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Fターム[5E049AA10]の内容

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Fターム[5E049AA10]に分類される特許

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【課題】α"Fe16N2などの窒化物膜を生産性よく製造可能な窒化物膜の製造方法及び窒化物膜の製造装置、並びに窒化物膜を提供する。
【解決手段】窒化物膜の製造装置1は、エアロゾル生成部10により原料粉末をエアロゾル化し、エアロゾルをチャンバ100内に高速で射出して基板Bに衝突させ、原料を破砕し、破砕片を基板Bに堆積させて成膜する。製造装置1は、窒素プラズマをエアロゾルに照射するプラズマ生成部20と、生成された窒化物などに磁場を印加する超電導磁石30とを更に具える。窒素プラズマにより、常温でα"Fe16N2などの窒化物を生成可能であり、磁場の印加により、N原子の進入方向を規制してα"Fe16N2などを効率よく生成可能であると共に、破砕片を構成する窒化物を配向させられ、配向性が高い窒化物膜を成膜できる。従って、製造装置1は、α"Fe16N2などの窒化物膜を生産性よく製造できる。 (もっと読む)


【課題】垂直磁気異方性を有するとともにより大きな磁気抵抗効果を発現することが可能な磁気抵抗素子およびこれを用いた磁気メモリを提供する。
【解決手段】下地層と、下地層上に設けられ、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し、MnGa100−x(45≦x<64atm%)である磁性体膜を含む第1の磁性層と、第1の磁性層上に設けられた第1の非磁性層と、第1の非磁性層上に設けられ、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し、MnGa100−y(45≦x<64atm%)である磁性体膜を含む第2の磁性層と、を備え、第1および第2の磁性層のMnの組成比が異なり、第1の非磁性層を介して第1の磁性層と第2の磁性層との間に流れる電流によって、第1の磁性層の磁化方向が可変となる。 (もっと読む)


【課題】Dy等を用いるまでもなく、高保磁力を発現する磁性体を提供する。
【解決手段】本発明の磁性体は、RFe14B結晶粒(R:希土類元素)からなる主相と該結晶粒間に形成された粒界相とからなり、結晶粒は最長幅が500nm以下の角丸形状をしており、粒界相は最小幅が1nm以上であるナノサイズの結晶集合体からなることを特徴とする。この磁性体は、例えば、R−Fe−B非晶質体に拡散材(例えば、R−Cu)を付着させた付着非晶質体を加熱して、RFe14B結晶粒からなる主相とこの結晶粒間に形成される粒界相を並行して形成することにより得られる。本発明によれば、稀少元素であるDy等を粒界に拡散させるまでもなく、非常に高い保磁力の磁性体が得られる。 (もっと読む)


【課題】搬送時にも基板を清浄に保つことができる技術を提供する。
【解決手段】
搬送槽110とゲートバルブ33の間に二重オーリング115b、116bを配置し、二重オーリング115b、116bの間の密閉空間80bに真空排気系339を接続し、密閉空間80bを真空排気する。密閉空間80b内に大気が浸入しても真空排気によって除去されるので搬送槽110内に大気が浸入せず、搬送槽110内を高真空状態に置ける。MR比の大きいトンネル接合磁気抵抗効果素子を作成することができる。 (もっと読む)


【課題】膜面垂直通電(CPP)読み取りセンサの縦バイアス積層構造を提供する。
【解決手段】CPP読み取りセンサの検知層構造を安定化させるための、改良された縦バイアス積層構造を有する読み取りヘッドが提供される。縦バイアス積層構造は、2つの側部領域の各々において、絶縁層によってCPP読み取りセンサから分離され、絶縁層とCPP読み取りセンサとともに、読み取りヘッド内の上側および下側強磁性シールドの間に挟まれる。本発明の好ましい実施形態において、縦バイアス積層構造は主として、Fe−Pt縦バイアス層を含み、シード層を持たないため、絶縁層のみの厚さで、Fe−Pt縦バイアス層とCPP読み取りセンサの間の間隔が決定される。シード層を持たないFe−Pt縦バイアス層は、アニーリング後に良好な膜面内の硬磁性を呈し、間隔が狭いため、この安定化方式は有効である。 (もっと読む)


【課題】柱状晶の頂部にドーム状の凸部が形成された配向制御層を有し、なおかつ、平滑性が高く、記録再生特性に優れる高密度記録に適した磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】非磁性基板の上に、軟磁性下地層と、直上の層の配向性を制御する配向制御層3と、磁化容易軸が前記非磁性基板に対して主に垂直に配向した垂直磁性層4とを、少なくとも積層してなる磁気記録媒体であって、前記配向制御層3が、磁性材料を20at%〜50at%の範囲内で含み、前記磁性材料がCoまたはFeであるRu合金層を含むものであり、前記垂直磁性層4が、前記配向制御層3を構成する結晶粒子と共に厚み方向に連続した柱状晶を含むものである磁気記録媒体とする。 (もっと読む)


【課題】従来よりいっそうの超高記録密度化に対応可能な垂直磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板上に少なくとも、非晶質のセラミックスからなるシード層、結晶性の配向制御層及びFePt合金を主成分とする材料からなる磁性層をこの順に備える垂直磁気記録媒体である。この垂直磁気記録媒体は、基板上に少なくとも、上記シード層、上記配向制御層及びFePt合金を主成分とする材料からなる磁性層をこの順にスパッタ成膜し、前記磁性層を500℃以下の所定温度で成膜することによって好適に製造される。 (もっと読む)


【課題】基板上に配置され、異なる方向に磁化される磁性ブロックを備えるデバイスを製造するための方法を提供すること。
【解決手段】前記方法は、
a)基板上に配置される、少なくとも1つの反強磁性体の1つまたは複数の層(104、104、104)、および、少なくとも1つの強磁性体の1つまたは複数の層(105、105)の積層体(108)として、少なくとも1つの第1のブロックおよび少なくとも1つの第2のブロックを形成するステップであって、前記ブロックは、長い線状であり、分離しており、かつ、第1の主方向および第2の主方向にそれぞれ延在し、第1の主方向および第2の主方向は、それらの間に第1の非ゼロの角度αを形成するステップと、
b)前記ブロックを、前記反強磁性体の規則化温度よりも、またはブロッキング温度よりも、または前記反強磁性体のネール温度よりも高い温度でアニールするステップとを含む。 (もっと読む)


【課題】
積層された反強磁性層と固定層からなる交換結合膜、それを有する磁気抵抗効果ヘッド、磁気センサおよび磁気メモリにおいて、反強磁性層と固定層間の交換結合エネルギーを増大し、固定層の磁化の安定性を高める。
【解決手段】
反強磁性層12と固定層13とが積層され、前記反強磁性層12により前記固定層13の磁化方向が一方向に磁気的に固定されている交換結合膜10、それを有する磁気抵抗効果ヘッド、磁気センサおよび磁気メモリにおいて、前記反強磁性層12をMn-X(X=Ir,Rh,Ru)で構成するとともに、前記固定層13の主成分をCo-Fe-Mnで構成する。 (もっと読む)


【課題】高精度の磁気記録用読み取りヘッドに最適な電流垂直型巨大磁気抵抗(CPP−GMR)素子を提供する。
【解決手段】CPP−GMR素子は、ホイスラー合金薄膜4,6間にスペーサ層5を配した構造を持つCPP−GMR素子であって、前記ホイスラー合金薄膜4,6が、B2規則構造を持つホイスラー強磁性合金からなり、スペーサ層5がB2規則構造を持つ金属間化合物からなることを特徴とし、また、前記CPP−GMR素子において、前記ホイスラー強磁性合金が、CoFeAlSiホイスラー強磁性合金であり、前記金属間化合物が、NiAl金属間化合物である。 (もっと読む)


【課題】記録された磁気信号の安定性に優れ、かつ、熱アシスト磁気記録方式による磁気信号記録の可能な磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】Pt含有量が44at%以上55at%以下であり、かつ、Ni/(Co+Ni)の原子含有量比が0.64以上0.8以下であるCo−Ni−Pt合金の強磁性結晶粒子を含む磁気記録層50を磁気記録媒体1に適用する。この磁気記録媒体1は、磁気記録層50を構成する上記Co−Ni−Pt合金が常温では非常に高い異方性磁界を有するため、記録された磁気信号の安定性に極めて優れている。また、この磁気記録媒体1は、磁気記録層50を構成する上記Co−Ni−Pt合金が適切な温度範囲のキュリー点をもつため、熱アシスト磁気記録方式での信号記録が可能である。 (もっと読む)


【課題】室温で1000%以上のTMR効果が得られる低抵抗の二重障壁強磁性トンネル接合と、この二重障壁強磁性トンネル接合を用いた磁気デバイスを提供する。
【解決手段】下地層/強磁性層1/絶縁層1/強磁性層2/絶縁層2/強磁性層3/上部層の構造が基板材料上に積層され、下地層により強磁性層1の磁化が、上部層により強磁性層3の磁化が固定され、強磁性層2が磁化自由層として機能する構造の二重障壁強磁性トンネル接合において、強磁性層2をCoFeB合金とし、かつ、その厚さを0.5〜1.4nmに薄膜化し、絶縁層1および2をMgOとし、250〜400℃程度の熱処理プロセスを経ることで低抵抗、かつ、1000%を超える巨大なTMR比が得られる。 (もっと読む)


【課題】S/N比を大幅に向上させることができ、また熱揺らぎ特性、記録特性を向上させることによって、更なる高記録密度化を可能とした磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】少なくとも非磁性基板の上に、軟磁性下地層と、直上の層の配向性を制御する配向制御層と、磁化容易軸が非磁性基板に対して主に垂直に配向した垂直磁性層4とを積層してなる磁気記録媒体において、垂直磁性層4を2層以上の磁性層4a,4bから構成し、当該磁性層4a,4bの間にFeと非磁性材料とを含む合金層7を配置する。 (もっと読む)


【課題】絶縁破壊電圧と漏れ電流特性の改善された薄膜コンデンサを提供する。
【解決手段】薄膜コンデンサの第一電極2と、その反対側の第二電極3と、第一電極と第二電極の間に配置され、ドープされた誘電体層41を有する誘電体層構造4を含む。ドープされた誘電体層は、ドープ剤をその中に含み、0原子/cm3より大きく、1010原子/cm3より大きくないドーピング濃度を有する。誘電体層構造には、ドープされていない誘電体層を有してもよい。誘電体層はSiO2などの酸化物、ドープ剤はAlやCoなどを含む。電極はFeCoNiを含む強磁性合金からなる。 (もっと読む)


【課題】垂直磁気異方性を有し、かつより大きな磁気抵抗効果を発現する。
【解決手段】磁気抵抗素子10は、安定化層11と、非磁性層13と、安定化層11と非磁性層13との間に設けられ膜面に垂直な方向の磁気異方性を有するスピン分極層12と、非磁性層13に対してスピン分極層12とは反対側に設けられた磁性層14とを含む。安定化層11は、スピン分極層12より膜面内方向の格子定数が小さい。スピン分極層12は、コバルト(Co)及び鉄(Fe)からなるグループから選ばれる1つ以上の元素を含み、かつBCT(body-centered tetragonal)構造を有し、かつ膜面に垂直な方向をc軸、膜面内方向をa軸とした場合の格子定数の比c/aが1.10以上1.35以下である。 (もっと読む)


【課題】熱的に安定であると同時に低電流の磁化反転を可能とするスピン注入書き込み方式用の磁気抵抗素子およびそれを用いた磁気メモリを提供する。
【解決手段】下地層12と、下地層上に設けられ膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が可変の第1の磁性層13と、第1の磁性層上に設けられた第1の非磁性層15と、第1の非磁性層上に設けられ膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が固定された第2の磁性層17と、を備え、第1の磁性層は、DO22構造またはL1構造を有しc軸が膜面に垂直方向を向くフェリ磁性体層を含み、第1の磁性層と第1の非磁性層と第2の磁性層とを貫く双方向電流によって、第1の磁性層の磁化方向が可変となる。 (もっと読む)


【課題】記憶層にかかる漏れ磁場をキャンセルするために用いる磁性層の膜厚を低減することを可能にする。
【解決手段】膜面に略垂直方向の磁気異方性を有しスピン偏極した電子の作用により磁化の方向が可変の記憶層2と、記憶層上に設けられた第1の非磁性層4と、第1の非磁性層上に設けられ、かつ膜面に略垂直方向の磁気異方性を有する参照層6と、参照層上に設けられた反強磁性層8と、反強磁性層の上に設けられ、かつ膜面に略垂直方向の磁気異方性を有するとともに参照層の磁化の向きと反平行の磁化を有する強磁性層10とを備えている。 (もっと読む)


【課題】 300℃以下の温度において、L10構造FePt規則合金が得られるFePt系磁性層を備える積層体構造物を提案する。
【解決手段】 積層体構造物は、アモルファス状態のTa層と、このTa層の上に形成された酸化亜鉛(ZnO)または酸化マグネシウム(MgO)からなる金属酸化物層と、この金属酸化物層の上に形成されたFePt系磁性層と、を有して構成される。 (もっと読む)


【課題】素子抵抗を低減するのに適し且つ大きなMR比を得るのに適した磁気検出素子、および、そのような磁気検出素子を備える磁気再生装置を提供する。
【解決手段】本発明の磁気検出素子X1は、ハーフメタルよりなり且つ相互に離隔する一対の電極1A,1Bと、強磁性ハーフメタルよりなり且つ磁化反転可能な低抵抗層2と、一対の電極1A,1Bおよび低抵抗層2の間に位置し且つ導体よりなって低抵抗層2よりも高抵抗である高抵抗層3とを備える。本発明の磁気再生装置は、磁気記録媒体と、当該磁気記録媒体からの信号磁界を読み取るための磁気検出素子X1とを備える。 (もっと読む)


【課題】飽和磁化Msを低く抑えながら高Kuを提供することが可能な磁性薄膜とその成膜方法、ならびにこの磁性薄膜を適用した各種デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の磁性薄膜は、L11型の原子の規則構造を有するCo-M-Pt合金(前記Mは単一若しくは複数のCo,Pt以外の金属元素を示す。)を含むものとし、例えば、前記Co-M-Pt合金は、Co-Ni-Pt合金であり、組成は、Coが10〜35(at%)、Niが20〜55(at%)、残部はPtとする。また、前記磁性薄膜は、垂直磁気記録媒体、トンネル磁気抵抗素子(TMR)、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)、MEMSデバイス等において使用される磁性膜に適用する。 (もっと読む)


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