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Fターム[5E082AA01]の内容

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【課題】板厚み内部に位置させたとき部品端子からの導電路の配置密度を向上させること。
【解決手段】直方体状の素子部材と、素子部材の長手方向の一方向側の端部面である第1の端部面上に、および該第1の端部面に連なる素子部材の少なくとも上面上および下面上のそれぞれ一部に第1の端部面上と連なるように設けられた第1の端子電極と、素子部材の長手方向の他方向側の端部面である第2の端部面上に、および該第2の端部面に連なる素子部材の少なくとも上面上および下面上のそれぞれ一部に前記第2の端部面上と連なるように設けられた第2の端子電極と、を具備し、第1の端子電極および第2の端子電極が、いずれも、素子部材の上面上に設けられている面積の方が、素子部材の下面上に設けられている面積よりも広い。 (もっと読む)


【課題】貫通コンデンサの接続不良の発生を低減できる貫通コンデンサ内蔵多層基板及び貫通コンデンサ内蔵多層基板の実装構造を提供する。
【解決手段】貫通コンデンサ内蔵多層基板1では、基板11の内部に貫通コンデンサ21を配置することにより、ノイズ成分を貫通コンデンサ21の接地用端子電極24から接地導体層13に流して除去することができる。また、貫通コンデンサ内蔵多層基板1では、貫通コンデンサ21の接地用端子電極24に接続される接地プレーン14cが、貫通コンデンサ21の信号用端子電極23に接続される電源プレーン14a及び電源用配線14bと同一段の導体層として配置されている。これにより、貫通コンデンサ21と電源導体層14及び接地導体層13との接続が同一段で実現されるので、貫通コンデンサ21の寸法に多少のばらつきが生じたとしても接続不良の発生を低減できる。 (もっと読む)


【課題】端子電極における内部応力の低減と、はんだ食われの防止及び接触抵抗の低減とを両立できるチップ型電子部品及びこれを用いた実装構造を提供する。
【解決手段】積層コンデンサ1において端子電極3は、CuコートされたNi粉を含有する第1の樹脂電極層3aが、最外層であるSnめっき層3bの内側に隣接している。この第1の樹脂電極層3aに含まれるNi粉はCuによってコートされている。第1の樹脂電極層はCu粉を含有しても良い。最外層はSnコートされたNi粉を含有する第2の樹脂電極層としても良い。そして、端子電極はNiめっき層を有していない。 (もっと読む)


【課題】低樹脂量でもデラミネーションの発生を抑制することができ、かつ、印刷性に優れた導電ペーストを提供する。
【解決手段】カルボン酸変性ポリビニルアセタール樹脂を含有するポリビニルアセタール樹脂と、導電性粉末と、有機溶剤とを含有する導電ペーストであって、前記ポリビニルアセタール樹脂は、平均重合度が1500〜3200、カルボキシル基量が0.05〜1モル%、アセトアセタール基量が5〜30モル%である導電ペースト。 (もっと読む)


【課題】 積層体の底面にのみ端子を形成した場合はコイルの両端を貫通ビアにて積層体の底面に引き出す必要がある。積層体の底面と側面に渡って端子を形成した場合は、積層体の底面と側面が交差する角部分で端子の厚みが薄くなって、端子が積層体の底面に形成された部分と積層体の側面に形成された部分とに分断され、断線したり、直流抵抗が上昇する。
【解決手段】 絶縁体層と導体パターンを積層し、積層体内に回路素子が形成される。この積層体には、底面と側面が交差する角部に、その表面が角部に露出する導電体を形成する。また、積層体の側面には導電体と接続する電極を形成する。そして、回路素子の両端を積層体の側面の電極に接続し、導電体と電極によって端子を形成する。 (もっと読む)


【課題】チップ型電子部品が外部から受ける応力を緩和して、チップ型電子部品に発生するクラックを抑制すること。
【解決手段】チップ型電子部品10は、誘電体を含むセラミック素体11と、セラミック素体11の内部に配置され、かつ、セラミック素体11の表面に一部が露出する内部電極17、18と、セラミック素体11の表面に配置された端子電極20、30と、を含む。端子電極20、30は、第1の導電性材料と第1の樹脂とを含み、かつセラミック素体11の内部電極17、18が露出する端面13、14に配置される第1の樹脂層21、31と、第2の樹脂を含むとともに、第1の樹脂層21、31の少なくとも一部と接触し、かつ第1の樹脂層21、31よりもヤング率が低い第2の樹脂層22、32と、を含む。 (もっと読む)


【課題】はんだ接合部の信頼性を高めた低コストなセラミック電子部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】端面にはんだ接合部を有し、そのはんだ接合部がセラミック素体上に設けられた銅層11と、その銅層11上に設けられたCuNiSn金属間化合物層12と、その金属間化合物層12上に設けられたSnAgCuNiGeの5元系はんだ層13とを有するように構成して上記課題を解決した。そのCuNiSn金属間化合物層12は、はんだ食われのバリア層となって銅層11のはんだ食われを防ぐので、セラミック電子部品10をプリント基板の銅ランド等にはんだ実装する際に、従来そのはんだ実装時にも起こる銅層11のはんだ食われが抑制でき、セラミック素体1の銅層11が十分に確保されて信頼性を高めることができる。 (もっと読む)


【課題】低背化により厚みが薄くなっても、実装時の衝撃により割れが生じないような高い抗折強度有する積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】前記積層体の組成が、主成分としてBa、TiおよびZrを含むぺロブスカイト型化合物を含み、前記積層体を溶解したときの、Baを100モル部としたときの、Zrの含有モル部が10以上40以下であり、かつ、前記誘電体セラミック層の断面を観察したとき、結晶粒子中心においてZr/(Ti+Zr)モル比が0.005以下である結晶粒子Aの個数割合をTA、結晶粒子中心においてTi/(Ti+Zr)モル比が0.005以下である結晶粒子Bの個数割合をTB、とするとき、TBが0.1以上である。 (もっと読む)


【課題】回路設計において高い自由度を得つつ、鳴きを低減することができる実装構造を提供することである。
【解決手段】電子部品10が回路基板50上に実装されている実装構造1。ランド54a,54bは、基板本体52上に設けられ、外部電極12a,12bのそれぞれとはんだ60a,60bにより接続されている。ランド電極54a,54bからはんだ60a,60bの頂上までの高さH1は、ランド電極54a,54bから回路基板50の最も近くに位置するコンデンサ導体32dが端面S3から露出している部分までの高さH2の1.27倍以下である。 (もっと読む)


【課題】単位体積あたりの静電容量を増大させると共に製造効率を向上させることが可能な積層型コンデンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】積層型コンデンサは、第1電極部1、第2電極部2、及び誘電体層を備えている。第1電極部1は、第1帯部11と、該第1帯部の側縁から延びた複数の第1平板部12とを有している。第2電極部2は、第2帯部21と、該第2帯部の側縁から延びた複数の第2平板部22とを有している。第1電極部1及び第2電極部2は、第1平板部12及び第2平板部22が積層された状態で配置されている。第1平板部12は、第2平板部22と第2帯部21とに対向し、第2平板部22は、第1平板部12と第1帯部11とに対向している。誘電体層は、互いに隣り合う第1平板部12と第2平板部22との間に介在すると共に、第1平板部12と第2帯部21との間、並びに第2平板部22と第1帯部11との間に介在している。 (もっと読む)


【課題】コンデンサ内蔵基板の製造方法において、絶縁基材上にコンデンサ素子を搭載する工程を簡略化する。
【解決手段】本発明に係るコンデンサ内蔵基板の製造方法は、素子シート作製工程と、貼付け工程と、エッチング工程と、積層工程とを有する。ここで、素子シート作製工程では、金属箔50を用いて、該金属箔50の内、コンデンサ素子の第1電極層となる所定領域54上に誘電体層13を形成し、その後、該誘電体層13上にコンデンサ素子の第2電極層となる金属層53を形成することにより、コンデンサ素子となる素子部5が設けられた素子シート6を作製する。貼付け工程では、素子シート6を絶縁基材20上に貼り付ける。エッチング工程では、金属箔50にエッチングを施すことにより、絶縁基材20上に所定領域54を残置させて、素子シート6に設けられた素子部5からなるコンデンサ素子を形成する。積層工程では、該絶縁基材20上に別の絶縁基材20を積層する。 (もっと読む)


【課題】ビア電極と表層電極との接続強度を高め、接続信頼性の高いコンデンサを提供する。
【解決手段】セラミックコンデンサ101のコンデンサ本体104は、コンデンサ主面102及びコンデンサ裏面103を有し、複数のセラミック誘電体層105及び複数の内部電極層141,142を積層してなる。複数のコンデンサ内ビア導体131,132は、コンデンサ本体の積層方向に貫通形成された貫通ビア130内に充填形成されており、各内部電極層141,142に接続されている。貫通ビア130は、コンデンサ主面102側の開口に向かうに従って拡径するように形成された拡径部135を有する。表層電極111,112は、コンデンサ主面102上において拡径したビア導体131,132の端面全体を覆うように設けられている。 (もっと読む)


【課題】コンデンサ内蔵基板に生じるインダクタンスを小さくすることが可能なコンデンサ素子、及び該コンデンサ素子を具えたコンデンサ内蔵基板を提供する。
【解決手段】本発明に係るコンデンサ素子は、第1電極層11と第2電極層12との間に誘電体層13が介在したコンデンサ素子1であって、第1電極層11は、第2電極層12側の表面111の一部が該第2電極層12によって覆われ、第1電極層11が金属箔により形成される一方、第2電極層12が金属薄膜又は金属箔により形成されている。本発明に係るコンデンサ内蔵基板は、前記コンデンサ素子1と絶縁基板2とを具え、該絶縁基板2内にコンデンサ素子1を埋設することにより絶縁基板2にコンデンサ素子1が内蔵されている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、誘電体層と内部電極との接着力に優れた積層セラミック電子部品に関する。
【解決手段】本発明は、誘電体層を含むセラミック本体と、当該セラミック本体内で当該誘電体層を介して対向配置される内部電極と、を含み、上記誘電体層の平均厚さをtd、上記内部電極の平均厚さをteとすると、0.1μm≦te≦0.5μmであり、(td+te)/te≦2.5を満足し、上記内部電極の中心線平均粗さをRa、十点平均粗さをRzとすると、5nm≦Ra≦30nm、150nm≦Rz≦td/2及び8≦Rz/Ra≦20を満足する積層セラミック電子部品を提供する。本発明によると、誘電体層と内部電極との接着力及び耐電圧特性が向上して信頼性に優れた大容量積層セラミック電子部品の具現が可能となる。 (もっと読む)


【課題】チップ型電子部品を搬送しながら電気的特性を測定するときに、プローブ押圧による外部電極の損傷が生じない装置と方法を提供する。
【解決手段】ワーク測定装置はテーブルベース1と、テーブルベース上に回転自在に設置され、テーブルベースと反対側の第1層2aと、テーブルベース1側の第2層2bとを有する搬送テーブル2とを備えている。第1層を貫通してワークWを収納する複数のワーク収納孔4が設けられ、第2層に各ワーク収納孔に対応して、第2層を貫通してスルーホール9が設けられている。ワーク収納孔に収納されたワークの一側電極Waは、ワーク収納孔の第1層側から露出するとともに、他側電極Wbは第2層のスルーホールに当接する。搬送テーブルの第1層側に、ワーク収納孔内のワークの一側外部電極に当接する第1のプローブ60を設け、テーブルベース内に第2層のスルーホールに当接する第2プローブ61を設けた。 (もっと読む)


【課題】本発明は、セラミック電子部品及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるセラミック電子部品は、セラミック素体と、当該セラミック素体の内部に形成され0.5μm以下の厚さを有し内部に非電極領域が形成された内部電極層と、を含み、上記内部電極層の断面において、当該内部電極層の電極領域の面積に対する非電極領域の面積の比が0.1〜10%であり、上記非電極領域がセラミック成分を含むことができる。 (もっと読む)


【課題】 比誘電率の温度変化率の小さい誘電体磁器とそれを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを主成分とする主結晶粒子9aと酸化イッテルビウムの結晶粒子9bとを有するとともに、チタン100モルに対してマグネシウムをMgO換算で0.5〜3.0モル含有してなり、X線回折チャートにおいて、チタン酸バリウムの面指数(110)の回折強度に対する酸化イッテルビウムの面指数(222)の回折強度が0.5〜3.0%である。 (もっと読む)


【課題】本発明は、積層セラミックキャパシタに関する。
【解決手段】本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタは、セラミック素体と、互いに重畳される領域がセラミック素体の一面に露出する引出部をそれぞれ有する第1及び第2内部電極121、122と、上記セラミック素体の一面から内部電極121、122が積層されるy方向の側面に延長されて形成され、上記引出部とそれぞれ連結される第1及び第2外部電極131、132と、上記セラミック素体の一面に形成される絶縁層140とを含む。 (もっと読む)


【課題】高周波帯域でのノイズの除去能力を向上した積層貫通コンデンサを提供すること。
【解決手段】積層貫通コンデンサ1は、誘電体層5を積層してなるコンデンサ素体2と、主電極部10a及び引き出し電極部10b,10cを有する信号用内部電極10と、主電極部10aと対向する主電極部20a及び引き出し電極部20b,20cを有する接地用内部電極20と、信号用内部電極10に接続される信号用端子電極3,3と、接地用内部電極20に接続される接地用端子電極4,4とを備えている。積層貫通コンデンサ1では、信号用内部電極10の主電極部10aが、積層方向に対向する接地用内部電極20の主電極部20aに向かって屈曲しており、また、接地用内部電極20の主電極部20aが、信号用内部電極10の主電極部10aと同じ方向に屈曲している。 (もっと読む)


【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物および電子部品を提供すること。
【解決手段】ペロブスカイト型化合物(ABO)を含有し、化合物100モルに対して、各酸化物換算で、RA(RAはDy、GdおよびTbから選ばれる1つ以上)を0.6〜2.5モル、RB(RBはHoおよび/またはY)を0.2〜1.0モル、RC(RCはYbおよび/またはLu)を0.1〜1.0モル含有し、Mg酸化物を、Mg換算で0.8〜2.0モル、Si化合物をSi換算で1.2〜3.0モル含有し、RAの含有量(α)、RBの含有量(β)およびRCの含有量(γ)が、1.2≦α/β≦5.0、0.5≦β/γ≦10.0である誘電体磁器組成物。該誘電体磁器組成物は、誘電体層厚みが5.0μm以下の電子部品に適用することが好ましい。 (もっと読む)


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