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Fターム[5E049DB08]の内容

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Fターム[5E049DB08]に分類される特許

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【課題】面内におけるいかなる方向の外部磁場に対しても応答を示し、かつ外部磁場の方向を検出可能で、スイッチ素子として利用可能な薄膜磁気抵抗素子を提供すること、及びこれを用いた実用的な薄膜磁気センサを提供すること。
【解決手段】薄膜磁気抵抗素子については、絶縁基板1上に形成された内側軟磁性膜2、外側軟磁性膜3、薄膜磁気抵抗素子4及び必要な配線5を有し、内側軟磁性膜2の外縁部と外側軟磁性膜3の内縁部との間の間隙6内に磁気抵抗効果膜4が形成され、外側軟磁性膜3は、互いに直交する方向に形成された切欠部7a,7b,7c,7dにより、4個の扇状外側軟磁性膜3a,3b,3c,3dに分割されているという構成にする。薄膜磁気センサについては、この薄膜磁気抵抗素子を可変抵抗部とするブリッジ回路を組むという構成にする。 (もっと読む)


【課題】高密度に記録可能で、S/N比が高い磁気記録媒体及びその効率的な製造方法、並びに情報記録再生能に優れた磁気記録再生装置の提供。
【解決手段】本発明の磁気記録媒体の製造方法は、化学合成により作製した磁性ナノ粒子を少なくとも含む分散液を、被加工面上に塗布して磁性膜を形成する磁性膜形成工程と、該磁性膜に対し、磁場中にて熱処理を行う第1熱処理工程と、該第1熱処理工程の後、前記磁性膜上に磁性材料をスパッタ法により堆積させる磁性材料堆積工程と、該磁性材料が堆積された前記磁性膜に対し、非磁場中にて熱処理を行う第2熱処理工程とを、少なくとも含むことを特徴とする。 (もっと読む)


化学的規則垂直記録媒体及び該媒体の製造方法を提供する。この方法は基板上に(002)配向を有する下層を堆積させる工程を含む。下層の上には(002)配向を有する緩衝層を堆積させる。次に、緩衝層の上には磁気記録層を堆積させる。下層及び磁気記録層は格子ミスフィットを有して、磁気記録層の形成中にひずみエネルギーを誘発する。該ひずみエネルギーが、約400℃未満の基板温度で化学的規則構造を備えた磁気記録層を形成する。 (もっと読む)


【課題】面内方向の磁場に対して等方性の高い応答を示し、かつスイッチ素子として利用可能な薄膜磁気抵抗素子を提供する。また、この素子を用いた実用的な薄膜磁気センサを提供する。
【解決手段】薄膜磁気抵抗素子については、絶縁基板1上に形成された内側軟磁性膜2、外側軟磁性膜3、薄膜磁気抵抗素子4及び必要な配線5を有し、内側軟磁性膜2の外縁部と外側軟磁性膜3の内縁部との間に形成された一定間隔の間隙6内に磁気抵抗効果膜4を形成するという構成にする。薄膜磁気センサについては、この薄膜磁気抵抗素子を可変抵抗とするブリッジ回路を組むという構成にする。外側軟磁性膜3には、半径方向に延びるスリット状の切欠部8を形成することもできる。 (もっと読む)


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