【課題】熱安定性を確保して特性バランスに優れた記憶素子を実現する。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。その上で、上記層構造の積層方向に電流を流すことで記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われる。そして記憶層は、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層と、少なくとも１つの非磁性層を有し、酸化物層、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層、非磁性層が順に積層された積層構造が形成されているようにする。 （もっと読む）

【課題】向上した磁気性能および堅牢性を有する磁気読み出しセンサを提供する。
【解決手段】磁気センサは、磁化自由層構造３１０と磁化固定層構造とを含む。磁化固定層構造は、非磁性結合層３１８によって互いに分離させた第１の磁性層３１４および第２の磁性層３１６を含む。磁化固定層構造の第２の磁性層はＣｏＦｅＢＴａの層を含んでおり、この層が原子の拡散を防止し、さらには所望のＢＣＣ結晶粒成長を促進する。磁化自由層構造は、原子拡散をさらに防止し、所望のＢＣＣ粒成長をさらに促進するためのかかるＣｏＦｅＢＴａ層を含むこともできる。 （もっと読む）

【課題】ヘッドスペーシングの拡大、および磁性層の磁気異方性の低下を抑制することができる垂直磁気記録媒体の製造方法の提供。
【解決手段】（１）規則合金を構成する金属および炭素を含むターゲットを用いるスパッタ法によって、非磁性基板上に、規則合金の結晶粒子および炭素からなる粒界層を含む磁気記録層と、磁気記録層上に存在し、炭素からなる保護層前駆体とを形成する工程と、（２）保護層前駆体に、炭化水素系ガスに対するプラズマ放電により生成した炭化水素系イオンを照射して、保護層前駆体を保護層に変化させる工程とを含み、炭化水素系イオンは保護層前駆体に到達する際に３００ｅＶ以上のエネルギーを有することを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】垂直磁化材料を適用し、ＴＭＲ比の高い磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】ＣｏＦｅＢ層４１／ＭｇＯバリア層１０／ＣｏＦｅＢ層４２の外側に融点が１６００℃以上の単体金属、もしくはその金属を含んだ合金からなる中間層３１，３２を挿入する。中間層３１，３２の挿入により、アニール時におけるＣｏＦｅＢ層の結晶化をＭｇＯ（００１）結晶側から進行させ、ＣｏＦｅＢ層をｂｃｃ（００１）で結晶配向させる。 （もっと読む）

【課題】 基材上に物理蒸着法にて磁性膜を成膜する構造に係り、特に、従来に比べて、通信感度を効果的に向上させることができるＲＦＩＤ用磁性部材及びＲＦＩＤデバイスを提供することを目的としている。
【解決手段】 従来では基材上に磁性膜を単層で成膜したが、本実施形態では、磁性膜７，８を複数層に絶縁膜６ｂを介して分断して物理蒸着法にて積層した。各磁性膜７，８の膜厚は、０．５μｍ以上で３μｍ以下であることが好ましい。また、前記磁性膜の積層数は、２〜８の範囲内にでき、特に、積層数は、２であることが好適である。磁性膜７，８は例えば、Ｆｅ−Ｍ−Ｏ膜、Ｆｅ−Ｍ−Ｎ膜、絶縁膜６ａ，６ｂ，６ｃは例えばＳｉＯ₂膜で形成できる。本実施形態のＲＦＩＤ用磁性部材４を用いることで、従来に比べて、ＲＦＩＤデバイスの通信感度を効果的に向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子（磁気ヘッド）のコア幅を微細化とすることができる磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドの製造方法及び磁気再生記録装置を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子１０は、下地層１１と、反強磁性層１２と、ピンド層（固定側磁性層）１３と、非磁性中間層１４とが順次積層された状態で形成されるとともに、非磁性中間層１４の上面に形成された自由側磁性層（フリー層）１５の一部には、自発磁化を有する磁性金属３０を内部に内包したナノチューブ２０を有する。 （もっと読む）

【課題】 フッ化物からなる絶縁マトリックスに分散したｎｍサイズの磁性グラニュール合金と、不可避的不純物とからなり、室温で５％以上の磁気抵抗比を示し、且つ１×１０⁴μΩcm以上の電気抵抗率を有する磁気抵抗膜の耐熱性を高める。
【解決手段】 組成が一般式Ｆｅ_aＣｏ_bＮｉ_cＳｉ_xＭ_yＦ_zで表わされ、ＭはＭｇ，Ａｌ,Ｃａ,Ｓｒ,Ｂａ及びＧｄのうちから選択される１種又は２種以上の元素であり、かつ組成比ａ,ｂ,ｃ,ｘ,ｙ,ｚは原子比率で、０≦ａ≦６０，０≦ｂ≦６０，０≦ｃ≦６０，２０≦ａ+ｂ+ｃ≦６０,０＜ｘ＜１０,９≦ｙ≦４０，１５≦ｚ≦５０，３０≦ｙ+ｚ≦７０で表わされる磁気抵抗膜。 （もっと読む）

【課題】特にＧＨｚ帯域においても優れた特性を備える高周波磁性材料、これを用いたアンテナ装置およびこの高周波磁性材料の製造方法を提供する。
【解決手段】マトリックス絶縁性酸化物相１４中に、板状磁性体１６が配向分散する磁性膜１２を有する高周波磁性材料１０であって、板状磁性体１６が、磁性膜１２面に対して略垂直に形成され、板状磁性体１６がＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうち少なくとも１種の金属を含有し、マトリックス絶縁性酸化物相１４がシリコン酸化物またはアルミニウム酸化物を主成分酸化物とすることを特徴とする高周波磁性材料、これを用いたアンテナ装置およびこの高周波磁性材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い磁気抵抗変化率（ＭＲ比）と低い層間結合磁界（Ｈｉｎ）を両立するスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に緩衝層、反強磁性層、磁化固定層、非磁性伝導層、磁化自由層、保護層が連続的に積層されたスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜において、所定の積層界面にプラズマ処理を施して磁化固定層と磁化自由層の間に作用する層間結合磁界を低減し、高ＭＲ比が得られるようにする。 （もっと読む）

【課題】２０ｋＯｅ以上の保磁力を持つ磁気媒体を提供する。
【解決手段】高配向磁性薄膜が、Ｌ１₀構造を有する島状微結晶が相互に不連続に並置されてなることを特徴とする構成を採用した。基板温度を上昇させて原子拡散の活発な温度領域で基板上に合金薄膜をスパッタ成膜することによって、２０ｋＯｅ以上の保持力を持つ磁気媒体を提供。電子顕微鏡により観察されたＦｅＰｔ薄膜の微細構造からは、ＦｅＰｔ微粒子の形状が島状になっていることが確認され、個々の島は互いに完全に孤立している。 （もっと読む）

【課題】既存のものよりも保磁力差の小さい、酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜、該磁性膜を形成し得るターゲット材およびスパッタリングターゲット、該ターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｆｅ含量が１００ｐｐｍ以下である、酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜および酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材、該ターゲット材がバッキングプレートに接合されてなるスパッタリングターゲット、ならびに、Ｃｒ鋳塊を、Ｃｏ鋳塊およびＣｏ粉末から選ばれる少なくとも１種のＣｏ原料と共に溶融してＣｏ−Ｃｒ合金を調製した後、該Ｃｏ−Ｃｒ合金をアトマイズ法により処理してＣｏ−Ｃｒ合金粉末を得て、該Ｃｏ−Ｃｒ合金粉末と、Ｐｔ粉末および酸化物粉末とを混合して混合粉末を得て、該混合粉末を成形した後に焼成するか、あるいは成形すると同時に焼成する、酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高Ｓ／Ｎ比かつ高熱擾乱耐性を有する垂直磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、少なくとも磁性層を形成する垂直磁気記録媒体の製造方法であって、前記磁性層である垂直磁気記録層は、磁性結晶粒子と、磁性結晶粒子間に介在する非磁性層からなる結晶粒界とを備え、予め、前記結晶粒界厚と磁化反転核生成磁界Ｈｎとの相関関係を求めておき、前記相関関係に基づいて、所定の磁化反転核生成磁界Ｈｎが得られる結晶粒界厚を選定し、前記選定した結晶粒界厚となるよう製造する、垂直磁気記録媒体の製造方法とした。 （もっと読む）

【課題】 高い保磁力を有する磁性薄膜を提供すること。
【解決手段】 ３２．５〜６５at%のPt、３２．５〜６５at%のFeおよび０．５〜２．５at%のInを含有する磁性薄膜。 （もっと読む）

【課題】低保持力（Ｈｃ＜５×１０³ ／（４π）Ａ／ｍ）、低磁歪（λｓ＜５×１０^-6）および高ＭＲ比（ｄＲ／Ｒ≧１０％）が得られる磁気再生ヘッドを提供する。
【解決手段】ＣＰＰ−ＧＭＲ磁気再生ヘッドに適用されるスピンバルブ構造体１のフリー層２７が、組成Ｃｏ_v Ｆｅ_(100-v) （ｖ＝２０原子％〜７０原子％）で表される高Ｆｅ含有量の下部ＦｅＣｏ層２５と、組成Ｎｉ_w Ｆｅ_(100-w) （ｗ＝８５原子％〜１００原子％）で表される高Ｎｉ含有量の上部ＮｉＦｅ層２６とを含んでいる。ｖ＝２０原子％未満およびｗ＝８５原子％未満である場合と比較して、保持力が低く維持されたまま、磁歪が低くなると共に、ＭＲ比が高くなる。 （もっと読む）

【課題】低いスイッチング磁場と高い磁気抵抗比を有する磁気トンネル接合構造を提供する。
【解決手段】本発明は、非磁性中間層に分離される自由層と固定層とを含む磁気トンネル接合構造であって、非晶質ＮｉＦｅＳｉＢ強磁性層を含む自由層と、前記自由層の上部に形成された非磁性体からなる中間層と、前記中間層の上部に形成された強磁性層である固定層と、を含むことを特徴とする。前記自由層は、例えば非晶質ＮｉＦｅＳｉＢ/ＲＵ/非晶質ＮｉＦｅＳｉＢ層で構成することができる。 （もっと読む）

【課題】 スピン注入効率を改善することにより、情報の記録に要する電流を低減することができる記憶素子を提供する。
【解決手段】 情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層１７を有し、この記憶層１７に対して中間層１６を介して磁化固定層１９が設けられ、積層方向に電流を流すことにより、記憶層１７の磁化の向きが変化して、記憶層１７に対して情報の記録が行われる記憶素子１０において、記憶層１７がＮｉＦｅ合金を主成分として成る構成とする、又は、記憶層１７を構成する磁性体のダンピング定数αがα＜０．０１５を満足する構成とする。 （もっと読む）

【課題】 高い共鳴周波数を有し、高周波特性に優れた磁性薄膜を提供する。
【解決手段】 基板２の上に、斜め成長磁性層３を形成する。その際、斜め成長磁性層３を、基板２の表面に対して斜め方向に柱状に結晶成長させる（斜め成長磁性体４）。また、この斜め成長磁性層３において、斜め成長磁性体４を軟磁性化させるため、この斜め成長磁性体４に絶縁体５を混入する。斜め成長磁性層３が面内結晶磁気異方性を示すようなると共にこの面内結晶磁気異方性が強まり、異方性磁界Ｈｋが増加する。磁性薄膜１の組成を変化させることなく、斜め成長磁性層３の結晶成長方向のみで異方性磁界Ｈｋを変化させることができるので、飽和磁化４πＭｓを減少させることなく異方性磁界Ｈｋを増加させることができ、磁性薄膜１の共鳴周波数ｆｒを高めることができる。よって、高周波特性に優れた磁性薄膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】面積抵抗ＲＡの大幅な増大を招くことなく、高いＭＲ変化率を有する磁気抵抗効果素子を製造できる方法を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた絶縁層及び前記絶縁層を貫通する電流パスを含むスペーサ層と、を有する磁気抵抗効果素子において、前記スペーサ層の下側に位置する前記磁化固着層または前記磁化自由層は膜厚方向に延びる粒界によって分離された結晶粒を含み、前記結晶粒の一端の面内方向位置を０とし、前記結晶粒の他端に隣接する粒界の面内方向位置を１００としたとき、前記電流パスは面内方向位置が２０以上８０以下の範囲内にある領域上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】精密な膜厚制御を行うことが可能なＲｕ膜の形成方法及びトンネル磁気抵抗効果多層膜を提供する。
【解決手段】本発明は、基板２０上にトンネル磁気抵抗効果多層膜を形成する場合において、一対の強磁性膜に挟まれる非磁性Ｒｕ膜をスパッタリング法によって形成する際、前記基板２０に所定のバイアス電位を与える工程を有するものである。この場合、スパッタリングの際、基板２０に対して所定の高周波電力を印加し、基板２０の電位が−２０〜−１００Ｖとなるように制御することができる。 （もっと読む）

【課題】グラニュラー磁気記録層の耐食性に優れた磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】非磁性基板１の上にＮｉTa密着層２、軟磁性層３、Ｔａ中間層４、Ｒｕ中間層５、Ｃｏ合金グラニュラー磁気記録層６を形成した後、Ｃｏ合金グラニュラー磁気記録層６の表面を水素（Ｈ_２）プラズマ処理する。その後、ＤＬＣ保護膜層７を形成し、潤滑層８を塗布する。 （もっと読む）