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Fターム[5E082PP03]の内容

固定コンデンサ及びコンデンサ製造装置 (37,594) | 数値限定 (1,565) | 組成 (419)

Fターム[5E082PP03]に分類される特許

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【課題】本発明は、チキソトロピー性、並びに耐糸引き性、耐にじみ性および耐シートアタック性といった印刷適性に優れる導電ペーストを提供することを目的とする。さらには、積層セラミックコンデンサを効率よく製造できる導電ペーストを提供することを目的とする。
【解決手段】導電粉末、アルキル変性ビニルアルコール系重合体および水系溶剤を含有することを特徴とする導電ペーストであって、前記アルキル変性ビニルアルコール系重合体は、炭素数5〜29のアルキル基を有する単量体単位を含有し、粘度平均重合度Pが200以上5000以下であり、けん化度が20モル%以上99.99モル%以下であり、かつアルキル変性率Sが0.05モル%以上5モル%以下である導電ペーストに関する。 (もっと読む)


【課題】一定水準のESRを具現しながら、同一容量の積層セラミック電子部品におけるQ値の選択幅を広げる。
【解決手段】複数の誘電体層111が積層されたセラミック素体110と、セラミック素体110の内部に形成された第1及び第2内部電極131、132とを含み、第1及び第2内部電極131、132は、銅が80から99.9wt%、及び、ニッケルが0.1から20wt%を含み、周波数が1000MHz以下である積層セラミック電子部品を形成する。 (もっと読む)


【課題】 静電容量が高くかつ高温負荷状態においても比誘電率の温度変化率の小さいコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体磁器が希土類元素、Mn、Mgを含み、チタン酸バリウムの結晶粒子9が、粒界から20nmの深さの範囲におけるマグネシウムの濃度勾配が0.05原子%/nm以上である第1結晶群の結晶粒子9aと、粒界から20nmの深さの範囲におけるマグネシウムの濃度勾配が0.03原子%/nm以下である第2結晶群の結晶粒子9bとを有しており、第1の結晶群を構成する結晶粒子9aおよび前記第2の結晶群を構成する結晶粒子を合わせた平均粒径が0.15〜0.40μmであり、誘電体磁器の研磨面に見られる第1の結晶群を構成する結晶粒子9aの面積をa、第2の結晶群を構成する結晶粒子9bの面積をbとしたときに、b/(a+b)が0.4〜0.7である。 (もっと読む)


【課題】信頼性に優れた大容量の積層セラミック電子部品に関する。
【解決手段】本発明は、平均厚さが0.6μm以下の誘電体層を含むセラミック本体と、上記セラミック本体内に上記誘電体層を介して対向するように配置される第1及び第2内部電極と、を含み、上記セラミック本体は、静電容量の形成に寄与する容量形成部と上記容量形成部の上下面のうち少なくとも一面に提供される容量非形成部とを含み、上記容量形成部を上記セラミック本体の厚さ方向に2n+1個(nは1以上)の領域に分ける際、上記容量形成部の誘電体層の厚さが中央部から上部及び下部に行くほど薄くなる積層セラミック電子部品を提供する。静電容量の大容量化を具現すると共に、内部電極層の連結性を向上させることで、加速寿命の延長、耐電圧特性及び信頼性に優れた大容量の積層セラミック電子部品を具現することができる。 (もっと読む)


【課題】セラミック電子部品の鉛フリー半田実装時の半田食われを防止する。
【解決手段】端子電極のNi層にLi、Na、K、Rb及びCsの少なくとも1種を2×10−8mol/g以上7×10−6mol/gを添加することにより鉛フリー半田実装時の半田食われを防止する。さらに効果を顕著にするために、セラミック素体にZnを含ませる、あるいは、端子電極のNi層の結晶配向(111)面の相対強度を10−65%の範囲に制御する、ことの少なくとも一つをなす。 (もっと読む)


【課題】本発明は、誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品に関する。
【解決手段】本発明によると、BaTiO(0.995≦m≦1.010)を含む母材粉末と、上記母材粉末100モルに対して、少なくとも一つの希土類元素を含む酸化物または炭酸塩0.05〜4.00モルを含む第1副成分と、上記母材粉末100モルに対して、少なくとも一つの遷移金属を含む酸化物または炭酸塩0.05〜0.70モルを含む第2副成分と、上記母材粉末100モルに対して、Si酸化物0.20〜2.00モルを含む第3副成分と、上記母材粉末100モルに対して、Al酸化物0.02〜1.00モルを含む第4副成分と、上記第3副成分に対して、BaまたはCaのうち少なくとも一つを含む酸化物20〜140%を含む第5副成分と、を含む誘電体組成物が提供される。 (もっと読む)


【課題】 高温負荷寿命に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体層5はセラミック粒子11の焼結体からなるとともに、内部電極層7は金属とセラミック成分とから構成されており、セラミック粒子11は、コア部Cと、コア部Cの周囲を取り巻くシェル部Sとからなり、シェル部Sには少なくとも希土類元素(RE)が含まれており、セラミック粒子11のうち内部電極層7に接しているセラミック粒子11は、誘電体層5の厚み方向において、内部電極層7に接した側のシェル部Sの厚みt1が内部電極層7に接していない側よりも厚い。 (もっと読む)


【課題】いわゆる多層塗布工法を用いて積層電子部品を製造する際に、シートアタック現象が発生せず、結果として得られる電子部品のショート不良率が少ない積層電子部品の製造方法と、その製造方法に用いられる積層ユニットと、その製造方法を提供することである。
【解決手段】第1グリーンシート10aと、第1グリーンシート10aの上に形成された第1電極パターン12aと、第1電極パターン12aが形成された第1グリーンシート10aの表面に形成された第2グリーンシート10bと、第2グリーンシート10bの上に形成された第2電極パターン12bと、を有する積層ユニットである。第1グリーンシート10aに含まれるバインダ樹脂が、第1ブチラール系樹脂であり、第2グリーンシート10bに含まれるバインダ樹脂が、前記第1ブチラール系樹脂とは異なる第2ブチラール系樹脂である。 (もっと読む)


【課題】所望の姿勢でチップを保持できる保持力を長期間維持できる保持治具を提供すること。
【解決手段】支持孔11を有する補強部材5と、小型部品を保持する保持孔15を有し、シリコーンゴム粉末を含有する弾性部材6とを備え、前記保持孔15が前記支持孔11の内部を通るように前記補強部材5が前記弾性部材6に埋設されて成る保持治具1。 (もっと読む)


【課題】誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品の提供。
【解決手段】BaTiOを含む母材粉末と、上記母材粉末100モルに対して、遷移金属を含む酸化物または炭酸塩0.1〜1.0at%の含量(x1)を含む第1副成分と、上記母材粉末100モルに対して、原子価固定アクセプタ(fixed valence acceptor)元素を含む酸化物または炭酸塩0.01〜3.0at%の含量(y)を含む第2副成分と、Ce元素(含量はz at%)及び少なくとも一つの希土類元素(含量はw at%)を含む酸化物または炭酸塩を含む第3副成分と、焼結助剤を含む第4副成分と、を含み、上記母材粉末100モルに対して、0.01≦z≦x1+4yであり、0.01≦z+w≦x1+4yである誘電体組成物。 (もっと読む)


【課題】平均粒径が小さくかつ粒径の分布が狭い金属粉末であって、構成する各金属粒子の表面の平滑性が優れた金属粉末を提供することを目的とする。
【解決手段】金属粉末は、走査型電子顕微鏡(以下、SEMと記載する。)による測定に基づいて算出された平均粒径をD50SEMとし、BET法により算出された平均粒径をD50BETとするとき、以下の式(1)および式(2)をともに満たす金属粉末。D50SEM≦200nm…(1),D50SEM/D50BET≦2…(2) (もっと読む)


【課題】誘電体セラミック層が厚み1μm未満と薄層化されながら高い電界強度が付与されても、寿命特性が良好な積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ1の誘電体セラミック層2を構成する誘電体セラミックとして、(Ba1-x/100Cax/100TiO(2≦x≦20)で表わされる化合物を主成分とし、aMg−bSi−cMn−dR(Rは、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、LuおよびYから選ばれる少なくとも1種。a、b、cおよびd[モル部]は、前記主成分100モル部に対して、それぞれ、0.1<a≦20.0、0.5<b≦20.0、0.1<c≦10.0、および1.0<d≦30.0である。)を副成分として含むものを用いる。この誘電体セラミックを焼成して得られた焼結体における結晶粒子の平均粒径は20nm以上かつ100nm未満である。 (もっと読む)


【課題】低背化により厚みが薄くなっても、実装時の衝撃により割れが生じないような高い抗折強度有する積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】前記積層体の組成が、主成分としてBa、TiおよびZrを含むぺロブスカイト型化合物を含み、前記積層体を溶解したときの、Baを100モル部としたときの、Zrの含有モル部が10以上40以下であり、かつ、前記誘電体セラミック層の断面を観察したとき、結晶粒子中心においてZr/(Ti+Zr)モル比が0.005以下である結晶粒子Aの個数割合をTA、結晶粒子中心においてTi/(Ti+Zr)モル比が0.005以下である結晶粒子Bの個数割合をTB、とするとき、TBが0.1以上である。 (もっと読む)


【課題】本発明は、外部電極用導電性ペースト、これを用いた積層セラミック電子部品及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、導電性金属粉末と、a+b+c=100、20≦a≦60、20≦b≦60及び2≦c≦25を満足する式a(Cu、Ni)−bZr−c(Al、Sn)を含む伝導性非晶質金属粉末と、を含む外部電極用導電性ペースト、これを用いた積層セラミック電子部品及びその製造方法を提供する。本発明によると、内部電極と外部電極との連結性低下及びガラスの励起によるメッキ不良を解決することができる。 (もっと読む)


【課題】チップの密閉性が向上し、信頼性に優れた積層セラミック電子部品を提供する。
【解決手段】積層セラミック電子部品は、誘電体層1を含むセラミック本体10と、セラミック本体10内で誘電体層1を介して対向配置される第1及び第2内部電極21,22と、第1内部電極21と電気的に連結された第1外部電極31、及び第2内部電極22と電気的に連結された第2外部電極32と、を含む。第1及び第2外部電極31,32は導電性金属及びガラスを含み、第1及び第2外部電極31,32のうちの少なくとも一つを厚さ方向に3等分する際、中央部領域の面積に対してガラスが占める面積は35から80%である。 (もっと読む)


【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物および電子部品を提供すること。
【解決手段】ペロブスカイト型化合物(ABO)を含有し、化合物100モルに対して、各酸化物換算で、RA(RAはDy、GdおよびTbから選ばれる1つ以上)を0.6〜2.5モル、RB(RBはHoおよび/またはY)を0.2〜1.0モル、RC(RCはYbおよび/またはLu)を0.1〜1.0モル含有し、Mg酸化物を、Mg換算で0.8〜2.0モル、Si化合物をSi換算で1.2〜3.0モル含有し、RAの含有量(α)、RBの含有量(β)およびRCの含有量(γ)が、1.2≦α/β≦5.0、0.5≦β/γ≦10.0である誘電体磁器組成物。該誘電体磁器組成物は、誘電体層厚みが5.0μm以下の電子部品に適用することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】 直流電界の印加による比誘電率の低下が抑制されるとともに,高い比誘電率を有するセラミック組成物を提供する。
【解決手段】 本発明の一実施形態に係るセラミック組成物は、コアシェル構造を有するセラミック粒子を含む。一実施形態において,当該セラミック組成物は,反強誘電体から成るコアと、強誘電体又は常誘電体から成り前記コアを取り囲むシェルと、を備える。 (もっと読む)


【課題】比誘電率が高い誘電体、並びに、それを利用した、静電容量が大きいキャパシタ型蓄電池を提供すること。
【解決手段】実質的に、金属塩構造を持つ分子鎖を有する化合物のみからなる誘電体。及びそれを利用したキャパシタ型蓄電池である。 (もっと読む)


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