【課題】 高機能な永久磁石材料の製造方法であって、鉄-白金系合金の保磁力を増大させることができ、しかも、増大させる保磁力の大きさや増大させる部位についても容易に制御できる保磁力に優れた鉄-白金系磁性合金の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明では、鉄-白金系磁性合金の製造する際、熱処理を行う前に、鉄-白金系合金にＮイオンビームを照射して窒素原子を直接注入する工程を採用したことにより、従来の反応性スパッタ法よりも窒素元素の添加量を大幅に増やすことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、磁気減衰自由層を備えたスピントルク発振器（ＳＴＯ）を提供する。
【解決手段】スピントルク発振器（ＳＴＯ）は、発振自由強磁性層の磁気減衰を増加させる。ギルバート磁気減衰パラメータ（α）は、少なくとも０．０５、好ましくは０．０５より大きい。自由層は、任意のタイプの従来の強磁性材料であってもよいが、ドーパントとして１つまたは複数の減衰元素を含む。減衰元素は、Ｐｔ、Ｐｄおよび１５のランタニド元素からなる群から選択される。自由層減衰は、自由層に隣接する減衰層によって増加させてもよい。減衰層の一タイプは、Ｍｎ合金のような反強磁性材料であってもよい。反強磁性減衰層に対する変更例として、二重層減衰層を、反強磁性減衰層と、自由層および反強磁性層間の非磁性金属導電分離層とで形成してもよい。別のタイプの減衰層は、Ｐｔ、Ｐｄおよびランタニドから選択された元素の１つまたは複数で形成された層であってもよい。 （もっと読む）

【課題】磁気記録素子のＭＲ比の向上を図る。
【解決手段】実施形態に係わる磁気記録素子は、磁化が可変で磁化容易軸方向が膜面に垂直となる方向の磁気記録層１１と、磁化が膜面に垂直となる方向に固定される磁気固着層１２と、磁気記録層１１と磁気固着層１２との間の非磁性バリア層１３と、磁気記録層１１と非磁性バリア層１３との間の挿入層１４とを備える。挿入層１４は、軟磁性材料、ホイスラー合金、ハーフメタル酸化物、及び、ハーフメタル窒化物のうちの１つを含む。 （もっと読む）

【課題】高い強磁性共鳴周波数を有するグラニュラ磁性材料を利用しつつ、強磁性共鳴線幅の増加を抑制し、動作周波数の広い積層磁性薄膜及び磁性部品を提供する。
【解決手段】積層磁性薄膜１０は、絶縁体媒質１４中に磁性粒子１６が分散されたグラニュラ磁性層１２と絶縁層１８とを交互に積層した構造であり、磁性粒子１６には結晶配向を促すＰｄが添加されている。Ｐｄの添加量は、グラニュラ磁性層１２をＣｏＦｅＰｄＳｉＯとし、絶縁層１８をＳｉＯ_２とする積層磁性薄膜１０においては、Ｃｏ−Ｆｅの磁性粒子１６に対し、２０ａｔ％以上とすることが好ましい。グラニュラ磁性層１２と絶縁層１８の積層構造により、磁性粒子１６の粒径の分布を抑制して膜厚方向の磁性粒子１６の間隔を一定に保ち、前記Ｐｄの添加により磁性粒子１６の結晶配向を促して磁化容易軸方向の分散に起因した強磁性共鳴線幅の増加を抑制する。 （もっと読む）

【課題】超高密度記録、センシング、生物医学、画像化技術などの広い分野に応用して好適な、貴金属に起因する表面プラズモンを用いた高い磁気光学性能を有する磁気光学材料を提供する。
【解決手段】上記課題は、チタニアナノシートなどの極薄い磁性体を貴金属表面上に配置することにより達成される。 （もっと読む）

【課題】ヘッド・媒体の物理的劣化を抑制し、書き込みに十分な磁界を発生でき、オーバーライト特性（ＯＷ）と分解能がともに増大できる垂直磁気記録媒体及びこれを備えた磁気ディスク装置を提供する。
【解決手段】基板と、この基板上に設けられ軟磁性材料からなる下地層と、この下地層上に設けられ媒体面に対し垂直方向に容易軸を有する記録層と、この記録層上に設けられ軟磁性粒子が混在する保護層を有する記録媒体と、この記録媒体に垂直方向に磁界を加える主磁極と、記録媒体からのリターン磁界を受けるライトヨークを有する記録用磁気ヘッドとを有し、前記主磁極と前記ライトヨークとの間の距離が、前記主磁極と前記記録媒体中の下地層との間の距離よりも短いことを特徴とする磁気ディスク装置。 （もっと読む）

【課題】書込電流を増大させることなく、熱安定性を改善することができる記憶素子の提供。
【解決手段】記憶素子３は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層１７と、記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層１５と、記憶層と磁化固定層の間に設けられる非磁性体による絶縁層１６とを有する。そして磁化固定層は、非磁性層を上下に強磁性層で挟み込む構造となっており、上下の強磁性層は磁気的に反平行に結合される積層フェリピン構造であり、記憶層、絶縁層、磁化固定層を有する層構造の積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、上記記憶層の磁化の向きが変化して、上記記憶層に対して情報の記録が行われるとともに、記憶層が受ける、実効的な反磁界の大きさが、記憶層の飽和磁化量よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】反転磁界分散が小さい熱アシスト磁気記録媒体、及びそれを用いた磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】基板と、該基板上に形成された複数の下地層と、Ｌ１_０構造を有する合金を主成分とする磁性層からなる磁気記録媒体において、下地層の少なくとも一つが、ＴｉＣであることを特徴とする熱アシスト磁気記録媒体を用いる。また下地層を、Ｃｒ、もしくはＣｒを主成分とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｕのうちの少なくとも１種類を含有するＢＣＣ構造を有する下地層の上に形成する。 （もっと読む）

【課題】書込電流を増大させることなく、熱安定性を改善することができる記憶素子の提供、及び記憶層の微細加工時の抵抗上昇の防止。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層１７と、記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層１５と、記憶層と磁化固定層の間に設けられる非磁性体による絶縁層１６とを有する。そして積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層の磁化の向きが変化して情報の記録が行われる。ここで記憶層が受ける実効的な反磁界の大きさが、記憶層の飽和磁化量よりも小さいものとされている。これにより書込電流を増大させることなく、熱安定性を改善することができる。また記憶層１７を構成する強磁性層は、ＣｏＦｅＢを母材とし且つ当該母材に耐食性元素が添加されている。これにより記憶層の微細加工時の抵抗上昇の防止が図られる。 （もっと読む）

【課題】産業上の有用性が高い軽元素磁性材料を配向制御させることによる磁性材料の積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、電池電極、キャパシタ電極、燃料電池電極、太陽光発電電極などの産業分野において好適に用いられる、炭素や窒素、シリコン、ホウ素、酸素、アルミニウム、リン、イオウなどの軽い元素からなる磁性材料、たとえば磁性グラフェンや磁性グラファイトに外部磁界を印加することにより、分子および粒子の配置方向を制御し、前記材料を３次元的に積層させることを特徴とする磁性材料の積層体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】書込電流を増大させることなく、熱安定性を改善することができる記憶素子の提供。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層１７と、記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層１５と、記憶層と磁化固定層の間に設けられる非磁性体による絶縁層１６とを有する。そして積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層の磁化の向きが変化して情報の記録が行われる。ここで記憶層が受ける実効的な反磁界の大きさが、記憶層の飽和磁化量よりも小さいものとされている。 （もっと読む）

【課題】書き込み電流を低減する。
【解決手段】磁気抵抗素子１０は、膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、磁化方向が可変である記録層１３と、膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、磁化方向が不変である参照層１５と、記録層１３及び参照層１５間に設けられた中間層１４と、記録層１３の中間層１４が設けられた面と反対面に設けられた下地層１２とを含む。記録層１３は、中間層１４側に設けられかつＣｏＦｅを主成分とする磁性層１３Ｃと、下地層１２側に設けられかつＣｏＦｅを主成分とする磁性層１３Ａとを有し、磁性層１３ＣのＦｅの濃度が磁性層１３ＡのＦｅの濃度より高い。下地層１２は、窒素化合物からなる。 （もっと読む）

【課題】搬送時にも基板を清浄に保つことができる技術を提供する。
【解決手段】
搬送槽１１０とゲートバルブ３３の間に二重オーリング１１５ｂ、１１６ｂを配置し、二重オーリング１１５ｂ、１１６ｂの間の密閉空間８０ｂに真空排気系３３９を接続し、密閉空間８０ｂを真空排気する。密閉空間８０ｂ内に大気が浸入しても真空排気によって除去されるので搬送槽１１０内に大気が浸入せず、搬送槽１１０内を高真空状態に置ける。ＭＲ比の大きいトンネル接合磁気抵抗効果素子を作成することができる。 （もっと読む）

【課題】 スピン注入層の強固さを向上させ、より大きな発振磁界を生成可能なＳＴＯ構造を提供する。
【解決手段】 Ｔａ層と、ｆｃｃ［１１１］またはｈｃｐ［００１］結晶配向構造を有する金属層Ｍ１とを含む複合シード層２１の上に、高い垂直磁気異方性（ＰＭＡ）を示す多層構造（磁性層Ａ１／磁性層Ａ２）_x を含むスピン注入層２２を形成する。さらに、スピン注入層２２の上に、非磁性スペーサ層２３、高飽和磁束密度層（高Ｂｓ層）を含む磁界発生層（ＦＧＬ）２４およびキャップ層２５を順次形成する。薄いシード層であってもスピン注入層２２の強固さを向上させ得る。高いＰＭＡの多層構造（Ａ１／Ａ２）_x と高Ｂｓ層との結合を含む複合ＳＩＬを用いれば、スピン注入層をより強固にできる。高いＰＭＡの多層構造（Ａ１／Ａ２）_Y と高Ｂｓ層との結合を含む複合ＦＧＬを用いれば、高Ｂｓ層内部に部分的ＰＭＡを確立でき、容易なＦＧＬ発振が可能になる。 （もっと読む）

【課題】フィルムスタック内の結晶アライメントのためのケイ素／金シード構造を提供する。
【解決手段】ケイ素／金（Ｓｉ／Ａｕ）二層シード構造が、フィルムスタック内で、非晶質または結晶質の下部層と明確な結晶構造を伴う上部層との間に位置設定される。シード構造は、下部層の全体的に平担な表面上のＳｉ層と、Ｓｉ層上のＡｕ層を含む。Ｓｉ／Ａｕ界面は、面内配向された（１１１）平面を有する面心立方（ｆｃｃ）結晶構造を伴うＡｕ層の成長を開始させる。Ａｕ層で成長した上部層は、ｆｃｃまたは六方最密充填（ｆｃｃ）結晶構造を有する。上部層がｆｃｃ材料である場合には、その［１１１］方位はＡｕ層の（１１１）平面に対し実質的に垂直に配向され、上部層がｈｃｐ材料である場合、そのｃ軸はＡｕ層の（１１１）平面に対して実質的に垂直に配向される。 （もっと読む）

【課題】補助記録層としての機能を維持しつつ薄膜化を図り、ＳＮＲの向上の向上を図ることを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる垂直磁気ディスク１００の製造方法の構成は、基板１１０上に、柱状に成長したＣｏＣｒＰｔ合金を主成分とする磁性粒子の周囲に酸化物を主成分とする非磁性物質が偏析して粒界部が形成されたグラニュラ磁性層１６０を成膜するグラニュラ磁性層成膜工程と、グラニュラ磁性層より上方に、ＣｏＣｒＰｔＲｕ合金を主成分とし膜厚が１．５〜４ｎｍである補助記録層１８０を成膜する補助記録層成膜工程と、補助記録層を成膜した基板を２１０〜２５０℃に加熱する加熱工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】膜面垂直通電（ＣＰＰ）読み取りセンサの縦バイアス積層構造を提供する。
【解決手段】ＣＰＰ読み取りセンサの検知層構造を安定化させるための、改良された縦バイアス積層構造を有する読み取りヘッドが提供される。縦バイアス積層構造は、２つの側部領域の各々において、絶縁層によってＣＰＰ読み取りセンサから分離され、絶縁層とＣＰＰ読み取りセンサとともに、読み取りヘッド内の上側および下側強磁性シールドの間に挟まれる。本発明の好ましい実施形態において、縦バイアス積層構造は主として、Ｆｅ−Ｐｔ縦バイアス層を含み、シード層を持たないため、絶縁層のみの厚さで、Ｆｅ−Ｐｔ縦バイアス層とＣＰＰ読み取りセンサの間の間隔が決定される。シード層を持たないＦｅ−Ｐｔ縦バイアス層は、アニーリング後に良好な膜面内の硬磁性を呈し、間隔が狭いため、この安定化方式は有効である。 （もっと読む）

【課題】柱状晶の頂部にドーム状の凸部が形成された配向制御層を有し、なおかつ、平滑性が高く、記録再生特性に優れる高密度記録に適した磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】非磁性基板の上に、軟磁性下地層と、直上の層の配向性を制御する配向制御層３と、磁化容易軸が前記非磁性基板に対して主に垂直に配向した垂直磁性層４とを、少なくとも積層してなる磁気記録媒体であって、前記配向制御層３が、磁性材料を２０ａｔ％〜５０ａｔ％の範囲内で含み、前記磁性材料がＣｏまたはＦｅであるＲｕ合金層を含むものであり、前記垂直磁性層４が、前記配向制御層３を構成する結晶粒子と共に厚み方向に連続した柱状晶を含むものである磁気記録媒体とする。 （もっと読む）

【課題】凹凸パターンで形成された記録層を有し記録密度が高く磁気信号の記録の信頼性が高い磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】磁気記録媒体１０は、基板１２と、基板１２の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素１４を構成する記録層１６と、を有し、記録層１６の材料はＣｏ、Ｃｒ及びＰｔを含む磁性粒子と、Ｃｒを含み磁性粒子の間に存在する非磁性材料と、を含む材料であり、記録要素１４を構成するＣｏ、Ｃｒ及びＰｔの原子数の合計値に対する記録要素１４を構成するＣｒの原子数の比率が記録要素１４の側壁部１４Ａにおいて記録要素１４の中央部１４Ｂにおけるよりも低くなるように記録要素１４中にＣｒが偏って分布している。 （もっと読む）

【課題】従来よりいっそうの超高記録密度化に対応可能な垂直磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板上に少なくとも、非晶質のセラミックスからなるシード層、結晶性の配向制御層及びＦｅＰｔ合金を主成分とする材料からなる磁性層をこの順に備える垂直磁気記録媒体である。この垂直磁気記録媒体は、基板上に少なくとも、上記シード層、上記配向制御層及びＦｅＰｔ合金を主成分とする材料からなる磁性層をこの順にスパッタ成膜し、前記磁性層を５００℃以下の所定温度で成膜することによって好適に製造される。 （もっと読む）