【課題】パターンマスクの除去効率を損なうことなく処理時間の短縮を図ることができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、磁性層１２を磁気分離するためのイオン注入工程に際して基板１１をレジストパターン１３の除去反応温度域にまで昇温させ、イオン注入後はその基板温度を利用してレジストパターン１３のアッシング処理を実施する。これにより、レジストパターンの除去効率を損なうことなく、レジストパターン除去のための処理時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】記録された磁気信号の安定性に優れ、かつ、熱アシスト磁気記録方式による磁気信号記録の可能な磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】Ｐｔ含有量が４４ａｔ％以上５５ａｔ％以下であり、かつ、Ｎｉ／（Ｃｏ＋Ｎｉ）の原子含有量比が０．６４以上０．８以下であるＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金の強磁性結晶粒子を含む磁気記録層５０を磁気記録媒体１に適用する。この磁気記録媒体１は、磁気記録層５０を構成する上記Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金が常温では非常に高い異方性磁界を有するため、記録された磁気信号の安定性に極めて優れている。また、この磁気記録媒体１は、磁気記録層５０を構成する上記Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金が適切な温度範囲のキュリー点をもつため、熱アシスト磁気記録方式での信号記録が可能である。 （もっと読む）

【課題】一つの試料を作製するだけで、フェライトの組成変化に伴う磁気特性の変化を連続して測定することができるフェライトの特性評価方法を提供する。
【解決手段】透光性を有する単結晶基板上に、薄膜形成法を用いて、成分組成を水平方向に傾斜させて製膜した複数層の組成傾斜フェライト層からなる組成傾斜フェライト薄膜を形成し、該フェライト薄膜の組成傾斜方向に沿い連続して磁気光学効果を測定することにより、該フェライトの組成変化に伴う磁気特性の変化を連続して測定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、媒体保護層の成膜時に加熱しても、保磁力Ｈｃと信頼性の両方を、より高いレベルで両立させることが可能な垂直磁気記録媒体の製造方法および垂直磁気記録媒体を提供することを目的としている。
【解決手段】ディスク基体１１０上に少なくとも、柱状に成長した結晶粒子の間に非磁性の粒界部を形成したグラニュラー構造の強磁性層である磁気記録層１２２ｂと、水素化カーボンを主成分とする媒体保護層１２６とを、この順に備える垂直磁気記録媒体１００の製造方法において、磁気記録層１２２ｂを、粒界部が複数の種類の酸化物を含有するように成膜する磁気記録層成膜工程（ステップＳ３１０）と、磁気記録層１２２ｂが成膜されたディスク基体１１０を１６０〜２００℃に加熱した状態で媒体保護層１２６を成膜する媒体保護層成膜工程（ステップＳ３３０）とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＰＰ−ＧＭＲにおいて、適度な面積抵抗と高い磁気抵抗変化率を有し、かつ狭リードギャップの要請に対応した実用的な磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が一方向に固着された第１の強磁性体膜１１７を含む強磁性固定層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する第２の強磁性体膜１２３を含む強磁性自由層と、強磁性固定層と強磁性自由層との間に設けられた中間層１２１と、電流を絞り込むための電流狭窄層１２０を有し、強磁性固定層及び強磁性自由層の少なくとも一方は高分極率層を有する。 （もっと読む）

【課題】記録密度の増加に伴い、技術的困難に直面している磁気記録装置において、従来と同等以上の記録再生特性を確保しつつ、記録密度を大幅に増加させた磁気記録媒体を効率よく生産する技術を提供すること。
【解決手段】非磁性基板の少なくとも一方の表面に、磁気的に分離した磁気記録パターンを有する磁気記録媒体の製造方法である。この製造方法は、磁気記録パターンの形成を、磁性層とオゾンとの反応により磁性層の磁気特性を部分的に非磁性化等により磁気特性を低下させ、その低下させた領域により磁性層を分離する方法である。
磁性層としてはグラニュラ構造の磁性層の上に非グラニュラ構造の磁性層を形成した2層構造とすることもできる。 （もっと読む）

【課題】磁性体と半導体の両方の性質を備えるイルメナイト・ヘマタイト固溶体秩序相薄膜の伝導性を制御する。
【解決手段】本発明に係る強磁性酸化物半導体薄膜は、パルスレーザー堆積法によって単結晶基板上にｃ軸配向して成長されたイルメナイト・ヘマタイト固溶体秩序相薄膜であって、組成式が、
｛ｘＦｅＴｉＯ_３・（１−ｘ）Ｆｅ_２Ｏ_３｝（但し、ｘは全体に対するイルメナイトＦｅＴｉＯ_３の構成比を表し、０〜１の間の値をとる。）で表されることを特徴とする。
本発明に係る強磁性酸化物半導体薄膜は、所望の伝導性を有し、かつｃ軸配向したイルメナイト・ヘマタイト固溶体秩序相薄膜からなる。本発明に係る方法により製造された薄膜はｃ軸方向に高配向しており、単結晶と同程度の品質を具備している。 （もっと読む）

高密度配列が可能なナノ粒子デバイス及びナノ粒子デバイスの製造方法を提供する。基板（１）上に非エピタキシャル成長により下地微結晶膜（２）を形成し、この下地微結晶膜（２）の材料とナノ粒子材料（４）の格子定数を適合させ、前記下地微結晶膜（２）の個々の下地微結晶の表面を微小空間として用い、前記下地微結晶にローカルにエピタキシャル成長させ、前記微小空間毎にナノ粒子を生成する。 （もっと読む）