【課題】特殊な設備を導入することなく、微細な回路形成を行うことが可能なプリント配線板を低コストで、且つ、高歩留まりで製造するためのプリント配線板の製造方法及び、このような方法で製造されたプリント配線板を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するため、絶縁層を介して、接着面の表面粗さ（Ｒｚｊｉｓ）が２μｍ以下であり且つ厚さが５μｍ以下の無粗化銅箔を用いて形成された銅箔層と、導体層とを積層した構成を備える積層体を形成し、銅箔層側からブラインドビアを形成し、銅箔層上に無電解銅めっき層を形成し、当該絶縁層上に設けられる銅層の合計厚さが１５μｍ以下となるように、電解銅めっき層を形成すると共に、ブラインドビアの充填めっきを完了し、厚さが１５μｍ以下のエッチングレジスト層を形成し、エッチング処理を施し、配線パターンを形成する方法を採用した。 （もっと読む）

【課題】超ファインピッチの配線を効率よく形成でき、超ファインピッチのＣＯＦフィルムキャリアテープなどに用いることができるフレキシブルプリント配線基板用積層体及びフレキシブルプリント配線基板並びにこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 導通用貫通孔１３が形成された絶縁基１１と、この絶縁基材１１の一方面に接着された導電体層１４とを具備し、前記導通用貫通孔１３には埋設導電体めっき層１５がその上面が前記絶縁基材１１の表面と面一になるように設けられ、前記絶縁基材１１の表面及び前記埋設導電体めっき層１５の上面を覆う導電体めっき層１８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】管理に多大の注意を払う電解めっき液を用いた電解金属めっきによってスルーホール内をめっき金属で充填する従来のスルーホールの充填方法の課題を解消する。
【解決手段】基板１０のスルーホール１２内壁面を含む基板表面の全面に金属薄膜１４を形成し、基板１０の一面側を第１絶縁膜１６で被覆し、基板１０の他面側に金属薄膜１４を給電層とする第１電解金属めっきを施して、スルーホール１２の他面側開口部をめっき金属１８で閉塞し、第１絶縁膜１６を剥離して基板１０の一面側のスルーホール１２を開口させ、めっき金属１８を第２絶縁膜２０で被覆し、開口させたスルーホール１２に残留する空間部１２ａにおいて露出した金属薄膜１４を除去した後、めっき金属層１８を給電層とする第２電解金属めっきをポストめっきにより空間部１２ａを充填することで基板１０の板厚方向の両面を電気的に接続するための貫通電極を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
複数のビアへの、めっき加工による金属の充填を、凹凸を生じさせず、かつ、並行して行うことができる技術を提供する。
【解決手段】
めっき加工で使用されるめっき浴は充填速度を抑制する抑制剤を含んでおり、
金属の充填を行う前に、抑制剤が基板表面に定着する電圧値で、基板に電圧を印加し、金属の充填を行う電圧値で、基板に電圧を印加し、複数種のビアへの金属の充填を継続中、複数のビアのうち、いずれかが予め定めた状態まで充填されたとき、金属の充填を行う電圧値より高い電圧値（ストライク電圧）を、予め決められた時間、基板に印加し、目標の数のビアが目的の状態に充填されたとき、基板への電圧の印加を終了する。 （もっと読む）

【課題】電気めっきによって、基板上に配線又は層間接続ビアを形成するとき、不要な金属層を除去する作業を軽減化する。
【解決手段】電気めっきで使用するめっき液に、添加剤を添加する。添加剤は、めっき反応を抑制する機能を有するが、めっき反応の進行と共に、めっき反応を抑制する機能が減少する特性を有する。添加剤は、金属の析出過電圧を大きくする機能を有するが、反応の進行と共に、金属の析出過電圧を小さくする特性を有する。それによって、基板に形成した溝及び凹部に選択的に金属を析出させることができる。基板上に配線又は層間接続ビアを形成するとき、所定の表面粗さを有する溝及び凹部を基板に形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ブラインドビアホールに銅を充填するとともに、パターン密度の疎密にかかわらずめっき膜厚を均一に電解めっきを行うことを目的とする。
【解決手段】第１の配線パターン１が形成されたコア基板２の表層に絶縁樹脂層４を形成する工程と、絶縁樹脂層４表面にシード層３を形成する工程と、シード層３上に下層絶縁層５としてアルカリ剥離タイプの耐めっき性絶縁層を形成する工程と、上層絶縁層６として加熱剥離タイプである耐めっき性絶縁層を形成する工程と、第１の配線パターン１にまで至るブラインドビアホール７を形成する工程と、無電解銅めっき層８を形成する工程と、２種の耐めっき性絶縁層のうち上層絶縁層を剥離する工程と、電解銅めっきによりブラインドビアホール部の内部に穴埋めめっき層９を充填する第１の電解めっき工程と、電解銅めっきにより第２の配線パターンを形成する第２の電解めっき工程とを少なくとも備える。 （もっと読む）

【課題】ホルムアルデヒドを含まず、環境に優しい無電解銅組成物を提供する。
【解決手段】１以上の銅イオン源と、１以上のチオカルボン酸と、グリオキシル酸およびその塩と、組成物をアルカリ性に維持するための１以上のアルカリ性化合物とを含み、チオカルボン酸が、下記式を有する組成物を用いて無電解メッキを行う。 ＨＳ−（ＣＸ１）ｒ−（ＣＨＸ２）ｓ−ＣＯＯＨ（式中、Ｘ１は−Ｈまたは−ＣＯＯＨであり、Ｘ２は−Ｈまたは−ＳＨであり、ｒおよびｓは正の整数であり、ｒが０〜２、または０または１であり、ｓが１または２である）。 （もっと読む）

【課題】ウィスカの発生を確実に抑制することができる回路基板を提供すること。
【解決手段】回路基板１は、絶縁基材１１１と、この絶縁基材１１１上に形成された回路層１１２とを備える。絶縁基材１１１の端部と、この端部上に形成された回路層１１２と、この回路層１１２上に設けられた金属積層部１１４とを含んで端子部１Ａが構成されている。金属積層部１１４は、回路層１１２上に設けられ、錫または錫合金から構成される金属層（上部金属層）１１４Ｂと、この金属層１１４Ｂ上に設けられ、銅または銅合金を含む金属膜１１４Ｃとを備える。上部金属層１１４Ｂ表面には、金属膜１１４Ｃにより覆われる被覆部と、金属膜１１４Ｃにより覆われない未被覆部とが形成され、被覆部は、上部金属層１１４Ｂ表面の隣接する金属粒子間の境界部分を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ビアを平坦にめっき充填すればめっきによるパターンの厚さが大きくばらつき、めっきによるパターンの厚さを均一にすればビアが平坦にめっき充填できなかった。
【解決手段】絶縁性基材２の表面から裏面に貫通して設けられたビア３内に導電体層７がめっきにより充填され、前記絶縁性基材２の少なくとも表面に導体パターンを形成する導電体層がめっきにより形成された基板において、前記導体パターンと、前記ビア内の充填とを別々のめっきにより形成する基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】基板のキャビティ、ブラインドホール、微小ブラインドホール及びスルーホールを電気分解により金属で充填する方法を提供する。
【解決手段】工作物のキャビティ、スルーホール、ブラインドホール又は微小ブラインドホールを金属で電気めっきして充填する方法を開示する。該方法によれば、キャビティ、スルーホール、ブラインドホール又は微小ブラインドホールを含む工作物を金属析出電解液に接触させ、そして工作物に電流が流れるように工作物と少なくとも一つの陰極間に電圧を掛ける。本発明の方法の特徴は、電解液がレドックス系を含むことにある。 （もっと読む）

【課題】良好な埋め込み性（ビアフィリング性）と優れた均一電着性を同時に併せ持ち、スルホールとブラインドビアホールの両方を含む被めっき物に対しても、電気的に信頼性の高い銅めっき皮膜を形成することが可能な新規な銅めっき液を提供する。
【解決手段】銅イオン、並びに有機酸及び無機酸から選ばれた少なくとも一種の酸成分を必須成分として含有する水溶液を基本めっき浴とする酸性電気銅めっき液であって、
（１）アルキレンジアミン類及びポリアルキレンポリアミン類からなる群から選ばれる少なくとも一種のポリアミン、（２）二塩基性カルボン酸系化合物、並びに（３）アルデヒド類、エピハロヒドリン類、α，γ−ジハロ−β−ヒドリン類、グリシジル化合物及びイソシアネート類からなる群から選ばれる少なくとも一種の架橋性化合物、からなる三成分を反応させて得られる水溶性樹脂を含有することを特徴とする酸性電気銅めっき液。 （もっと読む）

【課題】浴の均一電着性に著しい影響を及ぼさず、平坦な銅堆積物を提供する、レベリング剤の提供。
【解決手段】窒素、硫黄および窒素と硫黄の混合から選択されるヘテロ原子を含む化合物の、エーテル結合を含有するポリエポキシド化合物との反応生成物であるレベリング剤を含有する銅メッキ浴であって、電子デバイスの表面上およびかかる基体上の開口部中に銅を堆積させる銅メッキ浴が提供される。かかるメッキ浴は、電解質濃度の範囲全体にわたって実質的に平面的な基体表面上に銅層を堆積させる。このような銅メッキ浴を用いて銅層を堆積させる方法も開示される。 （もっと読む）

硫酸銅又は塩化銅を主成分とし、ホルムアルデヒド、２価のコバルトイオン及びグリオキシル酸のうちから選ばれる１種以上の還元剤を含有するとともに、分子量６０以上１０００以下の例えば下記一般式（１）又は一般式（２）で表されるイオウ系有機化合物及び分子量２００以上２００００以下のオキシアルキレングリコールを含むことを特徴とする無電解銅めっき液である。アスペクト比の高い微細な溝及び孔の中に空隙を生じることなくめっき膜を堆積させることができる。Ｘ^１−Ｌ^１−（Ｓ）ｎ−Ｌ^２−Ｘ^２ （１）Ｘ^１−Ｌ^１−（Ｓ）ｎ−Ｈ （２）［式中、ｎは整数、Ｘ^１及びＸ^２はそれぞれ独立に水素原子、ＳＯ_３Ｍ基またはＰＯ_３Ｍ基（Ｍは水素原子、アルカリ金属原子またはアミノ基を示す）、Ｌ^１及びＬ^２はそれぞれ独立に低級アルキル基又は低級アルコキシ基を示す。］
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本発明は以下の工程を含んでなるプリント基板製造におけるμ−ブラインド・ビアの埋め込み方法を提供する。（ｉ）銅金属塩と任意に有機添加剤とを含んでなる、電気めっきにより金属被覆を施すための電解質浴を準備する工程、（ｉｉ）前記浴を、電流密度０．５〜１０Ａ／ｄｍ^２の直流または有効電流密度０．５〜１０Ａ／ｄｍ^２の電流パルスで運転する工程、（ｉｉｉ）前記電気浴から前記電解質の一部を取り出す工程、（ｉｖ）前記取り出された電解質の一部に酸化剤を添加する工程、（ｖ）任意に、前記取り出された電解質に紫外線を照射する工程および（ｖｉ）前記取り出された部分を前記電気浴へと戻し、かつ、酸化処理によって破壊された有機添加剤を補充する工程。 （もっと読む）

本発明はスルーホールに金属を充填するための電気処理に関する。この処理は、プリント基板のスルーホールに銅を充填するのに特に好適である。この方法は、下記工程、すなわち、（ｉ）電気めっきによってスルーホールの中央部に狭い部分を形成する工程と、（ｉｉ）工程（ｉ）で得られたスルーホールに電気めっきによって金属を充填する工程とを含んでなる。 （もっと読む）

この発明は、アルミニウム表面を清浄化すること、腐食性のニトレート化合物を実質的に含まず、過酸素化合物を含む酸性エッチング溶液に前記アルミニウム表面を接触させること、前記アルミニウム表面を、６〜６０ｇ／ｌの亜鉛及び１００〜５００ｇ／ｌのヒドロキシイオンを含むジンケート処理溶液に接触させることを含んでなる、その後のメッキのためにアルミニウム表面をジンケート処理する方法に関する。廃棄物処理を簡単にするため、酸性エッチング溶液は有害な無機フルオリド化合物を実質的に含まない。この発明は、図２、特にステップ６を参照することによって理解することができる。 （もっと読む）