【課題】α"Fe₁₆N₂などの窒化物膜を生産性よく製造可能な窒化物膜の製造方法及び窒化物膜の製造装置、並びに窒化物膜を提供する。
【解決手段】窒化物膜の製造装置1は、エアロゾル生成部10により原料粉末をエアロゾル化し、エアロゾルをチャンバ100内に高速で射出して基板Bに衝突させ、原料を破砕し、破砕片を基板Bに堆積させて成膜する。製造装置1は、窒素プラズマをエアロゾルに照射するプラズマ生成部20と、生成された窒化物などに磁場を印加する超電導磁石30とを更に具える。窒素プラズマにより、常温でα"Fe₁₆N₂などの窒化物を生成可能であり、磁場の印加により、N原子の進入方向を規制してα"Fe₁₆N₂などを効率よく生成可能であると共に、破砕片を構成する窒化物を配向させられ、配向性が高い窒化物膜を成膜できる。従って、製造装置1は、α"Fe₁₆N₂などの窒化物膜を生産性よく製造できる。 （もっと読む）

【課題】小型かつ薄型でありながら、磁気特性の変化量が大きく、その調整及び調整後の値の保持が容易な磁性薄膜と、その製造方法及び磁気特性制御方法，薄膜磁気デバイスを提供する。
【解決手段】絶縁体基板１２上に形成した磁石層１４の近傍に層間絶縁層１６を介して軟磁性層１８を設け、前記磁石層１４の磁化の制御を、パルス電流発生回路によって発生されたパルス電流の印加により行い、前記軟磁性層１８にかかる磁界を変化させることで、磁気特性を変化させる。パルス電流の印加は、磁化を変化させる時にのみ行う。また、前記パルス電流を流すためのコイル導体層を、前記絶縁体基板１２と磁石層１４の間に形成すれば、薄膜磁気デバイスの小型化・薄型化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】書込電流の減少と熱安定性を改善できる記憶素子の提供。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層１７と、記憶層１７の上下に配される絶縁層１６Ｕ、１６Ｌと、さらに膜面に垂直な磁化を有する上下の磁化固定層１５Ｕ、１５Ｌを備えたデュアル構造とする。そして積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層の磁化の向きが変化して情報の記録が行われる。ここで記憶層が受ける実効的な反磁界の大きさが、記憶層の飽和磁化量よりも小さいものとされている。さらに２つの磁化固定層のそれぞれの膜面に垂直な磁化方向は逆方向とされている。また素子全体の面積抵抗値が１０Ωμｍ²以上、４０Ωμｍ²以下であり、上側の絶縁層の面積抵抗値は、下側の絶縁層の面積抵抗値より高くする。 （もっと読む）

【課題】垂直磁化を用いた磁気メモリ素子において、作製プロセスに耐え、薄い膜厚で大きな保磁力と高い耐熱性を有する参照層を実現する。
【解決手段】参照層は、２０原子％以上５０原子％以下のＰｔを含有し、１ｎｍ以上５ｎｍ以下の膜厚を有する、少なくとも２以上のＣｏＰｔ層が、Ｒｕ層を介して積層された構造を有するものとする。そしてＲｕ層の厚みは、０．４５±０．０５ｎｍあるいは０．９±０．１ｎｍとする。またＣｏＰｔ層の結晶の３回対称軸が膜面垂直に配向する。またスピン注入層との界面を、１．５ｎｍ以下のＣｏ又はＦｅを主成分とする高スピン分極層とする。 （もっと読む）

【課題】１Ｔｂｉｔ／ｉｎｃｈ^２以上の面記録密度を有する熱アシスト磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】少なくとも基板１０１の上に、第１の磁性層１０６と第２の磁性層１０７とが順に積層された構造を有し、第１の磁性層１０６が、L１_０構造を有するＦｅＰｔ合金、Ｌ１_０構造を有するＣｏＰｔ合金、又はＬ１_１構造を有するＣｏＰｔ合金の何れかの結晶粒と、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、ＭｇＯ、Ｃのうち少なくとも１種以上の粒界偏析材料とを含むグラニュラー構造を有し、且つ、第１の磁性層１０６中の粒界偏析材料の含有率が、基板１０１側から第２の磁性層１０７側に向かって減少している。 （もっと読む）

【課題】磁気記録層の結晶配向、磁気クラスターサイズを保持しながら、書き込み性能を向上し、記録再生特性に優れた垂直磁気記録媒体を実現する。
【解決手段】基板１１上に密着層１２、軟磁性下地層１３、平坦化層１４、シード層１５、中間層１６、磁気記録層１７、保護層１８が順次形成されてなる垂直磁気記録媒体において、シード層１５は第一シード層１５１と第二シード層１５２の積層構造とし、第一シード層１５１はＮｉＷ合金を主成分とするｆｃｃ構造を有する非磁性合金により構成し、第二シード層１５２はＮｉＦｅ合金若しくはＣｏＦｅ合金を主成分とするｆｃｃ構造を有する軟磁性合金によって構成する。 （もっと読む）

【課題】磁壁を移動するために必要とする磁壁駆動電流の低減を図る。
【解決手段】面内磁気異方性を有する第１磁性膜１０２が、垂直磁気異方性を有する第２磁性膜１０４と磁気的に結合することにより、垂直磁気異方性を有するようになるので、第１磁性膜１０２の一軸磁気異方性（Ｋ_u）を大きくすることができ、かつ、磁壁幅（λ）の狭小化、磁壁電流駆動に要する閾値電流密度（Ｊ_C）の減少、ひいては、磁壁を移動するために必要とする磁壁駆動電流の低減を図ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】室温で動作可能な有機磁性体を用いたスイッチング素子を提供する。
【解決手段】下記式（Ｉ）で示される鉄サレン錯体を含む磁性体膜を備えたスイッチング素子。
【化１】


（Ｉ） （もっと読む）

【課題】書き換え回数が十分に維持され、高速で再現性良く記録・再生が可能な透明磁性膜とその再生方法、透明磁性膜の製造方法及び磁化パターンを提供する。
【解決手段】支持体上に、分散剤で覆われたチタニアナノシート(透明且つ印加磁界により支持体面に対し垂直方向に磁気異方性を発現可能なもの)と水溶性高分子を含む分散液を塗工法又は印刷法により連続膜形状又はパターン膜形状で設け磁界を印加(、磁力線方向が支持体に平行)しながら乾燥してチタニアナノシート積層膜を形成（例えば、波長依存性を有する複数のナノシートを分割配置又は厚さ方向積層して形成）して透明磁性膜とする。透明磁性膜に情報を磁化パターンとして磁気又は／及び光により記録・再生する。 （もっと読む）

【課題】これまで以上に磁気情報を正確に読み出すことができるＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性の自由磁性層５８および導電性の固定磁性層５６の間には導電性の非磁性中間層５７が挟み込まれる。自由磁性層５８および固定磁性層５６の少なくともいずれかは、窒化された磁性金属合金から構成される。本発明者らの検証によれば、自由磁性層５８および固定磁性層５６の少なくともいずれかで単位面積あたりの磁気抵抗変化量（ΔＲＡ）が増大することが確認された。その結果、ＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子の出力は向上する。しかも、窒化された磁性金属合金では飽和磁束密度（Ｂｓ）が減少する。その結果、磁性層では磁化は容易に反転する。ＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子の読み出し感度はこれまで以上に向上する。こうしたＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子はこれまで以上に正確に磁気情報を読み出すことができる。 （もっと読む）

【課題】 熱安定性にすぐれ、ＭＲ比の高い磁気抵抗素子を提供すること。
【解決手段】 磁気抵抗素子は、マンガンを有する層で形成した反強磁性層と、反強磁性層側に位置し、強磁性体及び白金族系金属を有する層で形成した第一磁化固定層、強磁性体を有する層で形成した第二磁化固定層及び該第一磁化固定層と該第二磁化固定層との間に位置する第一非磁性中間層を有する積層磁化固定層と、強磁性体を有する層で形成した磁化自由層と、積層磁化固定層と前記磁化自由層との間に位置する第二非磁性中間層と、を有する。 （もっと読む）

基板に磁気層を生成する方法であって、重量比６０パーセントのネオジウム鉄ボロン粉末、重量比１０パーセントのフェライト粉末（好適にはストロンチウムヘキサフェライト粉末）、重量比１．４パーセントの触媒、重量比１．１パーセントの分散剤添加物、残りの重量比のマトリックス（好適にはエポキシポリオールマトリックス）という組成の印刷可能ワニスを生成する工程を含む。これら物質は攪拌または混練により混合され、スリーロールミルにより圧延される。好適には、これらは基板にスクリーン印刷により塗布され、その後、摂氏８０度から１２０度で６時間から１２時間早期硬化（pre-cure）され、その後、摂氏２００度から２２０度で３時間硬化される。 （もっと読む）

【課題】アニール処理の温度を比較的低く抑えても高いスピン分極率が得られるホイスラー合金層を、その磁歪を小さく抑えることによってフリー層中に採用可能にし、それによって高いＭＲ比を達成することができる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が固定されたピンド層４３と、磁化方向が外部磁界に応じて変化するフリー層４５と、ピンド層４３とフリー層４５との間に設けられている非磁性のスペーサ層４４とを含み、フリー層４５は、ホイスラー合金層４５ｃと、４族元素、５族元素、または６族元素からなる磁歪低減層４５ｂとを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】電気エネルギを蓄積する装置を提供する。
【解決手段】電気エネルギを蓄積する装置は、第１の磁性セクション１１０と、第２の磁性セクション１２０と、第１の磁性セクション１１０と第２の磁性セクション１２０との間に配置された誘電体セクション１３０と、を備える。この誘電体セクション１３０により電気エネルギを蓄積し、ダイポール１１５，１２５をそれぞれに有する第１の磁性セクション１１０および第２の磁性セクション１２０により電流リークを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】
フリー磁性層の磁歪の増大が低く、かつ抵抗変化率の高いトンネル型磁気検出素子を得る。
【解決手段】
トンネル型磁気検出素子を構成する積層体Ｔ１は、下から、固定磁性層４、絶縁障壁層５、及びフリー磁性層８の順に形成された部分を有する。前記フリー磁性層８の絶縁障壁層５側に形成されたエンハンス層６を、絶縁障壁層５側の第１エンハンス層６ａと軟磁性層７側の第２エンハンス層６ｂとし、第１エンハンス層６ａを形成するＣｏＦｅ合金のＦｅ含有量を、第２エンハンス層のＣｏＦｅ合金のＦｅ含有量より大きいものとする。これにより、フリー磁性層の磁歪の増大を抑え、抵抗変化率を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】拡散防止層を備える磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】基板、該基板上に形成された下地層及び該下地層上に形成された磁気抵抗構造体を備える磁気抵抗素子において、下地層及び磁気抵抗構造体間に形成された拡散防止層を備える磁気抵抗素子である。これにより、下地層及び反強磁性層間に拡散防止層を導入することにより、磁気抵抗素子の形成時、高温工程または、使用時高温に加熱される場合、主要成分の拡散を防止してその磁気的な特性を安定的に維持できる。 （もっと読む）

２つの強磁性層をこれらの層の間に非磁性中間層がない状態に備えるスピントロニクス素子。２つの強磁性層は、１つ以上の外部磁界の適用、および／または電流誘起スイッチングの採用、および／または光スピンポンピングの適用のようなさまざまな手段、しかしこれらに限定されることのないさまざまな手段によって、独立して切り換えることができる。
（もっと読む）

【課題】 インダクタンス値を限りなく低くした、また、ノーマルモード特性にて、ノイズを与えない磁気結合の優れた高効率なインダクタンス構造とした、薄いフレキシブルなフリップチップタイプの薄膜磁性体を用いたインダクタを得る。
【解決手段】 薄い薄膜磁性体からなる第１の磁性層上層１０，１２と、相対する１対の導体コイルと、絶縁層からなるコイル構造であって、磁性体は、数μｍから数１０μｍの樹脂基板の両面上に、第１の磁性層上層１０，１２を成膜して構成した複合磁性体を、相対して接着した導体コイルの両側に配置し、前記導体コイルは、樹脂基板の片側に渦巻き状に形成され、内端が前記樹脂基板の厚み方向に貫通するスルーホール媒体を介して前記樹脂基板の他面側に導かれており、極薄でフレキシブルなフリップチップタイプのコモンモードチョーク構成である薄膜磁性体を用いたインダクタとする。 （もっと読む）