以上を２〜２０ａｔ％含有することを特徴とする磁気記録媒体のシード層用合金およびスパッタリングターゲット材。 （もっと読む）

【課題】書き込み電流を増大させることなく、熱安定性を改善できる記憶素子の実現。
【解決手段】
記憶素子は、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層１７と、記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層１５と、記憶層と磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層１６とを有する。そして積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層の磁化の向きが変化して情報の記録が行われる。ここで記憶層は、Ｆｅ、Ｃｏの少なくとも一方を含有する合金領域を含む。さらに記憶層は、その磁化反転過程で受ける実効的な反磁界の大きさが、上記記憶層の飽和磁化量よりも小さいものとされている。 （もっと読む）

【課題】電気電子機器やロボットなどの駆動源として利用される微小な回転電気機械のトルクを向上する。
【解決手段】厚さが40μm〜300μmであり、かつ、磁気的に等方性のナノスケール結晶組織を有する磁石膜を作製し、磁石膜に被膜形成能を有する樹脂組成物を付与して樹脂複合磁石膜を作製し、樹脂複合磁石膜を機械的に加工して中実または中空状とした後、前記樹脂膜を溶融し架橋により一体的に剛体化したものを磁化して、回転電気機械の可動子構成要素である積層型樹脂複合磁石膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】 微細なナノ結晶組織を付与したFeあるいはFe濃度の高い合金材料からなる軟磁性金属膜を提供する。
【解決手段】 組成式：Ｆｅ_{１００−ａ}Ｍ_ａ（但し、Ｍ元素はMn,Si,Al,B,Zr,Ti,Crから選択された１種または２種以上の元素であり、ａは原子％で０≦ａ≦１０で、不可避不純物を含む）で表された合金組成で、粒子径が３nm以上１００nm以下の磁気的に等方性のナノ粒子が堆積した軟磁性金属膜。単位重量当たりの飽和磁化は180emu/ｇ以上、保磁力は100A/m以下である。 （もっと読む）

【課題】記録部とガードバンド部の間にできた遷移領域の記録層劣化を改善し、表面平坦化のために充填した非磁性充填層が記録部の記録層上に残らないようにしたパタン型の垂直磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】垂直磁気記録媒体において、記録層の最上層に、パタン構造に追従した垂直磁化連続膜１３２を形成することにより、遷移領域２２やガードバンド部２３の記録層の特性を改善する。また、その製法において、垂直磁化連続膜１３２を非磁性充填層除去の際に一部除去することにより、非磁性充填層１４が記録部２１に残らないようにする。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用ＣｏＦｅＮｉ系合金およびスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 ａｔ％で、（Ｃｏ＋Ｆｅ＋Ｎｉ）：７０〜９２％（ただし、Ｎｉは０を含む）、Ｔａ：１〜８％、Ｂ：７％超〜２０％を含有し、かつ、Ｃｏ／（Ｃｏ＋Ｆｅ＋Ｎｉ）：０．１〜０．９、Ｆｅ／（Ｃｏ＋Ｆｅ＋Ｎｉ）：０．１〜０．６５、Ｎｉ／（Ｃｏ＋Ｆｅ＋Ｎｉ）：０〜０．３５、およびＢ／Ｔａ：１〜８を満たすことを特徴とする垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用ＣｏＦｅＮｉ系合金。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ比のバイアス依存性を改善し、高い再生出力を有する磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】飽和磁化の異なる固定層１３と自由層１５を有し、かつホイスラー合金などの高スピン散乱材料を有する磁気抵抗効果素子において、固定層と自由層のうち飽和磁化が低い方の磁性層から高い磁性層の方に電子が流れるようにバイアス電圧を印加することで、高ＭＲ比と高バイアス耐性を両立し、高い再生出力を実現する。 （もっと読む）

【課題】角型性にすぐれ、ノイズの改善が図られ、安定した磁気特性を有する磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】少なくとも１対の強磁性層の間にトンネルバリア層を挟んだ強磁性トンネル接合を用いた磁気抵抗効果素子であって、強磁性層の一方により構成される磁化自由層が、非晶質もしくは微結晶構造を有する材料の単層、あるいは主な部分が非晶質もしくは微結晶構造を有する材料層からなり、磁化自由層がＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉの強磁性元素のうち少なくとも１種もしく２種以上の成分と、含有量が１０原子％〜３０原子％のＢ，Ｃ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｇａ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｂｉのいずれか１種もしくは２種以上とを含む構成とする。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク装置の更なる高記録密度化に伴い、記録媒体が更に狭トラック化し高保磁力化しても十分な書き込み能力を有する記録ヘッドを提供する。
【解決手段】少なくとも主磁極、ヨーク、リターンポールを含む記録ヘッドを有する薄膜磁気ヘッドであって、主磁極、ヨーク、リターンポールの少なくとも一部の磁性膜が、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅのうち２種類以上の元素を含有し、さらにＳを０.５ｗｔ％−１.０ｗｔ％の組成比で含有する磁性膜であり、結晶粒の膜面に平行な面の格子定数ａと膜面に垂直な面の格子定数ｂの比（ａ／ｂ）が０．９９５以下である、薄膜磁気ヘッドを提供する。本発明の薄膜磁気ヘッドを用いると、薄膜磁気ヘッドの主磁極に使用される磁性膜が薄膜化しても、高Ｂｓを得ることができる。また、記録周波数が高周波数化しても、高μを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】高い磁気抵抗比を有し、かつメモリセルを微細化してもビット情報の高い熱擾乱耐性を確保する。
【解決手段】磁気抵抗素子１０は、ＮａＣｌ構造を有し、かつ（００１）面に配向する窒化物から構成される下地層２３と、下地層２３上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、かつＬ１_０構造を有し、かつ（００１）面に配向する強磁性合金から構成される第１の磁性層１４と、第１の磁性層１４上に設けられた第１の非磁性層１６と、第１の非磁性層１６上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有する第２の磁性層１７とを含む。 （もっと読む）

【課題】低い磁化および低いダンピング定数を合わせ持つ磁性材料を提供する。
【解決手段】Co-Fe-B合金に元素X（CrまたはV）を添加した(Co-Fe)_aX_bB_c (CoとFeの組成比は任意でa=45-80％、b=5-25％、c=15-30％)の組成を持つ磁性材料である。 （もっと読む）

【課題】 特に、従来に比べて、ＲＡや抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の変動を小さく抑え、且つ、層間結合磁界Ｈｉｎを小さくすることが可能なトンネル型磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 第１固定磁性層４ａは、Ｔａで形成された第１挿入層４ａ２が下側強磁性層４ａ１と上側強磁性層４ａ３との間に介在する積層構造で形成されている。前記第１挿入層４ａ２の平均膜厚は３Åよりも大きく６Å以下である。これにより、前記第１挿入層４ａ２を有しない従来と同様のＲＡ及び抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を維持しつつ、層間結合磁界Ｈｉｎを従来よりも低減できる。 （もっと読む）

【課題】Ｃｏ_２ＦｅＳｉよりなるホイスラー合金について、高いＬ２_１規則度を実現するとともに、高いスピン分極率を有するホイスラー合金を提供する。
【解決手段】Ｃｏ_２ＦｅＳｉよりなるホイスラー合金であって、Ｃｏ_２Ｃｒ_ＸＦｅ_１−_ＸＳｉ合金（０＜ｘ£０．２５）を満たすようにＣｒを添加したホイスラー合金。第４元素としてＣｒを添加することにより、Ｌ２_１規則度が比較的低い状態であっても高いスピン分極率を示すＣｏ基ホイスラー合金を見いだしたことによる。 （もっと読む）

【課題】記録層構造中の他の強磁性層における粒間交換結合を仲介するための強磁性粒間交換強化層を含む多層記録層構造を備えた垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】記録層構造は、グラニュラ多結晶コバルト合金及びTa酸化物から成る強磁性層１、グラニュラ多結晶コバルト合金及びSi酸化物から成る強磁性層２、強磁性層２の上部に接して配置された、強磁性層１と強磁性層２における粒間交換結合を仲介するための酸化物を含まずCoCr合金から成るキャッピング層によって構成された多層構造である。或いは、記録層構造は、いずれも粒間交換結合を減少させた、或いは粒間交換結合が無い二層の強磁性層１と強磁性層２とその間に挟まれた粒間交換強化中間層によって構成された多層構造とすることもできる。中間層は強磁性層１と強磁性層２に直接接して設けられているので、強磁性層１と強磁性層２それぞれにおける粒間交換結合を直接仲介することができる。 （もっと読む）