【課題】ウエハ等の基板に設けられた縦孔内に、脱落、抜け等を生じることなく、完全充填された縦導体充填構造を提供すること。
【解決手段】基板１の厚み方向に設けられた縦孔３内に縦導体５を充填した縦導体充填構造であって、孔開口端が内側に突出する凸縁３１となっており、凸縁３１−３１間で見た孔径Ｄ１が、孔内壁面３−３間で見た内径Ｄ２よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】基板の表裏を導通する導通部における電気特性を向上した貫通電極基板及びそれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の貫通電極基板の製造方法は、ウェハ状の基板に前記基板を貫通しない複数の有底孔を形成し、前記基板及び前記有底孔の表面に絶縁膜を形成し、前記有底孔が開口する側の前記基板及び前記有底孔の絶縁膜上に金属からなるシード膜を形成し、前記シード膜に第１の時間直流電流を供給する電解めっき法により、前記シード層が形成されている面の前記有底孔の底部に金属層を形成し、前記シード膜及び前記金属層にパルス電流を供給する電解めっき法により、前記有底孔内に金属材料を充填して導通部を形成し、前記有底孔が形成されている側と反対側の前記基板の表面を、前記導通部の表面が露出するまで研磨する。 （もっと読む）

【課題】良好な強度を有する貫通孔付き絶縁基板を提供すること。
【解決手段】貫通孔付きガラス基板１０は、第１の表面１１ａと、第２の表面１１ｂと、第１の表面１１ａと第２の表面１１ｂとの間に形成される貫通孔１３とを有する。ガラス基板１０の厚みが０．０１mm〜１ｍｍの範囲にある。貫通孔１３の平均直径Ｄとガラス基板１０の厚みｔとの比（Ｄ／ｔ）が１／５０〜１／５の範囲にある。貫通孔１３の両端部１５ａ、１５ｂの壁面がそれぞれ湾曲形状の断面形状を有する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板に形成した貫通孔の孔内を囲む側壁と貫通孔の孔内に充填した金属材
との気密性を高め、気体のリークを防止する。
【解決手段】ケイ素酸化物を含むガラスを用いて形成されるガラス基板２の表裏面に連通する貫通孔３の孔内に金属材が充填されている基板であって、金属材を充填する前に、貫通孔３の孔内を囲む側壁のケイ素酸化物を選択的にエッチングすることでアンカー部を形成し、アンカー部形成後、貫通孔３の孔内に金属材を充填することで実現する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板に形成された貫通孔内に金属を充填する際に、当該貫通孔の孔内の底
部形状の影響を排除して、当該貫通孔の孔内におけるボイド発生を防止する。
【解決手段】貫通孔３が形成されたガラス基板２の一面側に第１メッキ層４ａを形成して
貫通孔３の開口部を閉塞する第１の工程と、第１メッキ層４ａを用いて行う電解メッキに
よりガラス基板２の他面側から第２メッキ層４ｂを堆積する第２の工程とを備える基板製
造方法において、第２の工程は、貫通孔３の底部の凹状窪みを平坦に均す平坦化段階と、
平坦に均した後の孔内に第２メッキ層４ｂを堆積させて当該孔内を埋める充填段階とを有
する。そして、少なくとも平坦化段階では、電解メッキとして、正の極性のフォワード電
流と負の極性のリバース電流を交互に与えるパルスメッキを行う。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上に存在する複数の貫通孔に金属を充填する場合に、工程煩雑化等に
よる生産性低下を招くことなく、各貫通孔の孔内への金属充填度合いのバラツキ発生を回
避する。
【解決手段】ガラス基板２の一面側に第１メッキ層４ａを形成して貫通孔３の開口部を閉
塞する第１の工程と、電解メッキによりガラス基板２の他面側から第２メッキ層４ｂを堆
積する第２の工程とを備える基板製造方法において、ガラス基板２上にはイオン集中領域
９ａとイオン分散領域９ｂとが混在して配されており、第２の工程では、イオン集中領域
９ａおよびイオン分散領域９ｂの双方に対して、電解メッキとして正の極性のフォワード
電流と負の極性のリバース電流を交互に与えるパルスメッキを行う。 （もっと読む）

【課題】従来方法に比べて、電解メッキにより貫通孔に金属を充填し終えるまでの所要時間を短縮する。
【解決手段】貫通孔３が形成されたガラス基板２の下面側にメッキ下地層７を形成する工程Ａと、ガラス基板２の上面側に電解メッキにより第１メッキ層４ａを形成し貫通孔３の下開口部を閉塞する工程Ｂと、ガラス基板２の上面側からの電解メッキにより貫通孔３内に金属の第２メッキ層４ｂを堆積させて貫通孔３を金属で充填する工程Ｃとを含む。工程Ａでは、貫通孔３の下開口部の縁から貫通孔３の側壁面の一部にかけてメッキ下地層７を形成しておく。工程Ｂでは、貫通孔３の内部でメッキ下地層７の表面から第１メッキ層４ａを成長させ貫通孔３の下開口部を閉塞する。工程Ｃでは、貫通孔３の内部で第１メッキ層４ａの表面から貫通孔３の上開口部に向かって第２メッキ層４ｂを成長させ貫通孔３をメッキ金属で充填する。 （もっと読む）

【課題】貫通孔のフィルドビアめっき内へのボイドを抑制し、また表裏面の貫通孔上のフィルドビアめっき表面が平坦なことにより、工数低減と信頼性の確保を図ることが可能な配線基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の表裏面の両側から内部に向かって孔径が縮小するテーパ形状の断面形状を有する貫通孔を有し、前記貫通孔の深さ方向中央部の内壁が、前記基板の表裏面に対して、略垂直である配線基板、及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】第１の絶縁層上に形成された第１の導電層が、第１の導電層上に積層された第２の絶縁層上に形成される第２の導電層とビアホール部を介して導通接続される構成において、第１の導電層と第２の導電層とを安定して導通接続する。
【解決手段】樹脂層２、導電層３及び樹脂層４が積層されてなる配線基板１に形成されたビアホール部１０が、樹脂層４のみが除去されて導電層３が除去されていない第１の領域１１と、樹脂層４及び導電層３が除去された第２の領域１２とを有し、導電層３が、第１の領域１１にて除去されていない部分が、ビアホール部１０以外の部分と導通接続されている。 （もっと読む）

【課題】回路基板における配線パターンに対する取り付けが容易な配線部品を提供する。
【解決手段】電気モジュール５０は、基板１０の絶縁処理された表面上に、配線パターン１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄ，１２Ｅ，１２Ｆ，１２Ｇ，１２Ｈ，１２Ｉ，１２Ｊ，１２Ｋが設けられた回路基板を備えている。配線パターン１２Ａに隔てられた配線パターン１２Ｂと１２Ｇとは、配線部品１によって電気的に接続されている。配線パターン１２Ｄに隔てられた配線パターン１２Ｈと１２Ｉ、配線パターン１２Ｋと１２Ｊとは、配線部品６によってそれぞれ電気的に接続されている。配線部品１のカバー部３には、配線パターン１２Ａに嵌合する凹部４が設けられている。配線部品６のカバー部８には、配線パターン１２Ｄに嵌合する凹部９が設けられている。 （もっと読む）

【課題】上部配線層と下部配線層とを、微細なコンタクトホールを介して接続する多層配線基板、アクティブマトリクス基板及びこれを用いた画像表示装置、並びに多層配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に形成された第１の導電層２０と、層間絶縁層３０と、第２の導電層７０とを有し、前記層間絶縁層に形成されたコンタクトホール４０を介して前記第１の導電層と前記第２の導電層とが電気的に接続された構造を有する多層配線基板において、
前記層間絶縁層は、前記コンタクトホールを含まない第１の領域５０と、前記コンタクトホールを含み、該第１の領域よりも表面エネルギーが高く形成された第２の領域６０とを有し、
前記第１の導電層の前記コンタクトホール内の領域は、前記第２の領域よりも表面エネルギーが高く、
前記第２の導電層は、前記層間絶縁層の前記第２の領域に接触して堆積形成され、前記コンタクトホールを介して前記第１の導電層と接続されている。 （もっと読む）

【課題】接続バンプが狭小化された半導体チップであっても信頼性よく実装できる配線基板を提供する。
【解決手段】ガラス又はシリコンからなり、下面に開口した第１ホールＨ１と上面に開口した第２ホールＨ２とが連通してなるスルーホールＴＨを備えた基板層１０と、第１ホールＨ１に形成された配線層２０と、第２ホールＨ２に形成されて配線層２０に接続された接続パッドＰと、基板層１０の下面に形成された絶縁層３０及び他の配線層２２とを含む。 （もっと読む）

【課題】一方の端部に撥水処理が施された層間接続導体を形成する柱状の接続端子を配線基板に実装することで、モジュールを低コストかつ短い製造時間で製造できる技術を提供する。
【解決手段】層間接続導体を形成する柱状の接続端子１１および電子部品１０２を配線基板１０１上に実装し樹脂封止してなるモジュール１００を製造する場合に、配線基板１０１の一方主面に、電子部品１０２を実装するとともに接続端子１１の一方端部が配線基板１０１に接続されるように接続端子１１を実装し（第１実装工程）、第１封止工程の前に、接続端子１１の他方端部に撥水処理を施し（撥水処理工程）、電子部品１０２および接続端子１１を樹脂層１０３により封止する（第１封止工程）。こうすることにより、層間接続導体を有するモジュール１００を低コストかつ短い製造時間で製造する。 （もっと読む）

【課題】表面の平坦化を図ることが可能なプリント配線板を提供する。
【解決手段】プリント配線板３０は、基材３１と、基材３１を貫通するバイアホール３２と、を備え、バイアホール３２は、基材３１に埋設されていると共に、基材３１の一方の主面３１５から露出したランド部３３と、ランド部３３から基材３１の他方の主面３１６に貫通した貫通部３４と、を有しており、貫通部３４は、少なくとも一つの段差３４１を有している。 （もっと読む）

【課題】配線導体に対する電気的絶縁信頼性に優れる配線導体を提供すること。
【解決手段】 絶縁層１の表面に下地金属層２を被着する第１の工程と、下地金属層２の表面に配線導体５のパターンに対応した開口部３ａを有するめっきレジスト層３を被着する第２の工程と、開口部３ａ内の下地金属層２の表面に電解銅めっき層４を析出させる第３の工程と、めっきレジスト層３を除去する第４の工程と、電解銅めっき層４から露出する下地金属層２をエッチング除去する第５の工程とを行なう配線基板の製造方法であって、電解銅めっき層４の表面をスポンジロール１２の表面に番手が２０００〜６０００番の研磨シート１３を巻回してなる研磨ロール１０により研磨する第６の工程を含む。 （もっと読む）

【課題】赤外線を遮光できるビアを備えた受光装置を提供すること。
【解決手段】シリコン基板の上面に形成された第一の配線回路と、前記シリコン基板の下面に形成された第二の配線回路と、前記シリコン基板中に、前記第一の配線回路と前記第二の配線回路とを接続するように設けられたビアと、前記第一の配線回路の上面に設けられた受光素子と、を備え、前記ビアは、樹脂組成物が充填され、厚み２０μｍの熱硬化した前記樹脂組成物の、波長８００ｎｍ〜２５００ｎｍの光に対する最小透過率Ｔが、１５％以下である、
受光装置。 （もっと読む）

【課題】電子回路モジュールにおける接続不良が発生するのを低減することができる多層基板を提供する。
【解決手段】複数の絶縁層が積層された基板部２と、基板部２の厚さ方向に貫通するビア３と、ビア３の内部を充填した金属部５と、を備えた多層基板１において、ビア３内部における基板部２の厚さ方向の中央部に配置された凸部４、を有することを特徴とする多層基板１としたので、電子回路モジュールにおける接続不良が発生するのを低減することができる多層基板１を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】貫通配線基板の両面に実装するデバイスの電極配置が多様で且つ高密度である小型のデバイスであっても、実装するデバイス間の電極を自由度高く電気的に接続することが可能な貫通配線基板の製造方法の提供。
【解決手段】第１面と第２面とを有する基板と；前記第１面及び前記第２面の間を貫通する貫通孔内に、導電性物質を充填又は成膜することにより形成された複数の貫通配線と；を備える貫通配線基板の製造方法であって、前記基板の前記第１面側からレーザー照射して、複数の貫通孔形成領域を改質する工程（Ａ）と；前記改質された貫通孔形成領域を除去して、貫通孔を形成する工程（Ｂ）と；を含む貫通配線基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】貫通孔を高精度に形成することが可能な構造体の製造方法の製造方法を提供する。
【解決手段】貫通孔を有する構造体の製造方法は、空孔を有する多孔質フィルム６０をステージ５１上に固定する第１の工程と、多孔質フィルム６０の上に被成形体７０を配置する第２の工程と、被成形体７０を加熱しながら、突起部５３３を有するモールド５３で被成形体７０を押圧して、貫通孔を形成する第３の工程と、被成形体７０からモールド５３を離型する第４の工程と、を備えている。 （もっと読む）