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Fターム[5E082FG42]の内容

Fターム[5E082FG42]に分類される特許

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【課題】蒸着重合膜を連続形成しつつ、蒸着重合膜の組成や膜厚の変化を把握できる蒸着重合膜形成装置を提供する。
【解決手段】赤外光源88と分光手段と検出器90と光学系92とを有する反射型赤外分光光度計86を設置すると共に、分光手段により分光された赤外光を蒸着重合膜上に集光させる集光鏡124と、蒸着重合膜上の集光点での反射光を更に反射させて、検出器90に導く反射鏡126,122,118とを、光学系92に設け、更に、集光鏡124を、基材フィルムの移送に伴って、蒸着重合膜上での赤外光の集光点の位置を基材フィルムの長さ方向に変化させ得る位置に配置して構成した。 (もっと読む)


【課題】小型でかつ高い静電容量を得られ、さらに絶縁性能の高い薄膜誘電体を用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】薄膜コンデンサは無機物層と、自己組織化によって形成した有機物層とを積層した厚み10nm以下の誘電体膜と、前記誘電体膜の表面に形成された電極膜とを有する。電極膜はアルミを蒸着法によって、誘電体膜はアルミ蒸着膜を酸素プラズマ処理によって酸化膜を形成した表面に有機膜を付与して、形成することができる。これらを繰り返し積層、さらに巻回することが望ましい。 (もっと読む)


【課題】小型で、かつ、大容量の大きな電気エネルギーを得ることができる電気エネルギー蓄積装置を提供する。
【解決手段】第一電極4、誘電体層6、第二電極7を備えた電気エネルギー蓄積装置1において、第一電極4と誘電体層6との間および第二電極7と誘電体層6との間に、金属の微粒子5aにより構成された微粒子層6を形成する。さらに誘電体層6を粒径40ナノメートル程度あるいはそれ以下の微粒子の積層、あるいは薄膜と微粒子の交互積層で構成する。 (もっと読む)


【課題】 所望の静電容量を確保し易いキャパシタ及びその製造方法並びにキャパシタユニットを提供する。
【解決手段】
第1の電極層9と、第1の電極層9の表面上に積層された導電性の第1の凸部14aと、第1の凸部14aの表面及び第1の電極層9の表面に成膜された第1の誘電体層6と、第1の誘電体層6を介して第1の凸部14a及び第1の電極層9に重なるように設けられた第2の電極層7と、を備えるキャパシタ1Aを製造可能な構成を有している。 (もっと読む)


【課題】キャパシタにおいて、誘電体層における欠陥に因らずに発生する誘電体層のリーク電流の増加や短絡不良の発生を防止する。
【解決手段】キャパシタ1は、金属多結晶体よりなる箔によって構成された下部電極層2と、上部電極層4と、下部電極層2と上部電極層4との間に配置された誘電体層3とを備えている。下部電極層2の上面2aには、金属多結晶体の粒界が現れている。キャパシタ1は、更に、誘電体層3の上面3bと上部電極層4の下面4aとの間において、誘電体層3の上面3bと上部電極層4の下面4aとが対向する領域のうちの一部にのみ配置された絶縁膜5を備えている。この絶縁膜5は、誘電体層3の上面3bの上方から見たときに、下部電極層2の上面2aに現れた粒界のうちの少なくとも一部を覆うように配置されている。絶縁膜5は、電気泳動法を用いて形成される。 (もっと読む)


【課題】多くの電極あるいは電極の組合せのいずれにも簡単に接近できる改良された膜キャパシタ構造の提供。
【解決手段】多層膜キャパシタ構造が、モノリシック基板上の下部電極層、下部電極上に敷かれている膜電極及び誘電体材料の対からなる中間層、及び中間層対の上に敷かれている膜電極及び膜誘電体の対からなる上部層を有する。この構造は、デバイスの全周縁にわたって、それぞれの電極層がその上の層の周縁の外側まで側方に広がる、
メサ形状を有することが望ましい。電極をいかなる組合せでも接続でき、いかなる所望の回路接続もできるように、各電極層はその突き出している縁にビアを通して接続できる上部表面を有する。望ましければ、単層キャパシタ構造をフィルタに最適化し得るように、誘電体材料に異なる周波数特性をもたせることができる。 (もっと読む)


【課題】キャパシタにおいて、誘電体層における欠陥に因らずに発生する誘電体層のリーク電流の増加や短絡不良の発生を防止する。
【解決手段】キャパシタ1は、下部電極層2と、上部電極層4と、下部電極層2と上部電極層4との間に配置された誘電体層3と、誘電体層3の上面3bと上部電極層4の下面4aとの間において、誘電体層3の上面3bと上部電極層4の下面4aとが対向する領域のうちの一部にのみ配置された絶縁膜5を備えている。絶縁膜5は、電気泳動法を用いて形成される。絶縁膜5を形成する工程では、下部電極層4と対向電極との間に、キャパシタの定格電圧の1.5倍以上10倍以下の印加電圧を印加し、これにより、誘電体層3において、印加電圧以下の電圧が印加されたときに絶縁破壊するような箇所を予め強制的に絶縁破壊すると共に、その箇所を絶縁膜5によって補修する。 (もっと読む)


【課題】結晶粒のサイズを制御し、誘電体膜を貫通する結晶粒界やクラックの発生を抑制することによって、リーク電流の少ない高性能のキャパシタを提供する。
【解決手段】電極3,5の間に誘電体膜4が挟持されてなるキャパシタであって、誘電体膜4は、アルカリ土類金属と遷移金属との酸化物に、アルカリ土類金属の炭酸塩を0.1〜10mol%の範囲で含む。 (もっと読む)


【課題】 生産性に優れる温度補償型の静電容量素子を提供する。
【解決手段】 静電容量素子10は、基板20と、基板20の上に位置する第1コンデンサ30と、基板20の上に位置して第1コンデンサ30と電気的に並列接続されている第2コンデンサ40とを有し、第1コンデンサ30は、第1下部電極31と第1誘電体32と第1上部電極33とで構成され、第2コンデンサ40は、基板20側から順に第1下部電極31と異なる材料からなる第1層41xと、第1下部電極31と同じ材料からなる第2層41yとが積層されてなる第2下部電極41と、第1誘電体32と同じ組成の材料からなる第2誘電体42と、第2上部電極43とで構成され、温度が上昇する際の第1コンデンサ30の静電容量の変化量と第2コンデンサ40の静電容量の変化量とで変化の正負が異なっている。 (もっと読む)


【課題】積層構造体において高容量化を実現する。
【解決手段】本発明に係る積層構造体は、貫通孔10を有する金属製の基材1と、基材1の表面11上に形成された第1誘電体層21と、基材1の裏面12上に形成された第2誘電体層22と、第1誘電体層21上に形成された第1電極層31と、第2誘電体層22上に形成された第2電極層32と、導電部4と、電気絶縁層5とを備えている。導電部4は、貫通孔10の内側を通って、第1電極層31と第2電極層32とを互いに電気的に接続させている。電気絶縁層5は、導電部4と基材1との間に介在すると共に、樹脂材及び/又は誘電体材料から形成されている。 (もっと読む)


【課題】十分な耐電圧を確保しつつ、小型・大容量化がより高いレベルで実現され、しかも効率的に生産が可能なフィルムコンデンサ素子を提供する。
【解決手段】蒸着重合膜16を少なくとも一つ含む誘電体の少なくとも一つと、金属蒸着膜14a,14bの少なくとも一つとを積層してなる積層構造体を用いて構成した。また、該蒸着重合膜16を、2個のベンゼン環が結合基を介して互いに結合されてなる構造を有する複数種類の原料モノマーを用いた蒸着重合により形成して、構成した。 (もっと読む)


【課題】製造過程において溶液の影響が誘電体層に及び難い積層構造体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る積層構造体は、金属製の基材1、誘電体層2、保護膜4、及び電極層5を備えている。誘電体層2は、基材1の表面上に形成されている。保護膜4は、耐食性及び/又は耐湿性を有する膜であって、誘電体層2の表面を被覆している。電極層5は、保護膜4の表面上に形成されている。本発明に係る製造方法は、工程(a)、工程(b)、及び工程(c)を有している。工程(a)では、金属製の基材1の表面上に誘電体層2を形成する。工程(b)では、誘電体層2の露出面を、耐食性及び/又は耐湿性を有する保護膜4によって被覆する。工程(c)では、ウェットプロセス技術を用いて、保護膜4の表面上に電極層5を形成する。 (もっと読む)


【課題】積層構造体において、高い耐湿性を実現すると共に電気特性の検査を可能にする。
【解決手段】本発明に係る積層構造体は、金属製の基材1、誘電体層2、第1電極層31、第2電極層32、及び保護膜41を備えている。誘電体層2は、基材1の表面上に形成されている。第1電極層31は、誘電体層2の表面上に形成されている。第2電極層32は、誘電体層2の表面の内、第1電極層31の形成領域R1とは異なる領域R2上に、該第1電極層31から離間させて形成されている。保護膜41は、耐湿性と電気絶縁性の両方の特性を有している。そして、保護膜41は、誘電体層2の表面の内、第1電極層31の形成領域R1と第2電極層32の形成領域R2とによって挟まれた領域R3を被覆している。一方、第1電極層31の表面と第2電極層32の表面とにはそれぞれ露出面31a,32aが形成されている。 (もっと読む)


【課題】積層構造体において高容量化を実現する。
【解決手段】本発明に係る積層構造体は、金属製の第1基材11、金属製の第2基材12、第1誘電体層21、第2誘電体層22、及び金属層3を備えている。第2基材12は、第1基材11に対向して配置されている。第1誘電体層21は、第1基材11と第2基材12との対向面の内、第1基材11の対向面11a上に形成されている。第2誘電体層21は、第1基材11と第2基材12との対向面の内、第2基材12の対向面12a上に形成されている。金属層3は、第1誘電体層21と第2誘電体層22との間に介在している。 (もっと読む)


【課題】小型で低損失の改良された積層型共振器を提供する。
【解決手段】積層型共振器10は、上面に複数の凹部が形成された基板20と、前記凹部に設けられ、入力端子電極12と電気的に接続された第1インダクタ下部電極32と、一部が前記凹部に設けられ、接地電極16と電気的に接続された第1、第2コンデンサ下部電極35、36と、前記凹部に設けられ、出力端子電極14と電気的に接続された第2インダクタ下部電極38と、前記基板上に形成された誘電体層24と、前記誘電体層上に、前記第1インダクタ下部電極に電気的に接続されるとともに、一部分が前記第1コンデンサ下部電極と対向するように形成された第1上部電極48と、前記誘電体層上に、前記第2インダクタ下部電極に電気的に接続されるとともに、一部分が前記第2コンデンサ下部電極と対向するように形成された第2上部電極50と、を備える。 (もっと読む)


【課題】粉末噴射コーティング法又は蒸着法が用いられる積層構造体の製造方法において、誘電体層の誘電特性を向上させる。
【解決手段】本発明に係る製造方法は、積層構造体を製造する方法であって、工程(a)、工程(b)、及び工程(c)を有している。製造される積層構造体は、金属製の基材1と、該基材1の表面上に形成された誘電体層とを備えている。工程(a)では、粉末噴射コーティング法又は蒸着法を用いて、基材1の表面上に、誘電体層となる成膜層6を形成する。工程(b)では、成膜層6の表面に焼結助剤を付着させる。工程(c)は、工程(b)の後に実行される。工程(c)では、成膜層6に対して熱処理を施すことにより、誘電体層を形成する。 (もっと読む)


【課題】蒸着金属電極間の放電による蒸着金属が蒸発飛散、蒸着金属電極の周縁部の後退を抑制し、静電容量の変化を小さい電力用高圧フィルムコンデンサを提供する。
【解決手段】幅方向の一方の端縁を端縁絶縁帯とした一対の金属化フィルムを、端縁絶縁帯が互いに幅方向反対側に位置するように対向配置し、各金属化フィルムの長手方向に複数本の第1の絶縁帯を、長手方向に対して交差する方向に複数本の第2の絶縁帯を設け、第1の絶縁帯が重なり合わないように配置して巻回し、一方の金属化フィルムにおいて第1および第2の絶縁帯により形成された島状の蒸着金属電極と、他方の金属化フィルムにおける島状の蒸着金属電極とがいずれか一方の誘電体フィルムを介して対向することにより形成される小コンデンサが直並列接続されて構成され、島状の蒸着金属電極周縁部全ての蒸着金属厚を他の部分の蒸着金属厚よりも厚くしたヘビーエッジ構造を有する。 (もっと読む)


【課題】形状等のバリエーション展開を容易にし、また、簡易なプロセスで製造することができるデバイス及びこのようなデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】1又は複数の線状素子1及びこの線状素子1を被覆する絶縁材2を備え、上記各線状素子1が、少なくとも表面が導電性を有する線状芯材5、この線状芯材5を被覆する1又は複数の機能性層4、及びこの機能性層4を被覆する導電層3を備えるデバイスである。上記機能性層がpn接合若しくはpin接合からなるシリコン層、又は有機系電子受容体及び有機系電子供与体からなる有機層であり、光電変換装置として用いられる。 (もっと読む)


【課題】キャパシタ誘電体膜が水素や水分により還元されるのをより確実に防止し得る薄膜キャパシタ及びその製造方法、並びに、その薄膜キャパシタを用いた電子装置及び回路基板を提供する。
【解決手段】支持基板10上に形成され、第1のキャパシタ電極14と;第1のキャパシタ電極上に形成されたキャパシタ誘電体膜16と;キャパシタ誘電体膜上に形成された第2のキャパシタ電極18とを有するキャパシタ部20と、第1のキャパシタ電極又は第2のキャパシタ電極から引き出され、水素又は水分の拡散を防止する導電性バリア膜より成る引き出し電極26a、26bと、引き出し電極に接続された外部接続用電極34a、34bとを有している。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板に設けられた穴の内部に導電体と誘電体を配置することにより、キャパシタを構成してなるキャパシタ構造体において、穴をより深くしたり、穴の平面形状を複雑な形状とすることなく、導電体間の対向面積を増加させて容量値の増大が実現できるようにする。
【解決手段】穴20は、シリコン基板10の一方の主面に開口する有底穴であり、穴20の内部にはシリコン基板10よりなる突起21が設けられ、穴20の底面は、突起21による凹凸面とされており、穴20の内部では、穴20の底面および側面に、これらの面側から第1の導電体31、誘電体40、第2の導電体32が順次積層されているとともに、第1の導電体31および誘電体40は、突起21による凹凸面の形状を承継した層形状とされている。 (もっと読む)


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