【課題】ナノ構造を有し、大きな磁気抵抗効果を発現する磁気抵抗素子を提供すること。
【解決手段】導電性非磁性体からなるマトリックス中に、硬磁性体および軟磁性体からなる群から選択される少なくとも１種の磁性体が三次元的且つ周期的に配置しており、繰り返し構造の一単位の長さの平均値が１ｎｍ〜１００ｎｍである三次元的周期構造を有していることを特徴とするナノヘテロ構造磁気抵抗素子。 （もっと読む）

【課題】Ｓ／Ｎ比を大幅に向上させることができ、また熱揺らぎ特性、記録特性を向上させることによって、更なる高記録密度化を可能とした磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】少なくとも非磁性基板の上に、軟磁性下地層と、直上の層の配向性を制御する配向制御層と、磁化容易軸が非磁性基板に対して主に垂直に配向した垂直磁性層４とを積層してなる磁気記録媒体において、垂直磁性層４を２層以上の磁性層４ａ，４ｂから構成し、当該磁性層４ａ，４ｂの間にＦｅと非磁性材料とを含む合金層７を配置する。 （もっと読む）

【課題】高密度データ記憶のための媒体を提供する。
【解決手段】データ記憶媒体は、マルチフェロイック薄膜と、マルチフェロイック薄膜中に形成された強磁性記憶ドメインとを含む。マルチフェロイック薄膜は、ＢｉＦｅＯ_３又は任意のその他の強誘電性および反強磁性材料の少なくとも１つを含むように形成される。強磁性記憶ドメインは、イオン注入プロセスによってマルチフェロイック薄膜中に形成される。データ記憶媒体を採用したデータ記憶システムもまた提供される。 （もっと読む）

【課題】室温で動作可能な有機磁性体を用いたスイッチング素子を提供する。
【解決手段】下記式（Ｉ）で示される鉄サレン錯体を含む磁性体膜を備えたスイッチング素子。
【化１】


（Ｉ） （もっと読む）

【課題】結晶配向を劣化させず、かつ結晶粒の密度を下げずに、下地層及び磁性層の結晶粒を微細化した垂直磁気記録媒体を提供すること。
【解決手段】ディスク基体１１上に軟磁性層１３、配向制御層１４、下地層１５及び主記録層１７を備える垂直磁気記録媒体１０であって、前記配向制御層１４は、ＮｉＷ、ＮｉＰｄ、ＮｉＣｒ、ＮｉＭｏ、ＮｉＴａ、ＮｉＶ、ＮｉＮｂ、ＮｉＺｒ、ＮｉＨｆ、ＮｉＣｕから選択される少なくとも一つに酸化物を添加してなる合金を主材料とし、配向制御層１４上に成長する下地層１５、主記録層１７の結晶粒を微細化する。 （もっと読む）

【課題】本発明は垂直磁気記録に適した磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体及び磁気記録装置に関し、交換結合力制御層材料としてルテニウムのみからなる層を用いても量産性の向上を図ることを課題とする。
【解決手段】非磁性基板１上に、軟磁性裏打ち層２、非磁性中間層３、垂直磁気異方性を有する第１記録磁性層４、Ｒｕよりなる交換結合力制御層５、及び垂直磁気異方性を有する第２記録磁性層６を順次積層形成する磁気記録媒体の製造方法であって、前記交換結合力制御層５を形成するときのプロセスガスのガス圧を、2Ｐａ以上5Ｐａ以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】磁場安定性及び熱安定性を保持しつつ、微細化かつ省電力化ができる光アシスト型磁気記録装置を提供する。
【解決手段】半導体から構成され発光する発光素子層を有する発光素子基板と前記発光素子基板上にモノリシックに形成され、光照射で磁化が誘起される強磁性体からなる光誘起磁性体層とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高周波域において、透磁率実部μ’と透磁率虚部μ”の比（μ”／μ’）が小さな、優れた高周波用磁性材料およびこれを用いたアンテナ装置を提供する。
【解決手段】基板１２と、この基板１２上に形成され、長手方向が基板１２の表面に対して垂直方向を向いた複数の柱状体を形成する磁性相１４と、これらの柱状体の間隙を充填する絶縁体相１６とから成る複合磁性膜１８を備え、磁性相１４が非晶質であり、基板１２の表面に平行な面内の最小異方性磁界をＨｋ１、最大異方性磁界をＨｋ２とする場合に、Ｈｋ２／Ｈｋ１≧３、Ｈｋ２≧３．９８×１０^３Ａ／ｍの面内一軸異方性を有することを特徴とする高周波用磁性材料１０およびこれを用いたアンテナ装置。 （もっと読む）

【課題】バインダー樹脂が不要で、簡単な方法で製造することができ、高い記録密度と耐剥離性とを兼ね備えた磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の反応性基を有する第１の膜化合物で表面が覆われた磁性微粒子２１と、第１の反応性基と反応して結合を形成する複数の架橋反応基を有する架橋剤１２とを含む混合物を基体３１の表面に塗布し、第１の反応性基と架橋反応基との架橋反応により硬化され磁気記録層が形成された磁気記録媒体１０を得る。 （もっと読む）

【課題】優れた短波長記録特性と同時に化学的にも極めて安定で高い信頼性を有する磁気記録媒体を実現する。
【解決手段】少なくとも鉄および窒素を構成元素とし且つＦｅ₁₆Ｎ₂ 相を含む平均粒子サイズが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の粒状ないし楕円状の磁性粉の表面にリン酸化合物を単位比表面積当たり４．６×１０^-4〜３．２×１０^-3ｇ／ｍ² 結合させ、得られた磁性粉を用いて磁性層を形成する。 （もっと読む）

【課題】磁性体と半導体の両方の性質を備えるイルメナイト・ヘマタイト固溶体秩序相薄膜の伝導性を制御する。
【解決手段】本発明に係る強磁性酸化物半導体薄膜は、パルスレーザー堆積法によって単結晶基板上にｃ軸配向して成長されたイルメナイト・ヘマタイト固溶体秩序相薄膜であって、組成式が、
｛ｘＦｅＴｉＯ_３・（１−ｘ）Ｆｅ_２Ｏ_３｝（但し、ｘは全体に対するイルメナイトＦｅＴｉＯ_３の構成比を表し、０〜１の間の値をとる。）で表されることを特徴とする。
本発明に係る強磁性酸化物半導体薄膜は、所望の伝導性を有し、かつｃ軸配向したイルメナイト・ヘマタイト固溶体秩序相薄膜からなる。本発明に係る方法により製造された薄膜はｃ軸方向に高配向しており、単結晶と同程度の品質を具備している。 （もっと読む）

フェライトめっき法におけるフェライト膜の成膜速度を高めることにより、生産性が高く、しかもアンモニウムイオンを用いないフェライトめっき法を用いたフェライト膜の形成方法を提供する。フェライトめっきの際のｐＨ調整液として酢酸カリウムなどのアルカリ金属の弱酸塩の水溶液を用いることにより、高い成膜速度で良質のフェライト膜を成膜する。この方法を用いることにより、ＧＨｚ帯にて電磁ノイズを抑制することのできる電磁ノイズ抑制体の膜を回路基板などの電磁ノイズを抑制する対象に直接に形成することができる。
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【課題】 生成速度の向上と均質な柱状結晶の集合体であるフェライト膜の製造装置を提供する。
【解決手段】 フェライト形成面を下方向から横方向にの範囲に保持し、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液および、少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体を基体３に接触させる機構によって、固体表面以外で副次的に形成されたフェライトの微粒子を効率的に除去して生成速度を向上させ、均質な柱状結晶の集合体であるフェライト膜を製造する。 （もっと読む）