【課題】厚さが３５ｎｍ以下でも十分に高い保磁力および角型比を有する磁性のコバルト薄膜を得ることができるコバルト薄膜の形成方法およびこの方法により形成したコバルト薄膜を用いたナノ接合素子を提供する。
【解決手段】ポリエチレンナフタレート基板１１上に真空蒸着法などによりコバルト薄膜１２を３５ｎｍ以下の厚さに成膜する。こうしてポリエチレンナフタレート基板１１上にコバルト薄膜１２を成膜した積層体を二つ用い、これらの二つの積層体をそれらのコバルト薄膜１２のエッジ同士が、必要に応じて有機分子を挟んで、互いに対向するように交差させて接合することによりナノ接合素子を構成する。このナノ接合素子により不揮発性メモリや磁気抵抗効果素子を構成する。ポリエチレンナフタレート基板１１の代わりに、少なくとも一主面がＳｉＯ₂ からなる基板、例えば石英基板を用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】 高機能な永久磁石材料の製造方法であって、鉄-白金系合金の保磁力を増大させることができ、しかも、増大させる保磁力の大きさや増大させる部位についても容易に制御できる保磁力に優れた鉄-白金系磁性合金の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明では、鉄-白金系磁性合金の製造する際、熱処理を行う前に、鉄-白金系合金にＮイオンビームを照射して窒素原子を直接注入する工程を採用したことにより、従来の反応性スパッタ法よりも窒素元素の添加量を大幅に増やすことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】従来のＴＭＲ素子に比べて磁気抵抗を大きくし、出力電圧を大きくすることを目的とする。
【解決手段】磁気抵抗素子は、基板と、前記基板上に形成されたＣｏ，Ｆｅ，Ｂを含む磁性合金からなる強磁性体層と、前記強磁性体層上にトンネル障壁層として（００１）結晶面が優先配向した多結晶酸化マグネシウム層と、を有し、前記強磁性体層が結晶化していることに特徴がある。 （もっと読む）

【課題】ＤＣスパッタ法を用いて、ＭｇＯ膜を有する磁気記録媒体を高い生産性で製造することができ、同時にＭｇＯ膜の酸素欠損を抑制して高い結晶性を有するＭｇＯ下地層を与える方法の提供。
【解決手段】酸素含有ガス中でＭｇおよびＭｇＯを含むターゲットを用いる反応性ＤＣスパッタ法によって、非磁性基体にＭｇＯからなる中間層を形成する工程と、中間層の上に、Ｌ１₀系規則合金を含む磁気記録層を形成する工程とを少なくとも含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】一つの試料を作製するだけで、フェライトの組成変化に伴う磁気特性の変化を連続して測定することができるフェライトの特性評価方法を提供する。
【解決手段】透光性を有する単結晶基板上に、薄膜形成法を用いて、成分組成を水平方向に傾斜させて製膜した複数層の組成傾斜フェライト層からなる組成傾斜フェライト薄膜を形成し、該フェライト薄膜の組成傾斜方向に沿い連続して磁気光学効果を測定することにより、該フェライトの組成変化に伴う磁気特性の変化を連続して測定する。 （もっと読む）

【課題】高周波域において、透磁率実部μ’と透磁率虚部μ”の比（μ”／μ’）が小さく、かつ厚膜である、優れた高周波用磁性材料、この高周波用磁性材料の製造方法、アンテナ、携帯電話を提供する。
【解決手段】 基板と、基板上の第１の磁性体層と、第１の磁性体層上の第１の磁性体層と異なる材料の中間層と、中間層上の第１の磁性体層と同じ材料の第２の磁性体層とを有し、磁性体層は、長手方向が基板の表面に対して垂直方向を向いた複数の柱状体を形成する非晶質の磁性相と、柱状体の間隙を充填する絶縁体相とから成る複合磁性膜であり、基板の表面に平行な面内の最小異方性磁界をＨｋ１、最大異方性磁界をＨｋ２とする場合に、Ｈｋ２／Ｈｋ１≧３、Ｈｋ２≧３．９８×１０^３Ａ／ｍの面内一軸異方性を有することを特徴とする高周波用磁性材料、この高周波用磁性材料の製造方法、アンテナ装置および携帯電話。 （もっと読む）

磁気ランダムアクセスメモリを製造するためのシステム及び方法が、開示される。特に、堆積の間に磁性膜のアライニング方法が、開示される。上記方法は、基板上への第１の磁性材料の堆積の間に存在する基板の領域の第１の方向に沿って第１の磁場を印加することを含む。上記方法は、基板上への前記第１の磁性材料の堆積の間に、領域に第２の方向に沿って第２の磁場を印加することをさらに含む。
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【課題】ＳＮＲ（ＳＮ比）を向上させた垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】非磁性基板と、前記非磁性基板上に形成された第一下地層と、前記第一下地層上に形成された第二下地層と、前記第二下地層上に形成された磁性層と、前記磁性層上に形成された保護層を有する垂直磁気記録媒体であって、前記磁性層がＣｏを主成分とする合金からなり、前記第一下地層がＲｕと体心立方構造を形成する金属を主成分とし、Ｒｕを６０ａｔ．％以上含む合金または化合物からなり、前記第二下地層がＲｕであることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】ホイスラー合金である強磁性体層を形成すること。
【解決手段】本発明は、反応抑制層１４上に形成された半導体層１６上に磁性元素層２０を形成する工程と、半導体層１６と磁性元素層２０とを熱処理し反応させることにより、反応抑制層１４上にホイスラー合金層２６である強磁性体層を形成する工程と、を有することを特徴とする強磁性体の形成方法並びにトランジスタ及びその製造方法である。本発明によれば、半導体層と磁性元素層との反応を抑制する反応抑制層により、半導体と磁性元素との反応に供給される半導体が制限され、磁性元素の組成比の大きな強磁性体を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録層の磁性粒子の配向性を改善し、かつ磁性粒子を微細化し、記録再生特性の良好な垂直磁気記録媒体を得る。
【解決手段】非磁性基板上に、軟磁性層、微細結晶構造を有し、ＰｄまたはＰｄ合金からなる第一の非磁性下地層、ＲｕまたはＲｕ合金からなる第二の非磁性下地層、及び垂直磁気記録層を積層する。また、前記第一の非磁性下地層が、第一の非磁性下地層が、Ｐｄ−Ｓｉ層であることを特徴とする。前記第一の非磁性下地層は、ガス圧０．５Ｐａ以下の雰囲気で蒸着される。 （もっと読む）

【課題】磁化イオン濃度を高めることができる強磁性半導体材料の提供。
【解決手段】ＩＩ−ＶＩ族、または、ＩＶ族、または、ＩＩＩ−Ｖ族の半導体材料を主成分とし、遷移金属（主成分をＩＶ族とした場合Ｍｎを除く）、または、希土類元素の少なくとも一方を添加元素として含み、アモルファスとする。 （もっと読む）

【課題】双方向記録再生が可能で、しかも記録データの正常な再生が可能な磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】非磁性支持体の上に金属薄膜磁性層（磁性層）が形成され、非磁性支持体の平面方向と磁力線Ｌｍとの交差角度が６０°（交差角度θ３ａ）の磁界を印加した状態において測定される保磁力と、平面方向と磁力線Ｌｍとの交差角度が１２０°（交差角度θ３ｂ）の磁界を印加した状態において測定される保磁力とがいずれも１６０ｋＡ／ｍ以上となるように金属薄膜磁性層が形成されている。 （もっと読む）

【課題】低抵抗領域（1平方ミクロンあたり１オーム以下の領域）において、巨大な磁気
抵抗比を持つＣＣＰ（current confined path: 電流狭窄）−ＣＰＰ（current perpendicular to plane: 電流が面直に流れる形状）型の巨大磁気抵抗素子、および当該巨大式抵
抗素子を用いた磁気センサを提供する。
【解決手段】ＣＣＰ−ＣＰＰ型巨大磁気抵抗素子Ａは、反強磁性層１と、磁化固定層３と、中間層７ａと、磁化自由層５による積層構造を有し、膜面に対して垂直に電流が流れる構造に形成されている。このとき、中間層７ａとして微小孔を有する（００１）方位に優先配向した極薄酸化マグネシウム層を使用することにより、磁化自由層５から磁化固定層３（あるいはその反対方向）に流れる電流が微小孔中の金属により狭窄され、電極層の寄生抵抗の影響が相対的に減少するため磁気抵抗比が増大する。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ変化率および信頼性の向上が図れる磁気抵抗効果素子，磁気ヘッド，および磁気ディスク装置を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子が，磁化方向が実質的に一方向に固着される磁化固着層と，磁化固着層上に配置され，かつ絶縁層と，この絶縁層を貫通する金属導電体と，を有するスペーサ層と，スペーサ層上に，金属導電体と対向して配置され，かつ磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と，を具備する。 （もっと読む）

【課題】検知する磁界が２点以上ある磁気センサに用いることが可能な、低磁界側から高磁界側まで広い領域で磁気抵抗が変化し、膜応力の影響が小さく、かつ工程上の制限の少ない合金金属薄膜を使用する磁気センサ、その製造方法および磁気センサを使用した電子機器を得ること。
【解決手段】各種電子機器に適用する磁気センサに用いる合金金属薄膜の組成比が、Ｎｉの組成比をｘ重量％、Ｃｏの組成比をｙ重量％とすると、２１ｘ＋１９ｙ≦１８６９、５ｘ＋２８ｙ≧５４６、ｙ≦１１、ｘ＋ｙ≧８５を同時に満たす組成範囲内にある。もしくは、この合金金属薄膜の磁歪定数の絶対値が１．５×１０^-5以下であり、かつ異方性磁界(Ｈ_k)が８Ｏｅ以上１６Ｏｅ以下であり、かつ磁気抵抗変化率が２．５％以上である。 （もっと読む）

【課題】２種の合金材料を同時にメッキする必要の無い、新規なＬ１０規則合金相を有する構造体の製造方法、磁気記録媒体および永久磁石を提供する。
【解決手段】Ｐｔ又はＰｄのいずれかの金属Ｘからなる膜面に対して垂直な多数の柱状部材１１と、該柱状部材を取り囲むマトリックス２から成る薄膜を用意する工程と、該マトリックッス２の一部または全部を除去する工程と、該マトリックスの除去により露出した金属Ｘからなる柱状部材の表面をＦｅ、Ｃｏ又はＮｉのいずれかの金属Ｙで被覆する工程と、熱処理により金属Ｘ及び金属Ｙを含むＬ１０規則合金相を形成する工程とを有する構造体の製造方法。微細なＦｅＰｔ等のＬ１０規則合金相が内包された構造体を用いた磁気記録媒体および永久磁石。 （もっと読む）

【目的】装置改良に技術的な工夫をほとんど必要としない希土類薄膜磁石の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】アモルファス薄膜状に作製した希土類化合物を熱処理で結晶化させる段階で磁界をかけながら熱処理（光照射または電気炉を用いたヒーター加熱）を行うことにより、結晶化させることを特徴とする希土類薄膜磁石の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 飽和磁化が2.46テスラ以上の高飽和磁化を備える磁極材料を提供する。これによって磁気ヘッドによる記録媒体への記録密度を向上させ、各種固体デバイスへの応用利用を可能とする。
【解決手段】 鉄とコバルトとパラジウムとからなる合金膜であって、前記パラジウムのモル含有率が0.7％以上1.0％未満に設定され、ドライプロセス法により形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】低抵抗を維持したまま、高密度記録に対応した高いＭＲ変化率が得られる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】３層以上の金属磁性層と、前記３層以上の金属磁性層の間に設けられた接続層と、前記金属磁性層および接続層に対して垂直方向に電流を通電させる電極とを具備し、前記３層以上の金属磁性層のうち最下層または最上層の金属磁性層は磁化方向が固着され、外部磁界がゼロのときに最下層の金属磁性層の磁化方向と最上層の金属磁性層の磁化方向がほぼ直交するように中間の金属磁性層の磁化方向がねじれている磁気抵抗効果素子。 （もっと読む）

磁気バイアス膜９は、磁性層を含み、長辺、短辺、（積層方向の）厚さの順に長さが短くなる略直方体形状に加工され、磁性層の積層方向に垂直な面内に磁界を発生する磁気バイアスマグネット１１を備える。そして、磁気バイアスマグネット１１は、短辺に対する長辺の長さの比が５〜２００の範囲である。
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