【課題】熱安定性を確保して特性バランスに優れた記憶素子を実現する。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。その上で、上記層構造の積層方向に電流を流すことで記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われる。そして記憶層は、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層と、少なくとも１つの非磁性層を有し、酸化物層、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層、非磁性層が順に積層された積層構造が形成されているようにする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法等により形成される不規則なＡ１構造を有するＦｅ−Ｐｔ系合金薄膜を、熱処理以外の方法により規則化させてＬ１_０構造を有するＦｅ−Ｐｔ系合金磁性薄膜にすることができる手段を提供すること。
【解決手段】Ｆｅ−Ｐｔ合金に特定量のＰを単独で配合するか或いは特定量のＣｕ又は特定量のＣｕ及びＡｇと共に配合すると、電子線照射により、熱処理することなく、規則化を行うことができるＦｅ−Ｐｔ系合金薄膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 高機能な永久磁石材料の製造方法であって、鉄-白金系合金の保磁力を増大させることができ、しかも、増大させる保磁力の大きさや増大させる部位についても容易に制御できる保磁力に優れた鉄-白金系磁性合金の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明では、鉄-白金系磁性合金の製造する際、熱処理を行う前に、鉄-白金系合金にＮイオンビームを照射して窒素原子を直接注入する工程を採用したことにより、従来の反応性スパッタ法よりも窒素元素の添加量を大幅に増やすことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ヘッドスペーシングの拡大、および磁性層の磁気異方性の低下を抑制することができる垂直磁気記録媒体の製造方法の提供。
【解決手段】（１）規則合金を構成する金属および炭素を含むターゲットを用いるスパッタ法によって、非磁性基板上に、規則合金の結晶粒子および炭素からなる粒界層を含む磁気記録層と、磁気記録層上に存在し、炭素からなる保護層前駆体とを形成する工程と、（２）保護層前駆体に、炭化水素系ガスに対するプラズマ放電により生成した炭化水素系イオンを照射して、保護層前駆体を保護層に変化させる工程とを含み、炭化水素系イオンは保護層前駆体に到達する際に３００ｅＶ以上のエネルギーを有することを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】磁気記録層が所定のパターンに加工された磁気記録媒体において、良好な記録再生特性を得る。
【解決手段】磁気記録媒体１０は、垂直磁気記録層５、クロム、チタン、及びシリコンから選択される磁性失活元素を含むＲｕ非磁性下地層２、及び非磁性基板１を含む積層に、磁性失活ガスを用いてガスイオン照射を行なうことにより形成される。ガスイオン照射を行なう前の垂直磁気記録層は、鉄及びコバルトのうち少なくとも１つ、及びプラチナを含有する。ガスイオン照射には、ヘリウム、水素、及びＢ_２Ｈ_６からなる群から選択される少なくとも１種のガスと窒素ガスの混合ガス、あるいは単独の窒素ガスのいずれかを使用する。 （もっと読む）

【課題】 Ｔａなどの高融点金属層とＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石が積層された高性能永久磁石薄膜を用いた、高加工精度の小型・高性能なマイクロデバイスを、低コストで大量に生産することができる、希土類永久磁石薄膜の製造方法の提供。
【解決手段】基板上に、厚さ５００ｎｍ以下の希土類合金磁性層と、厚さ５０ｎｍ以下の高融点金属層を含む多層構造を有する希土類永久磁石薄膜を形成し、前記希土類永久磁石薄膜上にフォトレジスト層を形成し、前記フォトレジスト層を露光、現像することによりパターニングし、前記パターニングされた前記フォトレジスト層をマスクとして、露出した前記希土類永久磁石薄膜をイオンミリングにより除去し、残存する前記希土類永久磁石薄膜上の前記フォトレジスト層を酸素プラズマアッシングにより除去する。 （もっと読む）

【課題】 効率的に且つ十分に非記録部の磁性が失活した磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に磁気記録層を含む磁気記録媒体において、前記磁気記録層は、記録部と非記録部とから成るパターンを有し、前記非記録部は、前記記録部が非磁性化した構造を有し、前記非記録部は、バナジウムおよびジルコニウムから成る群から選択される少なくとも１つの金属元素と、窒素、炭素、ホウ素および酸素から成る群から選択される少なくとも１つの元素とを含み、前記非記録部に含まれる窒素、炭素、ホウ素および酸素から成る群から選択される少なくとも１つの元素の含有量は、前記記録部に含まれる元素の含有量よりも多い磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】パターンマスクの除去効率を損なうことなく処理時間の短縮を図ることができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、磁性層１２を磁気分離するためのイオン注入工程に際して基板１１をレジストパターン１３の除去反応温度域にまで昇温させ、イオン注入後はその基板温度を利用してレジストパターン１３のアッシング処理を実施する。これにより、レジストパターンの除去効率を損なうことなく、レジストパターン除去のための処理時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】鮮明な磁気記録パターンを有する磁性層の平滑化プロセスを高速で行うことを可能とした磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】研磨加工は、回転する研磨パッド１０１を非磁性基板１の表面に押し付けながら、この非磁性基板１の表面と研磨パッド１０１との間に研磨液Ｓを供給し、非磁性基板を回転又は揺動させることにより行い、研磨液Ｓは、単結晶のダイヤモンド粒子と研磨助剤とを含み、ダイヤモンド粒子は、その１次粒子径が１〜１０ｎｍの範囲、その２次粒子径が５０〜１００ｎｍの範囲にあり、研磨助剤は、スルホン酸基又はカルボン酸基を有する有機重合物を含む。 （もっと読む）

【課題】磁性層を備えたトラック及びそれを備える磁性素子を提供する。
【解決手段】複数の磁区及びそれらの間に磁壁を有するトラックと、前記トラックに連結された磁壁移動手段と、前記トラックについての情報の再生及び記録のための読み取り／書き込み手段と、を備え、前記トラックは、前記磁区及び磁壁を有する磁性層と、前記磁性層の第１面に備えられた第１非磁性層と、前記磁性層の第２面に前記第１非磁性層と異なる物質で形成され、原子番号が１４以上である金属及びマグネシウムのうち少なくとも一つを含む第２非磁性層と、を備える磁性素子である。かかる構造に起因して、磁性層は、高い非断熱係数（β）を有する。磁性素子は、例えば、情報保存素子（メモリ）である。 （もっと読む）

【課題】低保磁力と低い残留磁束密度をもつ軟磁性膜を備え、この軟磁性薄膜で磁気収束する半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１に設けられたホール素子２と、このホール素子１上に設けられた軟磁性薄膜６とを備え、軟磁性薄膜６が、少なくともホウ素を含有している。半導体基板１上で、かつホール素子２上に設けられた有機絶縁膜４と、この有機絶縁膜４と軟磁性薄膜６との間に設けられた金属導電層５とを備え、軟磁性薄膜６が、金属導電層５上で少なくとも１個以上のホール素子２の感磁部を覆うように配置されている。 （もっと読む）

【課題】フェライトメッキ法に基づいたフェライト膜付着体の製造方法であって均質なフェライト膜を有するフェライト膜付着体の製造方法を提供すること。
【解決手段】基体３とその基体３に付着したフェライト膜とを備えるフェライト付着体を製造する製造方法を提供する。この製造方法は、基体３の裏側に１００μｍ以上のスペースを空けた状態で基体３を支持し、少なくとも第１鉄イオンを含む反応液と少なくとも酸化剤を含む酸化液とを反応液ノズル１及び酸化液ノズル２から基体３の表側に供給し、反応液と前記酸化液に対して重力以外に起因する２〜１５０ｍ／ｓ^２の加速度を加える。 （もっと読む）

【課題】高密度磁気記録に対応可能な磁気センサを提供する。
【解決手段】ＴＭＲセンサ１は、シード層１４、ＡＦＭ層１５、ピンド層１６、スペーサ層１７、フリー層１８およびキャップ層１９が順に積層されたものである。ピンド層１６は、ＡＦＭ層１５の側から、ＡＰ２層１６３と結合層１６２とＡＰ１層１６１とが順に積層されたシンセティック反強磁性ピンド構造を有する。スペーサ層１７は、例えば金属層と、低バンドギャップ絶縁層もしくは半導体層とが交互に形成された多層構造を有する。金属層は例えば銅層であり、低バンドギャップ絶縁層はＭｇＯ層である。 （もっと読む）

【課題】高い磁気抵抗変化率（ＭＲ比）と低い層間結合磁界（Ｈｉｎ）を両立するスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に緩衝層、反強磁性層、磁化固定層、非磁性伝導層、磁化自由層、保護層が連続的に積層されたスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜において、所定の積層界面にプラズマ処理を施して磁化固定層と磁化自由層の間に作用する層間結合磁界を低減し、高ＭＲ比が得られるようにする。 （もっと読む）

【課題】Ｃｏ、Ｒｕなどの希少金属を用いることなく、磁気的に反平行状態で結合した構造を含む磁気記録媒体、垂直磁気記録媒体、磁気記憶装置、磁気メモリセルを提供すること。
【解決手段】第１磁性層と第２磁性層とが非磁性層を介さず、磁気的に反平行状態で結合した構造を含む磁気記録媒体磁気記録媒体ならびに垂直磁気記録媒体、磁気記憶装置、磁気メモリセルであって、第１磁性層がスピネル型または逆スピネル型のイオン結晶構造をもつ酸化物からなり、第２磁性層が単体で強磁性を有する金属または、単体で強磁性を有する金属を含む合金からなる。 （もっと読む）

【課題】磁性薄膜の選択的なエッチングを可能にして生産性を向上させた磁気デバイスの製造方法及び磁気デバイスの製造装置を提供するものである。
【解決手段】基板Ｓ上に、鉄、コバルト、ニッケルの群から選択される少なくとも一種の元素を含有した磁性層と、磁性層５１のエッチング領域５１Ｅを露出するマスクパターン５２を形成する。そして、基板Ｓ上にシクロペンタジエンを含むエッチングガスＬを供給し、エッチング領域５１Ｅとシクロペンタジエンとの熱反応により、エッチング領域５１Ｅの磁性層５１をメタロセンＭＣにして排気させた。 （もっと読む）

【課題】 非磁性基板の少なくとも一方の表面に、磁気的に分離した磁気記録パターンを有する磁気記録媒体において、従来の物理的な磁気層加工型と比較しその磁性層除去工程を排除することにより格段に製造工程を簡略化し、かつ汚染リスクがすくない製造方法と、ヘッド浮上特性に優れた有用なディスクリートトラック型磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 磁気記録媒体の製造方法を、非磁性基板に磁性層を形成する工程、磁性層の上にマスク層を形成する工程、マスク層の上にレジスト層を形成する工程、レジスト層に前記磁気記録パターンのネガパターンを、スタンプを用いて転写する工程、マスク層で磁気記録パターンのネガパターンに対応する部分を除去する工程、レジスト層側表面から磁性層にイオンを注入し、磁性層を部分的に非磁性化する工程、レジスト層およびマスク層を除去する工程をこの順で有するようにする。 （もっと読む）

磁気層構造体を備えるデバイスを製造する方法であって、−前記磁気層構造体（２）を形成するステップと、−前記磁気層構造体を電流で加熱するステップと
を有し、前記電流が、前記層構造体から前記層構造体の環境（４）への熱伝達特性はほとんどもたらされないような期間を有するパルス（３）になるので、前記電流パルスの前後で前記環境の温度はほぼ同じになる方法が開示されている。熱は層構造体においてかなり消費される。それ故に本方法は、隣接するデバイスのような環境を妨害することなく、磁気抵抗デバイスの磁気又は電気的特性を最適化するため、層構造体における物理プロセスの選択を可能にする。本方法は、有利なことに、ホイートストンブリッジ構成体（１６）において構成される異なる磁気抵抗デバイス（12,13,14,15）のバイアス層（5,7）において異なる磁化方向（９，１０）をセットするために、又は前記ホイートストンブリッジの出力特性におけるオフセットを低減するために使用され得る。
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【課題】 磁性材料薄膜の表面を粗雑にすることなく、垂直磁気異方性を増加させることができる磁性材料薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 磁性材料薄膜の製造方法は、磁性材料薄膜を成膜した後、それを試料３として、垂直磁気異方性定数の値がイオンビーム２の照射によって正となるような数値範囲の電流密度でイオンビーム２を試料３に照射する。イオンビーム２の電流密度は、６５μＡ／ｃｍ²以下であることが好ましく、磁性材料薄膜を成膜中にイオンビームを照射してもよい。 （もっと読む）