【課題】方法及びシステムは磁気デバイスにおいて使用可能な磁気接合を提供する。
【解決手段】磁気接合は、ピンド層と、非磁性スペーサ層と、自由層とを含む。非磁性スペーサ層はピンド層と自由層との間に存在する。磁気接合は、書き込み電流がその磁気接合に流された際に自由層が複数の安定磁気状態の間でスイッチング可能であるように構成される。自由層及びピンド層のうち少なくとも一方は少なくとも一つの半金属を含む。 （もっと読む）

【課題】超高密度記録、センシング、生物医学、画像化技術などの広い分野に応用して好適な、貴金属に起因する表面プラズモンを用いた高い磁気光学性能を有する磁気光学材料を提供する。
【解決手段】上記課題は、チタニアナノシートなどの極薄い磁性体を貴金属表面上に配置することにより達成される。 （もっと読む）

【課題】産業上の有用性が高い軽元素磁性材料を配向制御させることによる磁性材料の積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、電池電極、キャパシタ電極、燃料電池電極、太陽光発電電極などの産業分野において好適に用いられる、炭素や窒素、シリコン、ホウ素、酸素、アルミニウム、リン、イオウなどの軽い元素からなる磁性材料、たとえば磁性グラフェンや磁性グラファイトに外部磁界を印加することにより、分子および粒子の配置方向を制御し、前記材料を３次元的に積層させることを特徴とする磁性材料の積層体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】膜面垂直通電（ＣＰＰ）読み取りセンサの縦バイアス積層構造を提供する。
【解決手段】ＣＰＰ読み取りセンサの検知層構造を安定化させるための、改良された縦バイアス積層構造を有する読み取りヘッドが提供される。縦バイアス積層構造は、２つの側部領域の各々において、絶縁層によってＣＰＰ読み取りセンサから分離され、絶縁層とＣＰＰ読み取りセンサとともに、読み取りヘッド内の上側および下側強磁性シールドの間に挟まれる。本発明の好ましい実施形態において、縦バイアス積層構造は主として、Ｆｅ−Ｐｔ縦バイアス層を含み、シード層を持たないため、絶縁層のみの厚さで、Ｆｅ−Ｐｔ縦バイアス層とＣＰＰ読み取りセンサの間の間隔が決定される。シード層を持たないＦｅ−Ｐｔ縦バイアス層は、アニーリング後に良好な膜面内の硬磁性を呈し、間隔が狭いため、この安定化方式は有効である。 （もっと読む）

【課題】基板上に配置され、異なる方向に磁化される磁性ブロックを備えるデバイスを製造するための方法を提供すること。
【解決手段】前記方法は、
ａ）基板上に配置される、少なくとも１つの反強磁性体の１つまたは複数の層（１０４_１、１０４_２、１０４_３）、および、少なくとも１つの強磁性体の１つまたは複数の層（１０５_１、１０５_２）の積層体（１０８）として、少なくとも１つの第１のブロックおよび少なくとも１つの第２のブロックを形成するステップであって、前記ブロックは、長い線状であり、分離しており、かつ、第１の主方向および第２の主方向にそれぞれ延在し、第１の主方向および第２の主方向は、それらの間に第１の非ゼロの角度αを形成するステップと、
ｂ）前記ブロックを、前記反強磁性体の規則化温度よりも、またはブロッキング温度よりも、または前記反強磁性体のネール温度よりも高い温度でアニールするステップとを含む。 （もっと読む）

本発明は、強磁性体からなる上層（２）の磁化の方向を変更させる方法を提供するものであり、ａ）上層（２）は、上層（２）と磁気結合していない下層（３）の上に配置され、下層（３）は、下層（３）の物質の温度がしきい値より高いか低いかにより、上層（２）の磁化方向の変更に適した放射磁界を発生させるか、または発生させないことに適している物質から成り、下層（３）の物質による放射磁界は、上層（２）の強磁性物質の保磁場より強力であり、本方法は、ｂ）下層（３）の温度を、上層（２）と下層（３）の磁化方向が安定した相互配置であり下層（３）の物質が放射磁界を生じさせない一番目の値から、下層（３）の物質が、不可逆な方法において、上層（２）の磁化方向を変化させるのに適した放射磁界を生じさせる二番目の値へ進むステップ、及びｃ）下層（３）の温度を、二番目の値から、下層（３）の物質が放射磁界を生じさせない三番目の値へ進むステップ、からなり、温度の変更ステップであるｂ）とｃ）は外部からの磁場を加えることなしに実施されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｓ／Ｎ比を大幅に向上させることができ、また熱揺らぎ特性、記録特性を向上させることによって、更なる高記録密度化を可能とした磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】少なくとも非磁性基板の上に、軟磁性下地層と、直上の層の配向性を制御する配向制御層と、磁化容易軸が非磁性基板に対して主に垂直に配向した垂直磁性層４とを積層してなる磁気記録媒体において、垂直磁性層４を２層以上の磁性層４ａ，４ｂから構成し、当該磁性層４ａ，４ｂの間にＦｅと非磁性材料とを含む合金層７を配置する。 （もっと読む）

【課題】スピン分極率の高いホイスラー合金層を用いたスピントランジスタを提供する。
【解決手段】半導体基板１１上に形成されたゲート電極１３と、ゲート電極１３の両側の半導体基板１１に設けられた溝に形成されたソース電極及びドレイン電極を備える。ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方は、半導体基板１１に設けられた溝内の底面上及び溝内のゲート電極１３側の側面上に形成されたＭｇＯ層１４と、溝内のＭｇＯ層１４上に形成されたホイスラー合金層１５とを備える。側面上に形成されたＭｇＯ層１４Ａは底面上に形成されたＭｇＯ層１４より膜厚が薄いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 フッ化物からなる絶縁マトリックスに分散したｎｍサイズの磁性グラニュール合金と、不可避的不純物とからなり、室温で５％以上の磁気抵抗比を示し、且つ１×１０⁴μΩcm以上の電気抵抗率を有する磁気抵抗膜の耐熱性を高める。
【解決手段】 組成が一般式Ｆｅ_aＣｏ_bＮｉ_cＳｉ_xＭ_yＦ_zで表わされ、ＭはＭｇ，Ａｌ,Ｃａ,Ｓｒ,Ｂａ及びＧｄのうちから選択される１種又は２種以上の元素であり、かつ組成比ａ,ｂ,ｃ,ｘ,ｙ,ｚは原子比率で、０≦ａ≦６０，０≦ｂ≦６０，０≦ｃ≦６０，２０≦ａ+ｂ+ｃ≦６０,０＜ｘ＜１０,９≦ｙ≦４０，１５≦ｚ≦５０，３０≦ｙ+ｚ≦７０で表わされる磁気抵抗膜。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に順次に形成された下部軟磁性層及び上部軟磁性層を備え、上部軟磁性層の異方性磁界が下部軟磁性層の異方性磁界より高く形成された複数の軟磁性層と、下部軟磁性層と上部軟磁性層との間に介在されて、下部及び上部軟磁性層の磁気的相互作用を防止する隔離層と、上部軟磁性層上に形成される底層と、底層上に形成されるものであって、複数の強磁性層を有し、底層側に位置した下部の強磁性層から上部の強磁性層へ行くほど、磁気異方性エネルギーが次第に低くなるように、それぞれの強磁性層が異なる磁気異方性エネルギーを有する記録層と、を備えることを特徴とする垂直磁気記録媒体である。 （もっと読む）

【課題】良好な熱安定性と良好な記録・再生特性をともに有し、高密度記録が可能な垂直磁気記録媒体及びこれを用いた磁気記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】非磁性基板上に、少なくとも軟磁性下地層と垂直磁気記録層と保護層を有する垂直磁気記録媒体において、垂直磁気記録層を、主記録層と非磁性中間層と補助層から構成し、主記録層を、磁性結晶粒子とそれを取り囲む粒界領域を有し、かつ垂直磁気異方性を有する材料から構成し、補助層を、負の結晶磁気異方性を有する材料から構成し、非磁性中間層を、主記録層と補助層の間に形成し、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｉｒから選択される少なくとも一種の金属または合金から構成する。 （もっと読む）

【課題】磁性元素を含む半導体中で、磁性元素を高濃度に含むナノ結晶の自律的形成を人為的に制御し、結晶中の磁性元素の平均の組成が２０％以下の小さい範囲でも、室温以上で強磁性あるいは超常磁性状態となって磁化過程に履歴現象が生じるような薄膜結晶を実現する。
【解決手段】磁性元素を含む半導体において、ｎ型またはｐ型のドーパントを添加するか、あるいは化合物半導体の場合は結晶成長時の原料供給量の調節により化合物における構成元素の組成割合における化学量論比からのずれを調整することにより、磁性元素イオンの結晶中での価数を変化させてイオン間の引力相互作用を調整することで、磁性元素を高濃度に含むナノ結晶の自律的な形成を人為的に制御することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】磁化イオン濃度を高めることができる強磁性半導体材料の提供。
【解決手段】ＩＩ−ＶＩ族、または、ＩＶ族、または、ＩＩＩ−Ｖ族の半導体材料を主成分とし、遷移金属（主成分をＩＶ族とした場合Ｍｎを除く）、または、希土類元素の少なくとも一方を添加元素として含み、アモルファスとする。 （もっと読む）

【課題】既存のものよりも保磁力差の小さい、酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜、該磁性膜を形成し得るターゲット材およびスパッタリングターゲット、該ターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｆｅ含量が１００ｐｐｍ以下である、酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜および酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材、該ターゲット材がバッキングプレートに接合されてなるスパッタリングターゲット、ならびに、Ｃｒ鋳塊を、Ｃｏ鋳塊およびＣｏ粉末から選ばれる少なくとも１種のＣｏ原料と共に溶融してＣｏ−Ｃｒ合金を調製した後、該Ｃｏ−Ｃｒ合金をアトマイズ法により処理してＣｏ−Ｃｒ合金粉末を得て、該Ｃｏ−Ｃｒ合金粉末と、Ｐｔ粉末および酸化物粉末とを混合して混合粉末を得て、該混合粉末を成形した後に焼成するか、あるいは成形すると同時に焼成する、酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体プロセスの整合性に優れており、基板と磁性半導体薄膜とが格子整合し、Ｔｃが３００Ｋ付近でバラツキが少ないＩＩ−ＩＶ−Ｖ_２族の磁性半導体薄膜及び磁性半導体薄膜の製造方法を提供する
【解決手段】加熱した基板上に緩衝層を形成した後に、該緩衝層上に磁性半導体層として遷移金属元素を添加したＺｎＳｎＡｓ_２をエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録が可能な上、粒径の制御が容易な磁性体粒子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の磁性体粒子(1)は、Ｐｄ、Ｆｅ及びＣｏを含むことを特徴とする。また、本発明の磁性体粒子(1)の製造方法は、i)岩塩型単結晶基板(20)の主面(20a)上に、岩塩型単結晶基板(20)を加熱しながらＰｄ粒子を配置する工程と、ii)Ｐｄ粒子上に、岩塩型単結晶基板(20)を加熱しながらＣｏ及びＦｅを配置して、Ｐｄ、Ｆｅ及びＣｏを含む磁性体粒子(1)を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＴｉＮをキャッピング層として使用した磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗素子において、磁気抵抗構造体２１上にキャッピング層２６としてＴｉＮを使用した磁気抵抗素子及びその製造法である。これにより、さらに簡単な製造工程で形成でき、安定性及び信頼性が向上した磁気抵抗素子を提供可能である。 （もっと読む）

島状磁性結晶粒（３２）は第１分離層（３３）に覆われる。島状磁性結晶粒（３６、３８）は結晶層（３５、４１）上に形成される。結晶層（３５、４１）の働きで磁性結晶粒（３６、３８）の配向は揃えられる。結晶層（３５）および磁性結晶粒（３２）の間や結晶層（４１）および磁性結晶粒（３６）の間には非晶質層（３４、３９）が介在する。非晶質層（３４、３９）によれば、製造過程で磁性結晶粒（３２、３６）および結晶層（３５、４１）の間で界面反応は十分に抑制される。磁性結晶粒（３２、３６）の配向は確実に維持される。
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【課題】 スピンコーティング処理を用い、プログラム可能なＣＭＲ薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】 酢酸金属ベースの酢酸溶液のＣＭＲ前駆体を準備する工程１０、ウェハを準備する工程、スピンコーティングチャンバー内にウェハを設置する工程、少なくとも３回繰り返されるウェハをスピンコーティング及び加熱する工程、ウェハを乾燥清浄空気中で約５００〜６００℃の温度範囲で約１〜６時間ポストアニーリングする工程２６、及び、半導体装置を形成する工程を有し、前記スピンコーティング及び加熱する工程が、ＣＭＲ前駆体をチャンバー内のウェハ表面に注入する工程１４、ウェハを約１５００〜３０００ｒｐｍのスピン速度に約３０秒間加速する工程１６、ウェハを約１８０℃で約１分間ベーキングする工程１８、約２３０℃に昇温してウェハを約１分間ベーキングする工程２０、及び、ウェハを約５００℃で約５分間アニーリングする工程２２を有する。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＯＳ用途に適合した可変抵抗特性を有するＣＭＲ薄膜を形成する。
【解決手段】 ＣＭＯＳデバイス作製における使用に適したＣＭＲ薄膜の形成方法であって、その上に初期デバイス構造の形成工程を含む基板を準備する工程と、ＣＭＲターゲットを備えるＲＦスパッタリング堆積チャンバー内のウェハチャックに基板を設置する工程１２と、ＲＦスパッタリング工程の間にナノサイズのＣＭＲ結晶を形成するために４５０℃未満の温度にウェハを加熱する工程１４と、所定のチャンバー圧でスパッタリングガスを堆積チャンバー内に導入する工程１６と、ＣＭＲ材料を基板上に堆積させるためにＣＭＲターゲットにＲＦパワーを印加する工程１８と、デバイス作製を完成させる工程と、を有する。 （もっと読む）