【課題】反応性多層フォイルを用いて基板と部品とを接合する場合の、溶融金属の飛散の影響をなくし、性能の安定した実装品を得る。
【解決手段】実装基板１０の上に、反応性多層フォイルの両面を金属材料で挟み込んだ構造を有する接合フィルム３０を配置するとともに、接合フィルムの、接合方向と直交する側面の周囲に樹脂部材４０を配置し、その上に部品２０を配置する。部品および接合フィルムを押圧した状態で、接合フィルムに点火エネルギーを供給し、接合フィルムの発熱とそれによる金属材料の溶融を利用して、部品、接合フィルムおよび実装基板を一体化する。接合時に溶融して押し出される溶融金属は樹脂部材と融合して溶着層を形成し、基板上に飛び散ることが防止される。 （もっと読む）

【課題】接続パッド上にはんだが設けられるフリップチップ実装用の配線基板において、接続パッドのピッチを狭小化できる配線基板を提供する。
【解決手段】複数の接続パッド２２と接続パッド２２にそれぞれ繋がる引き出し配線部２４とが表層側の絶縁層３０に配置された構造を含み、引き出し配線部２４は接続パッド２２から屈曲して配置され、接続パッド２２上に突出するはんだ層４２が設けられており、接続パッド２２は長方形状を有し、引き出し配線部２４は接続パッド２２の長手方向の端部全体から屈曲して引き出されており、接続パッド２２と引き出し配線部２４とが表層側の絶縁層３０から露出して設けられている。引き出し配線部２４上のはんだが屈曲部Ｂ側に移動して接続パッド２２上に突出するはんだ層４２が形成される。 （もっと読む）

【課題】多層配線基板の表面に、実装された電子部品の発熱による熱歪みの影響によって起こるはんだ接合部の破損を減少させ、信頼性の高い電子部品実装基板を提供する。
【解決手段】配線パターン４が形成された基板１を絶縁樹脂層５を間に介装して複数積層した多層配線基板２の表面に、はんだ接合により電子部品８が実装される電子部品実装基板３において、多層配線基板２は、最表層の基板１ａと電子部品８との間に緩衝部６が形成されているとともに、基板１の配線パターン４と導通し、かつ緩衝部６の外表面６ａに露出して電子部品８がはんだ７により接合される接続部９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁性基材群を中空のビアホールが貫通してなる多層配線基板でありながら、電子チップ部品を高密度実装することが可能な多層配線基板を提供する。また、多層配線基板への電子チップ部品の高密度実装構造を提供する。
【解決手段】絶縁性基材群４２を中空のビアホール４４が貫通している。ビアホール４４の開口４６の周囲にランド部４７を設ける。ランド部４７は、電子チップ部品５１の面状電極５２を接合することのできる表面積を備えた接合領域Ｚ１として形成されている。接合領域Ｚ１に電子チップ部品５１の面状電極５２を重ね合わせて接合することによって、電子チップ部品の高密度実装構造が得られる。 （もっと読む）

【課題】優れた耐落下衝撃性を維持しつつ、再リフローにより半導体部品を回路基板に実装する場合であっても、はんだフラッシュを起こり難くすることができる熱硬化性樹脂組成物の提供。
【解決手段】融点が２４０℃以下のはんだ粒子、熱硬化性樹脂バインダー、シリコーン樹脂化合物、及びフラックス成分として、末端カルボキシル基を有する、特定の構造のカルボキシル基含有化合物が含有されている熱硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体素子接続用の長手形状の接続端子の一部に凸形状を設けることにより、高密度化にも対応可能で、かつ接続に必要なボリュームと高さを有するはんだバンプを、接続端子の長手方向の所定の位置に形成可能な半導体パッケージ基板を提供する。
【解決手段】半導体素子接続用の長手形状の複数の接続端子を有し、これらの複数の接続端子が短手方向に並んで配置され、前記前記複数の接続端子の長手方向の一部に凸形状が形成されることを特徴とする半導体パッケージ基板。また、上記において、凸形状が、短手方向に並んで形成される複数の接続端子の長手方向の所定の位置に形成されることを特徴とする半導体パッケージ基板。また、上記の何れかにおいて、接続端子の長手方向における凸形状の長さが、接続端子の長さの１／５〜１／３の大きさであることを特徴とする半導体パッケージ基板。 （もっと読む）

【課題】回路接続時の圧力を従来よりも低くした場合でも、圧痕の形成及び接続抵抗が良好である接続を可能とする回路接続材料を提供すること。
【解決手段】第一の基板の主面上に第一の回路電極が形成された第一の回路部材と、第二の基板の主面上に第二の回路電極が形成された第二の回路部材との間に介在させ、加熱及び加圧により第一の回路電極及び第二の回路電極を対向配置された状態で電気的に接続するための回路接続材料であって、加圧は１．５ＭＰａ以下で行われ、フィルム性付与ポリマー、ラジカル重合性物質、ラジカル重合開始剤及び導電粒子を含有し、フィルム性付与ポリマーは、ガラス転移温度７０℃未満のポリマーを含み、その配合量がフィルム性付与ポリマー及びラジカル重合性物質の総量を基準として３０〜７０質量％である、回路接続材料。 （もっと読む）

【課題】はんだ付け装置の噴流ノズルに関わる。フラックス枯れを起こすことなく、安定したはんだ噴流を供給でき、はんだ付け不良を低減することが可能な噴流ノズルを得ることを目的とする。
【解決手段】本発明に関わるはんだ付け装置は、溶融はんだを貯蔵するはんだ槽と、はんだ槽に配設されていて上部が開口していている噴流ノズルと、はんだ槽に貯蔵された溶融はんだを噴流ノズルに供給する循環機構とを備えており、噴流ノズルは、周囲を囲む外壁と外壁よりも背の低い隔壁を有していて、外壁の内側上端部は、溶融はんだに対し濡れ性の良い帯状部材で被覆されているものである。 （もっと読む）

【課題】送風機構の駆動方法を工夫して、当該送風機構による搬送経路上の雰囲気を遮断する機能に優先して乱流の発生を防止できるようにすると共に、基板が乱流を伴うことなくエアーカーテンエリアを通過できるようにする。
【解決手段】基板に電子部品をはんだ付けする装置において、基板を搬送する搬送経路の所定位置に設けられ、当該搬送経路上に気体を送風して雰囲気を遮断するエアーカーテンエリア９２７を形成する送風機構９９と、当該機構を通過する基板の通過タイミングに対応してエアーの送出又は停止するように送風機構９９を制御する制御部６５とを備えるものである。基板がエアーカーテンエリア９２７を通過する直前に送風を停止すると共に基板通過中も送風を停止し、基板がエアーカーテンエリア９２７を通過した直後に送風を再開するように制御できる。 （もっと読む）

【課題】回路部材同士を接続する際の接続プロセス性に優れる回路接続用接着フィルム並びに回路接続構造体を提供すること。
【解決手段】加熱により遊離ラジカルを発生する硬化剤、ラジカル重合性物質、フィルム形成性高分子、及び導電性粒子を含み、ラジカル重合性物質として、２５℃での粘度が１００，０００〜１，０００，０００ｍＰａ・ｓであるウレタンアクリレート及び／またはウレタンメタアクリレートと、ジシクロペンテニル基またはトリシクロデカニル基を有するアクリレート及び／またはメタアクリレートとが含有され、ラジカル重合性物質１００重量部に対して８０〜１８０重量部の前記フィルム形成性高分子を含有することを特徴とする回路接続用接着フィルム。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路素子の電極と導体柱とを半田を介して立体的に強固に接続することが可能であるとともに、両者を接続する半田の体積が小さいものであったとしても、半導体集積回路素子の下面と配線基板の上面との間隔を十分に保つことができ、両者の間に封止樹脂を良好に充填することが可能な配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板３の上面に被着された半導体素子接続パッド１０と、半導体素子接続パッド１０上に形成された導体柱１２と、導体柱１２の側面を覆うとともに導体柱１２の上面を露出させるソルダーレジスト層６とを備えて成る配線基板であって、導体柱１２は、その上面の中央部にソルダーレジスト層６の上面から５〜２０μｍ上方に突出する突起部１２ａを有している配線基板である。 （もっと読む）

【課題】電磁シールドの効果が高く、小型で、機械による組立の容易なカメラモジュールを実現する。
【解決手段】本発明に係るカメラモジュール１は、撮像素子１０と、撮像素子１０に光を導くレンズ７と、基板３と、導体であるシールドケース４とを備える。撮像素子１０は、レンズ７と基板３との間に位置し、基板３は、基板３の角が切り欠かれた形状になっている切り欠き部３ａを有し、切り欠き部３ａの側面に接地のための側面電極部１１を有す。基板３とシールドケース４とは、基板３の切り欠き部３ａの側面とシールドケース４の内側の側面との間に形成される空間に充填された半田５によって接合されている。よって、電磁シールドの効果が高いシールドケース４を用いたカメラモジュールを、小型化することができる。また、半田による接合は一方向から行うことができるのでカメラモジュール１の組立が容易になる。 （もっと読む）

【課題】反りの発生を抑制できる回路基板を提供すること。
【解決手段】回路基板１は、基板２と、この基板２上に設けられたフラックス機能を有する化合物を含む樹脂層３とを備える。基板２の第一絶縁層２１の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ａ）が３０ｐｐｍ／℃以下、３ｐｐｍ／℃以上である。また、第二絶縁層２３の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｂ）が（Ａ）よりも大きく、（Ａ）と、（Ｂ）との差が５ｐｐｍ／℃以上、３５ｐｐｍ／℃以下である。 （もっと読む）

【課題】コア層の少なくとも一方の主面上において導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層されるとともに、最表面にソルダーレジスト層が形成されてなる、いわゆるＢＧＡタイプの配線基板において、導体層と半田ボールとの密着性を改善した新規な配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】コア層の少なくとも一方の主面上において導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層されるとともに、最表面にソルダーレジスト層が形成され、このソルダーレジスト層に形成された開口部から前記少なくとも１層の導体層が露出してなる配線基板を準備する。次いで、前記少なくとも１層の導体層上にＳｎを含む下地層をメッキにより形成し、さらに前記下地層を加熱して溶融させた後、溶融した前記下地層上に半田ボールを搭載し、この半田ボールを前記下地層と直接接続する。 （もっと読む）

【課題】より多くの導電粒子を電極間に捕捉可能な導電接合構造と、導電接合構造によって実装基板に実装部品を接合した実装構造体、及び、この導電接合構造によって２つの被接合部材を接合するための導電接合方法を得る。
【解決手段】基板側電極１８には接合用凹部２４が形成され、部品側電極２０には接合用凸部２６が形成される。接合用凹部２４と、接合用凸部２６の間に、異方性導電接合材２２の導電粒子２２Ｐを捕捉する捕捉間隙３０が構成されている。 （もっと読む）

【課題】導体層及び樹脂絶縁層が交互に積層されるとともに、第１の主面側とこの第１の主面と相対する第２の主面側の最表面にソルダーレジスト層が形成され、前記ソルダーレジスト層に形成された開口部から前記導体層が露出してなる配線基板において、導体層と半田バンプ等との密着性を改善した新規な配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板の最表面のソルダーレジスト層に形成された開口部から露出した導体層上に、Ｓｎを含む下地層を形成する。次いで、下地層のうち第１の主面側に位置する第１の下地層及び第１の主面と相対向する第２の主面側に位置する第２の下地層上に、それぞれ第１の半田及び第２の半田を供給する。次いで、第１の半田及び第２の半田を同時に加熱して、それぞれ第1の下地層及び第２の下地層と接続する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で有機膜の除去を行い、清浄な電極表面を露出させた後、直ちに電子部品の実装工程に移る。
【解決手段】少なくとも電極２ａ上が有機膜４で被覆された配線基板２が載置される載置部３と、載置部３に載置された配線基板２の有機膜４を削り取る研削部材５と、研削部材５を移動させる移動機構６と、有機膜４が削り取られた電極２ａ上に接着剤７を介して搭載された電子部品８を熱加圧する加熱押圧ヘッド９とを備える。 （もっと読む）

【課題】
熱容量の異なる半導体素子接続パッドに半田バンプを介して半導体素子の電極を接続する際、半田バンプ同士の短絡を防ぎ半導体素子の正常作動が可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】
ビア導体２ａが充填された多数のビアホール１ｃを有する絶縁層１ｂの表面にビア導体２ａと一体的に形成された導体層２から成る第１の半導体素子接続パッド３ａと、絶縁層１ｂ上に形成された導体層２のみから成る第２の半導体素子接続パッド３ｂとが、第１の半導体素子接続パッド３ａの配列中に第２の半導体素子接続パッド３ｂが分散して配設されるとともに第１および第２の半導体素子接続パッド３ａおよび３ｂに半田バンプ５が溶着されて成る配線基板１０であって、第２の半導体素子接続パッド３ｂに溶着された半田バンプ５の体積が第１の半導体素子接続パッド３ａに溶着された半田バンプ５の体積より小さい配線基板１０である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、接合材料を微細ピッチで供給し、信頼性が高く電気的な接続が可能な電子部材を提供することを目的とする。
【解決手段】酸化銅から銅へ還元する際、酸化銅内に多数の金属銅の核が形成し、元の外形を維持したまま形骸化して還元され、生成する銅の曲率は大きくなる。この微粒子化メカニズムを利用することで、酸化銅を粒子状ではなく、緻密な層状で提供しても接合が可能となる。また、耐マイグレーション耐性の高い銅を用いることで従来の銀よりも高い信頼性を有する接合が可能となる。本発明は、電気信号を入出力する電極または電気信号を接続するための接続端子を備えた電子部材であって、電極または接続端子の最表面が酸化銅層であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
複数の配線導体が、互いに隣接する半田接続部間に並設され高密度な配線形成が可能であると共に電気的絶縁信頼性が高い配線基板及びその製造方法を提供する事を課題とする。
【解決手段】
半田接続部３をもつ配線導体２が多数並設された絶縁基板１上面に、半田接続部３を露出させる開口部４ａをもつソルダーレジスト層４が形成されるとともに、開口部４ａ内に半田接続部３と接続された半田バンプ５を備える配線基板１０であって、開口部４ａは半田接続部3の幅より大径でソルダーレジスト層４上面から配線導体２より高位置まで開口する上側開口部４ａｄと、上側開口部４ａｄの下側で半田接続部３の間の配線導体２を露出させずに半田接続部３を露出させるように開口する下側開口部４ａｃとを有する。 （もっと読む）