【課題】向上した磁気性能および堅牢性を有する磁気読み出しセンサを提供する。
【解決手段】磁気センサは、磁化自由層構造３１０と磁化固定層構造とを含む。磁化固定層構造は、非磁性結合層３１８によって互いに分離させた第１の磁性層３１４および第２の磁性層３１６を含む。磁化固定層構造の第２の磁性層はＣｏＦｅＢＴａの層を含んでおり、この層が原子の拡散を防止し、さらには所望のＢＣＣ結晶粒成長を促進する。磁化自由層構造は、原子拡散をさらに防止し、所望のＢＣＣ粒成長をさらに促進するためのかかるＣｏＦｅＢＴａ層を含むこともできる。 （もっと読む）

【解決課題】 磁場書き込み方式ＭＲＡＭ、および、スピン注入磁化反転方式ＭＲＡＭにおいても、書き込みに必要な電流値を小さくすることが可能な強磁性トンネル接合素子を提供する。
【解決手段】 順に、強磁性層を含む複数の層からなる強磁性自由層２と、絶縁層３と、強磁性層を含む複数の層からなる強磁性固定層４とを積層した構造を有し、前記強磁性自由層２が、該強磁性自由層２の飽和磁化を下げる働きを有する添加元素を、前記絶縁層３と接しない側において前記絶縁層３と接する側よりも多く含む強磁性トンネル接合素子１である。 （もっと読む）

【課題】 複数の磁気層および中間層を有するパターン化垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 パターン化垂直磁気記録媒体は、第１および第２の強磁性層（ＭＡＧ１およびＭＡＧ２）を、ＭＡＧ１とＭＡＧ２との間に第１および第２の非磁性中間層（ＩＬ１およびＩＬ２）を備えた状態で有するディスクリートデータアイランドを有する。ＭＡＧ１およびＭＡＧ２は、類似の厚さを有した類似のＣｏＰｔＣｒ合金でもよく、ＩＬ１およびＩＬ２の厚さは、ＭＡＧ１およびＭＡＧ２が強固に交換結合されることを保証する。あるいは、ＭＡＧ２は、「書き込み補助」層、例えば、交換スプリング構造における高飽和磁化の軟磁性材料でもよく、ＩＬ１は非常に薄く、それによってＩＬ２が、ＭＡＧ１と書き込み補助ＭＡＧ２層間とのカップリング層として機能できる。 （もっと読む）

【課題】高速かつ消費電力が極めて小さい不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】不揮発性磁気メモリに、高出力なトンネル磁気抵抗効果素子を装備し、スピントランスファートルクによる書込み方式を適用する。トンネル磁気抵抗効果素子１は、ＣｏとＦｅとＢを含有する体心立方構造の強磁性膜３０４と、（１００）配向した岩塩構造のＭｇＯ絶縁膜３０５と、強磁性膜３０６とを積層した構造を有する。 （もっと読む）

【課題】高い強磁性共鳴周波数を有するグラニュラ磁性材料を利用しつつ、強磁性共鳴線幅の増加を抑制し、動作周波数の広い積層磁性薄膜及び磁性部品を提供する。
【解決手段】積層磁性薄膜１０は、絶縁体媒質１４中に磁性粒子１６が分散されたグラニュラ磁性層１２と絶縁層１８とを交互に積層した構造であり、磁性粒子１６には結晶配向を促すＰｄが添加されている。Ｐｄの添加量は、グラニュラ磁性層１２をＣｏＦｅＰｄＳｉＯとし、絶縁層１８をＳｉＯ_２とする積層磁性薄膜１０においては、Ｃｏ−Ｆｅの磁性粒子１６に対し、２０ａｔ％以上とすることが好ましい。グラニュラ磁性層１２と絶縁層１８の積層構造により、磁性粒子１６の粒径の分布を抑制して膜厚方向の磁性粒子１６の間隔を一定に保ち、前記Ｐｄの添加により磁性粒子１６の結晶配向を促して磁化容易軸方向の分散に起因した強磁性共鳴線幅の増加を抑制する。 （もっと読む）

【課題】積層構造の中にスピネルフェライト薄膜を配置したスピンフィルタ効果素子において、スピネルフェライト薄膜下部の金属電極層の酸化および下部界面の熱拡散を抑制し、上部界面の大気成分による汚染を排除しつつ、（１００）優先配向したスピネルフェライト薄膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板上に（１００）優先配向のスピネルフェライト薄膜を製造する方法であって、前記製造方法は、スパッタリング法でスピネルフェライト薄膜もしくはその前駆体となる薄膜を基板上に形成するスパッタ成膜ステップと、その基板を真空中で加熱する真空加熱ステップとを有することを特徴とするスピネルフェライト薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】低磁歪定数、高飽和磁束密度及び良好な表面平滑性を備えたハ−ドディスク装置などに用いられる磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】非磁性基板１上に、少なくとも軟磁性裏打ち層１１、下地層６、中間層７及び磁気記録層８をこの順で有する磁気記録媒体において、軟磁性裏打ち層１１が、少なくとも１層以上のナノ結晶粒子を含まないアモルファス構造を有する軟磁性合金膜３，５を含み、この軟磁性合金膜３，５の磁歪定数λの絶対値が１×１０^−６以下である。 （もっと読む）

【課題】磁気記録層が所定のパターンに加工された磁気記録媒体において、良好な記録再生特性を得る。
【解決手段】磁気記録媒体１０は、垂直磁気記録層５、クロム、チタン、及びシリコンから選択される磁性失活元素を含むＲｕ非磁性下地層２、及び非磁性基板１を含む積層に、磁性失活ガスを用いてガスイオン照射を行なうことにより形成される。ガスイオン照射を行なう前の垂直磁気記録層は、鉄及びコバルトのうち少なくとも１つ、及びプラチナを含有する。ガスイオン照射には、ヘリウム、水素、及びＢ_２Ｈ_６からなる群から選択される少なくとも１種のガスと窒素ガスの混合ガス、あるいは単独の窒素ガスのいずれかを使用する。 （もっと読む）

【課題】結晶配向中間層と、中間層上に配設される磁気ゼロ層と、磁気ゼロ層上に配設される磁気記録層とを含む積層体を提供する。
【解決手段】磁気ゼロ層（１４０，２４０）は非磁性であるか、または飽和磁束密度（Ｂ_S）が約１００ｅｍｕ／ｃｃ未満である。磁気ゼロ層（１４０，２４０）および磁性層（１５０，２４２）は、非磁性分離体によって囲まれる粒子を含む。磁気ゼロ層（１４０，２４０）は、格子不整合が約４％未満である、中間層（１３０，２３８）と磁性層（１５０，２４２）との間のコヒーレントな界面を設ける。 （もっと読む）

【課題】面積抵抗のばらつきを抑えつつ、大きなＭＲ変化率を実現する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子４は、外部磁界に対して磁化方向のなす相対角度が変化する第１及び第２の磁性層Ｌ１，Ｌ２と、第１の磁性層Ｌ１と第２の磁性層Ｌ２との間に位置するスペーサ層１６と、を有している。スペーサ層１６は、酸化ガリウムを主成分とし、マグネシウム、亜鉛、インジウム、及びアルミニウムからなる群から選択された少なくとも１つの金属元素を含む主スペーサ層１６ｂを有している。 （もっと読む）

【課題】放熱層を厚膜化した場合でも放熱層が磁気記録層に与える影響を適切に抑制できる磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】熱アシスト磁気記録装置に用いられる磁気記録媒体である。前記磁気記録媒体が、非磁性基体、放熱層、バッファ層、軟磁性裏打ち層、および磁気記録層をこの順に含む。前記バッファ層が、非磁性かつ非晶質の材料からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄厚であり、高周波領域での電磁波吸収性に優れた電磁波吸収膜を提供し、さらに、該電磁波吸収膜を用いた電磁波吸収体を、環境に負荷をかけることなく、比較的容易に製造できる方法を提供する。
【解決手段】基材１０上に、磁性金属及び該磁性金属を酸化してなる金属酸化物を含有し、該金属酸化物の含有率が、10〜50体積％の範囲である電磁波吸収膜２０を形成する。前記電磁波吸収膜２０に前記磁性金属及び該金属の酸化物である前記金属酸化物を含有させることで、同一材料（磁性金属）を用いて前記電磁は吸収膜２０の形成を行うことができるため、前記磁性金属を膜中に均一に分散させることが可能となり、薄厚で、電磁波吸収性に優れた電磁波吸収膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は高い特性を示すスピントロニクス素子を実現するために、０．６５以上のスピン偏極率を持つＣｏ_２Ｆｅ基ホイスラー合金とそれを用いた高特性スピントロニクス素子を提供することを課題とする。
【解決手段】 Ｃｏ_２Ｆｅ（Ｇａ_ＸＧｅ_Ｘ−１）ホイスラー合金は０．２５＜Ｘ＜０．６０の領域でＰＣＡＲ法により測定したスピン偏極率は０．６５以上の高い値を示す。また１２８８Ｋと高いキュリー点をもつことから、Ｃｏ_２Ｆｅ（Ｇａ_ＸＧｅ_Ｘ−１）ホイスラー合金が実用材料として有望である。実際、Ｃｏ_２Ｆｅ（Ｇａ_ＸＧｅ_Ｘ−１）ホイスラー合金を電極としたＣＰＰ−ＧＭＲ素子は世界最高のＭＲ比を、ＳＴＯ素子では高い出力を、ＮＬＳＶ素子では高いスピン信号を示した。 （もっと読む）

【課題】従来のＴＭＲ素子に比べて磁気抵抗を大きくし、出力電圧を大きくすることを目的とする。
【解決手段】磁気抵抗素子は、基板と、前記基板上に形成されたＣｏ，Ｆｅ，Ｂを含む磁性合金からなる強磁性体層と、前記強磁性体層上にトンネル障壁層として（００１）結晶面が優先配向した多結晶酸化マグネシウム層と、を有し、前記強磁性体層が結晶化していることに特徴がある。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録媒体の製造方法が提供される。
【解決手段】垂直磁気記録媒体が、基板、該基板上の下層、該下層上の中間層及び該中間層上の記録層を備える。この下層が、第一軟質下層、該第一軟質下層上の反強磁性的に結合されたＲｕ層、該反強磁性的に結合されたＲｕ層上の第二軟質下層、及び該第二軟質下層上の方位制御層を備え、この方法が、下層を形成する間、基板に負バイアス電圧を印加するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】 積層構造の側方に生成された付着物の影響を受けにくい磁気トンネル接合素子が求められている。
【解決手段】 基板上に形成された下部電極の一部の領域の上に、下部電極とはエッチング特性が異なる導電材料で形成されたバッファ層が配置されている。バッファ層の上に、アモルファスの強磁性材料で形成された第１磁化自由層が配置されている。第１磁化自由層の上に、結晶化した強磁性材料で形成された第２磁化自由層が配置されている。第２磁化自由層の上にトンネルバリア層が配置されている。トンネルバリア層の上に、磁化方向が固定された磁化固定層が配置されている。磁化固定層の上に上部電極層が配置されている。 （もっと読む）

【課題】 良好な信号対ノイズ比（ＳＮＲ）特性と良好な熱揺らぎ耐性を有する磁気記録媒体を用いて、高密度記録を行う。
【解決手段】 基板と、軟磁性層と、軟磁性層上に形成された多層下地層と、多層下地層上に形成された連続膜型磁気記録層とを含む磁気記録媒体。多層下地層は、銅からなり、（１００）面配向した面心立方格子構造をもつ結晶粒子を含有する第１の下地層、第１の下地層上に形成された銅及び窒素からなる第２の下地層、及び第２の下地層上に島状に形成された第３の下地層を含む。連続膜型磁気記録層は、Ｆｅ及びＣｏのうち少なくとも一種の元素、及びＰｔ及びＰｄのうち少なくとも一種の元素を含有し、Ｌ１_０構造を持ち、主として（００１）配向した磁性結晶粒子を含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、垂直磁気記録媒体におけるシード層として用いるＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏ系磁気記録媒体のシード層用合金およびスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍ合金であって、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏの比率がａｔ％で、Ｎｉ：Ｆｅ：Ｃｏ＝９８〜２０：０〜５０：０〜６０、Ｆｅ＋Ｃｏ≧２であり、かつ、Ｍ元素としてＷ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｖ，Ｎｂの１種または２種以上を２〜２０ａｔ％含有することを特徴とする磁気記録媒体のシード層用合金およびスパッタリングターゲット材。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高いＭＲ比を持った磁気抵抗素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、磁気ディスク駆動装置の磁気再生ヘッド、磁気ランダムアクセスメモリの記憶素子及び磁気センサーに用いられる磁気抵抗素子、好ましくは、トンネル磁気抵抗素子（さらに好ましくは、スピンバルブ型トンネル磁気抵抗素子）に関し、基板、トンネルバリア層、Ｃｏ（コバルト）Ｆｅ（鉄）合金からなる強磁性層及びＢ（ボロン）を含有した非磁性金属層を有する磁気抵抗素子。 （もっと読む）

【課題】マグネタイト(Ｆｅ₃Ｏ₄)膜を一方の電極とし、マグネタイト本来のスピン依存電気伝導特性をより反映した、室温で２０％以上の負のＭＲ比を示すＴＭＲ素子を提供すること。
【解決手段】マグネタイト電極と、該マグネタイト電極上に成膜された酸化マグネシウム層と該酸化マグネシウム層上に成膜された２ｎｍ以下の厚さの酸化アルミニウム非晶質層とからなる障壁層と、を備えるトンネル磁気抵抗素子である。サファイア基板(００．１)面上に、マグネタイトを[１１１]方向にエピタキシャル成膜してマグネタイト電極を形成し、該電極上に酸化マグネシウム層を[１１１]方向にエピタキシャル成膜し、その上に酸化アルミニウム非晶質層を成膜して障壁層を形成する。 （もっと読む）