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Fターム[5E049AC05]の内容

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Fターム[5E049AC05]に分類される特許

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【課題】熱安定性を確保して特性バランスに優れた記憶素子を実現する。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。その上で、上記層構造の積層方向に電流を流すことで記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われる。そして記憶層は、Co−Fe−B磁性層と、少なくとも1つの非磁性層を有し、酸化物層、Co−Fe−B磁性層、非磁性層が順に積層された積層構造が形成されているようにする。 (もっと読む)


【課題】書き込みエラーを生じることなく、短い時間で書き込み動作を行うことができる記憶素子及び記憶装置を提供する。
【解決手段】情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層14と、磁化の向きが固定された磁化固定層12と、上記記憶層14と上記磁化固定層12との間に配された非磁性体による中間層13と、垂直磁気異方性誘起層15とを含む層構造を有する記憶素子3を構成する。そして、上記記憶層14が、第1の強磁性層14aと第1の結合層14bと第2の強磁性層14cと第2の結合層14dと第3の強磁性層14eとが同順に積層されて、上記第1の強磁性層14aが上記中間層13に接し、上記第3の強磁性層14eが上記垂直磁気異方性誘起層15に接し、上記結合層14b,14dを介して隣接する上記強磁性層14a,14c,14eの磁化の向きが膜面に垂直な方向から傾斜している。 (もっと読む)


【課題】低駆動電流値で電流誘起磁化反転を行うことのできる強磁性トンネル接合素子を提供する。
【解決手段】磁化固定層100と非磁性絶縁層110と磁化自由層120を有する強磁性トンネル接合素子10において、磁化自由層120は非磁性金属層221を挟んで強磁性層220、222を有し、2つの強磁性層220、222の磁化の方向が互いに平行である。2つの強磁性層の磁化の方向を互いに平行にすることにより、スピントランスファートルクが有効に働き、駆動電流を低減できる。 (もっと読む)


【課題】磁気抵抗効果素子の特性劣化を抑制する。
【解決手段】本実施形態の磁気抵抗効果素子は、膜面に対して垂直方向に磁気異方性と不変な磁化方向とを有する第1の磁性体30と、膜面に対して垂直方向に磁気異方性と可変な磁化方向とを有する第2の磁性体10と、磁性層10,30の間の非磁性体20とを、含む。第1及び第2の磁性体のうち少なくとも一方は、ボロン(B)及び希土類金属及び遷移金属を含む磁性層301を備え、磁性層301において、希土類金属の含有量は、20at.%以上であり、遷移金属の含有量は、30at.%以上であり、ボロンの含有量が、1at.%以上、50at.%以下である。 (もっと読む)


【課題】厚さが35nm以下でも十分に高い保磁力および角型比を有する磁性のコバルト薄膜を得ることができるコバルト薄膜の形成方法およびこの方法により形成したコバルト薄膜を用いたナノ接合素子を提供する。
【解決手段】ポリエチレンナフタレート基板11上に真空蒸着法などによりコバルト薄膜12を35nm以下の厚さに成膜する。こうしてポリエチレンナフタレート基板11上にコバルト薄膜12を成膜した積層体を二つ用い、これらの二つの積層体をそれらのコバルト薄膜12のエッジ同士が、必要に応じて有機分子を挟んで、互いに対向するように交差させて接合することによりナノ接合素子を構成する。このナノ接合素子により不揮発性メモリや磁気抵抗効果素子を構成する。ポリエチレンナフタレート基板11の代わりに、少なくとも一主面がSiO2 からなる基板、例えば石英基板を用いてもよい。 (もっと読む)


【課題】 熱マグノンによるスピントルク発振素子を提供する。
【解決手段】 「熱マグノンによる」スピントルク発振素子(STO)は、熱流のみを用いて、スピントルク(ST)効果を惹起しかつ自由層磁化の持続的な振動を発生させる。熱マグノンによるSTOは、従来型の自由層および基準層に加えて、さらに、固定された面内磁化を有する磁性酸化物層と、その磁性酸化物層の1つの表面上の強磁性金属層と、自由層および金属層間の非磁性導電層と、磁性酸化物層のもう一方の表面上の電気抵抗性ヒータとを含む。熱マグノン効果のために、金属層と伝導層と自由層とを通る磁性酸化物層からの熱流によって、最終的に、自由層に対するスピン移行トルク(STT)が生じる。熱流と反対方向に流れるセンス電流が、自由層磁化の振動周波数を監視するために用いられる。 (もっと読む)


【解決課題】 磁場書き込み方式MRAM、および、スピン注入磁化反転方式MRAMにおいても、書き込みに必要な電流値を小さくすることが可能な強磁性トンネル接合素子を提供する。
【解決手段】 順に、強磁性層を含む複数の層からなる強磁性自由層2と、絶縁層3と、強磁性層を含む複数の層からなる強磁性固定層4とを積層した構造を有し、前記強磁性自由層2が、該強磁性自由層2の飽和磁化を下げる働きを有する添加元素を、前記絶縁層3と接しない側において前記絶縁層3と接する側よりも多く含む強磁性トンネル接合素子1である。 (もっと読む)


【課題】 複数の磁気層および中間層を有するパターン化垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 パターン化垂直磁気記録媒体は、第1および第2の強磁性層(MAG1およびMAG2)を、MAG1とMAG2との間に第1および第2の非磁性中間層(IL1およびIL2)を備えた状態で有するディスクリートデータアイランドを有する。MAG1およびMAG2は、類似の厚さを有した類似のCoPtCr合金でもよく、IL1およびIL2の厚さは、MAG1およびMAG2が強固に交換結合されることを保証する。あるいは、MAG2は、「書き込み補助」層、例えば、交換スプリング構造における高飽和磁化の軟磁性材料でもよく、IL1は非常に薄く、それによってIL2が、MAG1と書き込み補助MAG2層間とのカップリング層として機能できる。 (もっと読む)


【課題】磁気記録素子のMR比の向上を図る。
【解決手段】実施形態に係わる磁気記録素子は、磁化が可変で磁化容易軸方向が膜面に垂直となる方向の磁気記録層11と、磁化が膜面に垂直となる方向に固定される磁気固着層12と、磁気記録層11と磁気固着層12との間の非磁性バリア層13と、磁気記録層11と非磁性バリア層13との間の挿入層14とを備える。挿入層14は、軟磁性材料、ホイスラー合金、ハーフメタル酸化物、及び、ハーフメタル窒化物のうちの1つを含む。 (もっと読む)


【課題】高い強磁性共鳴周波数を有するグラニュラ磁性材料を利用しつつ、強磁性共鳴線幅の増加を抑制し、動作周波数の広い積層磁性薄膜及び磁性部品を提供する。
【解決手段】積層磁性薄膜10は、絶縁体媒質14中に磁性粒子16が分散されたグラニュラ磁性層12と絶縁層18とを交互に積層した構造であり、磁性粒子16には結晶配向を促すPdが添加されている。Pdの添加量は、グラニュラ磁性層12をCoFePdSiOとし、絶縁層18をSiOとする積層磁性薄膜10においては、Co−Feの磁性粒子16に対し、20at%以上とすることが好ましい。グラニュラ磁性層12と絶縁層18の積層構造により、磁性粒子16の粒径の分布を抑制して膜厚方向の磁性粒子16の間隔を一定に保ち、前記Pdの添加により磁性粒子16の結晶配向を促して磁化容易軸方向の分散に起因した強磁性共鳴線幅の増加を抑制する。 (もっと読む)


【課題】良好な(001)配向を有し、かつ、規則度が高いL1型のFePt合金、もしくはCoPt合金からなる磁性層を有する熱アシスト記録媒体が実現し、これを用いたエラーレートの低い磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】基板と、該基板上に形成された複数の下地層と、L1構造を有する合金を主成分とする磁性層からなる磁気記録媒体において、該複数の下地層が、NiO下地層と、該NiO下地層に(100)配向をとらせるための配向制御層を含むからなる下地層であることを特徴とする磁気記録媒体を用いる。 (もっと読む)


【課題】低磁歪定数、高飽和磁束密度及び良好な表面平滑性を備えたハ−ドディスク装置などに用いられる磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】非磁性基板1上に、少なくとも軟磁性裏打ち層11、下地層6、中間層7及び磁気記録層8をこの順で有する磁気記録媒体において、軟磁性裏打ち層11が、少なくとも1層以上のナノ結晶粒子を含まないアモルファス構造を有する軟磁性合金膜3,5を含み、この軟磁性合金膜3,5の磁歪定数λの絶対値が1×10−6以下である。 (もっと読む)


【課題】垂直磁気異方性を有するとともにより大きな磁気抵抗効果を発現することが可能な磁気抵抗素子およびこれを用いた磁気メモリを提供する。
【解決手段】下地層と、下地層上に設けられ、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し、MnGa100−x(45≦x<64atm%)である磁性体膜を含む第1の磁性層と、第1の磁性層上に設けられた第1の非磁性層と、第1の非磁性層上に設けられ、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し、MnGa100−y(45≦x<64atm%)である磁性体膜を含む第2の磁性層と、を備え、第1および第2の磁性層のMnの組成比が異なり、第1の非磁性層を介して第1の磁性層と第2の磁性層との間に流れる電流によって、第1の磁性層の磁化方向が可変となる。 (もっと読む)


【課題】結晶配向中間層と、中間層上に配設される磁気ゼロ層と、磁気ゼロ層上に配設される磁気記録層とを含む積層体を提供する。
【解決手段】磁気ゼロ層(140,240)は非磁性であるか、または飽和磁束密度(BS)が約100emu/cc未満である。磁気ゼロ層(140,240)および磁性層(150,242)は、非磁性分離体によって囲まれる粒子を含む。磁気ゼロ層(140,240)は、格子不整合が約4%未満である、中間層(130,238)と磁性層(150,242)との間のコヒーレントな界面を設ける。 (もっと読む)


【課題】面積抵抗のばらつきを抑えつつ、大きなMR変化率を実現する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子4は、外部磁界に対して磁化方向のなす相対角度が変化する第1及び第2の磁性層L1,L2と、第1の磁性層L1と第2の磁性層L2との間に位置するスペーサ層16と、を有している。スペーサ層16は、酸化ガリウムを主成分とし、マグネシウム、亜鉛、インジウム、及びアルミニウムからなる群から選択された少なくとも1つの金属元素を含む主スペーサ層16bを有している。 (もっと読む)


【課題】放熱層を厚膜化した場合でも放熱層が磁気記録層に与える影響を適切に抑制できる磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】熱アシスト磁気記録装置に用いられる磁気記録媒体である。前記磁気記録媒体が、非磁性基体、放熱層、バッファ層、軟磁性裏打ち層、および磁気記録層をこの順に含む。前記バッファ層が、非磁性かつ非晶質の材料からなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】垂直磁気記録媒体の製造方法が提供される。
【解決手段】垂直磁気記録媒体が、基板、該基板上の下層、該下層上の中間層及び該中間層上の記録層を備える。この下層が、第一軟質下層、該第一軟質下層上の反強磁性的に結合されたRu層、該反強磁性的に結合されたRu層上の第二軟質下層、及び該第二軟質下層上の方位制御層を備え、この方法が、下層を形成する間、基板に負バイアス電圧を印加するステップを含む。 (もっと読む)


【課題】 積層構造の側方に生成された付着物の影響を受けにくい磁気トンネル接合素子が求められている。
【解決手段】 基板上に形成された下部電極の一部の領域の上に、下部電極とはエッチング特性が異なる導電材料で形成されたバッファ層が配置されている。バッファ層の上に、アモルファスの強磁性材料で形成された第1磁化自由層が配置されている。第1磁化自由層の上に、結晶化した強磁性材料で形成された第2磁化自由層が配置されている。第2磁化自由層の上にトンネルバリア層が配置されている。トンネルバリア層の上に、磁化方向が固定された磁化固定層が配置されている。磁化固定層の上に上部電極層が配置されている。 (もっと読む)


【課題】 Taなどの高融点金属層とR−T−B系永久磁石が積層された高性能永久磁石薄膜を用いた、高加工精度の小型・高性能なマイクロデバイスを、低コストで大量に生産することができる、希土類永久磁石薄膜の製造方法の提供。
【解決手段】基板上に、厚さ500nm以下の希土類合金磁性層と、厚さ50nm以下の高融点金属層を含む多層構造を有する希土類永久磁石薄膜を形成し、前記希土類永久磁石薄膜上にフォトレジスト層を形成し、前記フォトレジスト層を露光、現像することによりパターニングし、前記パターニングされた前記フォトレジスト層をマスクとして、露出した前記希土類永久磁石薄膜をイオンミリングにより除去し、残存する前記希土類永久磁石薄膜上の前記フォトレジスト層を酸素プラズマアッシングにより除去する。 (もっと読む)


【課題】DCスパッタ法を用いて、MgO膜を有する磁気記録媒体を高い生産性で製造することができ、同時にMgO膜の酸素欠損を抑制して高い結晶性を有するMgO下地層を与える方法の提供。
【解決手段】酸素含有ガス中でMgおよびMgOを含むターゲットを用いる反応性DCスパッタ法によって、非磁性基体にMgOからなる中間層を形成する工程と、中間層の上に、L10系規則合金を含む磁気記録層を形成する工程とを少なくとも含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 (もっと読む)


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