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Fターム[5E049AC00]の内容

磁性薄膜 (4,742) | 磁性材料(構造・その他) (348)

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【課題】多層磁性層の薄膜化に大いに寄与することができる多層構造膜を提供する。
【解決手段】多層構造膜の一具体例は、非磁性貴金属原子から形成される第1薄膜43a、および、磁性原子または磁性合金から形成される第2薄膜43bを重ね合わせる積層体41と、この積層体41の表面に重ね合わせられ、積層体41の飽和磁化Msよりも大きい飽和磁化Msを有する強磁性膜42とを備える。 (もっと読む)


【課題】 下部シールド層と上部シールド層間にギャップ層を介して磁気抵抗効果素子が形成された再生用の薄膜磁気ヘッドに係り、特に前記下部シールド層と上部シールド層との耐腐食性を向上させることができ、再生特性を良好に保つことが可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 下部シールド層23と上部シールド層32間を導電層31によって導通接続させる。これによって前記下部シールド層23と上部シールド層32を同電位にでき、製造工程中に使用される溶剤や空気中の水分が保護層47内を浸透して前記下部シールド層23及び上部シールド層32にまで到達しても電池効果によって前記下部シールド層23及び上部シールド層32が腐食するのを適切に抑制することができる (もっと読む)


【課題】 磁気抵抗素子を構成する、磁性体/非磁性体界面の物性が、素子特性を劣化させている。例えば、TMR素子では、スピン分極率が100%近いと予想されているハ−フメタルを磁性体として用いた場合でも、室温で、高々10数%程度のMRしか報告されていない。
【解決手段】 少なくとも1種からなる磁性体中に、磁化方向が略揃った磁化領域Aと磁化方向が略揃った磁化領域Bと、前記磁化領域Aと前記磁化領域Bに挟まれた磁化接合領域Mがあり、前記磁化領域Aの少なくとも一部、または前記磁化領域Bの少なくとも一部のうち少なくとも一方が、外部から導入された磁気的エネルギ−に対し、磁気的に略固定され、前記磁化接合領域Mまたは前記磁化領域Aまたは前記磁化領域Bの磁化状態の変化を、電気抵抗の変化として検知する磁気抵抗素子である。 (もっと読む)


【課題】 磁気抵抗効果素子の再生フリンジやバルクハウゼンノイズを抑制した上で、接触抵抗の低減、絶縁不良の抑制、良好な線形応答性等を実現する。
【解決手段】 基板(11)の主表面上に、順に積層された第1の反強磁性膜(15))、第1の強磁性膜(16)、非磁性膜(17)および第2の強磁性膜(18)を少なくとも含む巨大磁気抵抗効果を示す磁性多層膜を有し、かつ前記第2の強磁性膜が磁界検出部と前記磁界検出部の両端にそれぞれ設けられ前記磁界検出部より薄い膜厚(t)を有する外側部とを有する磁気抵抗効果膜と、前記第2の強磁性膜の外側部の上にそれぞれ積層された一対のバイアス磁界付与膜(37)と、前記磁気抵抗効果膜に電流を供給する一対の電極(21)と、を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子を提供する。 (もっと読む)


【課題】平滑度のよいグラニュラ構造の磁性膜を備え、磁気ヘッドとの摩擦が小さく耐久性に優れた磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性基板1上に下地膜2を形成し、その下地膜2上に、強磁性材料と電気抵抗が106 Ωcm以下の非磁性材料との混合物からなるターゲットを用いたスパッタリング法で、あるいは、強磁性材料からなるターゲットと電気抵抗が106 Ωcm以下の非磁性材料からなるターゲットを用いた二元スパッタリング法で、グラニュラ構造の磁性膜3を成膜し、その上に保護膜4を成膜して磁気記録媒体とする。 (もっと読む)


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