【課題】
銅パッド部とはんだボールとの間における銅と錫との反応が促進されるのを阻止して、銅パッド部に断線が発生するのを防止することを可能にするはんだボール及びそのはんだボールを用いた半導体装置を提供する
【解決手段】
はんだボールを、金属又は樹脂の表面に金属をコーティングしたコア材と、このコア材の表面に形成されたニッケル、チタンもしくクロムを主成分とする第一の金属膜層と、この第一の金属膜層の外周に形成された銅を主成分とする第二の金属膜層と、この第二の金属膜層の外周に錫を主成分とする第三の金属膜層とを有して構成し、半導体装置を、第一の部材上の第一の電極パッドと第二の部材上の第二の電極パッドとをこのはんだボールを用いて接合した構成とした。 （もっと読む）

【課題】送風機のケース内面に凝着したフラックスが被加熱物としての基板上に垂れることを防止する。
【解決手段】炉体内の上方に設置された送風機と、送風機から下方に吹き出される風を受けて風を分散させる導風板と、導風板の下方に配置されたヒータと、ヒータの下方に配置され、多数の小孔を介して下方の被加熱物に対して熱風を吹きつけるパネルとを備える。導風板に対して滴下したフラックス、または導風板において凝着したフラックスを溜める受け部が設けられる。 （もっと読む）

【課題】はんだ材料として高い固相線温度と適度な液相線温度を有し、良好な濡れ性を具えているだけでなく、Ｂｉ系はんだにおけるＮｉ−Ｂｉの過剰反応やＮｉ拡散という特有の課題を抑制すると同時に、濡れ性に優れたＰｂフリーはんだ合金を提供する。
【解決手段】０.０２質量％以上３．００質量％以下のＡｌ及び０.００１質量％以上１．０００質量％以下のＧｅを含み、残部がＢｉ及び不可避的不純物からなる鉛フリーはんだ合金とする。さらにＺｎ、Ｐ、Ａｇ、Ｃｕのうち少なくとも１種を含んだものであっても良い。 （もっと読む）

【課題】鉛フリーはんだの熱伝導率を向上させ、コストと信頼性とを両立した、２００℃以上で使用可能な、高温鉛フリーはんだを提供する。
【解決手段】鉛フリーはんだに、グラフェンまたはグラファイトを添加することとする。鉛フリーはんだが、Ｂｉを主成分とし、Ａｇを含み、残りが他の不可避的不純物元素から構成される。鉛フリーはんだが、Ｂｉを主成分とし、０＜Ａｇ≦１１ｗｔ％のＡｇを含む。グラフェンまたはグラファイトの添加量が、５ｗｔ％以上で３０ｗｔ％未満である。 （もっと読む）

【課題】 Ｂｉ中にＰを簡単に且つ低コストで含有させることによって、Ｐｂを含まず、濡れ性に優れ、高い信頼性を有するＢｉ系はんだ合金の製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｐｂを含まず、Ｂｉを主成分とし、Ｐを含有するＢｉ系はんだ合金の製造する際に、Ｂｉよりも融点の高い金属箔でＰを包み込み、このＰを包み込んだ金属箔をＢｉと共に不活性ガス雰囲気中で加熱溶融することによって、Ｐを０.００１重量％以上含有させたＢｉ系はんだ合金が得られる。金属箔はＡｌ、Ｚｎ、Ｃｕのいずれか１種又はこれらの合金からなり、その厚さが２０μｍ以上８００μｍ以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】プロセス温度の低温化とプロセス時間の短縮化可能な積層化高融点半田層およびその形成方法、およびこの積層化高融点半田層を適用した半導体装置を提供する。
【解決手段】低融点メタル薄膜層８１と、低融点メタル薄膜層８１の表面および裏面に配置された高融点メタル薄膜層８２とを有する３層構造を複数積層化した積層化構造８０と、積層化構造８０の表面に配置された第１高融点メタル層１ａと、積層化構造８０の裏面に配置された第２高融点メタル層１ｂとを備え、低融点メタル薄膜層８１と高融点メタル薄膜層８２、積層化構造８０と第１高融点メタル層１ａおよび第２高融点メタル層１ｂは、液相拡散接合によって互いに合金化された積層化高融点半田層５、およびこの積層化高融点半田層５を適用する半導体装置１０。 （もっと読む）

【課題】高温での耐熱性を求められるＩＣパッケージや車載モータやその他の電動モータの駆動を制御するための発熱量が大きいパワーモジュール等に使用する際の接合材料として、優れた耐熱特性とスペーサー作用を有した鉛フリーはんだ合金及び当該鉛フリーはんだ合金を簡易な方法にて提供する。
【解決手段】Ｓｎ−Ｃｕを基本組成とする鉛フリーはんだ合金の製造過程に於いて、高温の液相を有する組成のはんだ合金を液相線温度以上に加熱して完全に溶解し、その後、Ｃｕ₆Ｓｎ₅を主とする金属間化合物が生成、成長するように、温度条件をコントロールしながら冷却して、Ｃｕ₆Ｓｎ₅等金属間化合物を生成させた後、当該金属間化合物を含有したはんだ合金を含有するＣｕ₆Ｓｎ₅を主とする金属間化合物が消失しない温度条件にてはんだ接合を行うことにより、当該金属間化合物を含有したはんだ接合部を有するはんだ接合を可能とした。 （もっと読む）

【課題】整列配置されたランド部に実装部品のリード部を引き半田により半田付けするに際して、簡単な構造で隣接するランド部間の余剰半田を抑えて、半田ブリッジ等の不具合の発生を抑制することができる、新規な構造のプリント基板を提供すること。
【解決手段】実装部品１６ａ，１６ｂのリード部２０が挿通されるスルーホール１２を備えたランド部１４が整列配置されており、該ランド部１４と該リード部２０が引き半田により半田付けされるプリント基板１０において、ランド部１４の整列方向と直交する方向に延び出す延出ランド部３０ａ, ３０ｂを、ランド部１４と連接して設けた。 （もっと読む）

【課題】相互に離隔した複数のランド列を連続して引き半田により半田付けすることができる、新規な構造のプリント基板を提供すること。
【解決手段】実装部品１６ａ, １６ｂのリード部２０が挿通されるスルーホール１２に設けられた複数のランド部１４が整列配置されており、該ランド部１４と該リード部２０が引き半田により半田付けされるプリント基板１０において、一群の前記整列された複数のランド部から構成された第一ランド列２２ａと第二ランド列２２ｂを互いに離隔させて配設し、第一ランド列２２ａの終端側の端部と第二ランド列２２ｂの始点側の端部との間に延出する中間ダミーランド部２６を設けた。 （もっと読む）

【課題】局部的に加熱および冷却を行い、基板表面の温度分布の不均一性を低減する構造を追加することで、タクトタイムを増加させることなく、温度分布の不均一性を低減できるリフロー装置。
【解決手段】プリント配線板を搬送しながら加熱する複数の加熱ゾーンを持ったリフロー装置であって、少なくとも、前記プリント配線板を搬送するコンベアと、前記プリント配線板の一部分を局部的に加熱する局部加熱ユニットであって、前記加熱ゾーンごとに設けた複数の局部加熱ユニットと、前記プリント配線板が通過したことを検知する被加熱物通過検知センサと、を備えており、前記局部加熱ユニットは、前記プリント配線板への接触および非接触が制御可能に個々に駆動でき、且つ、個々に温度制御が可能であることを特徴とするリフロー装置。 （もっと読む）

【課題】特殊なジャンパ導体を用いることなく、汎用があり、かつ安価なジャンパーリード線を用いることで、プリント配線基板の通電容量を増大させるとともに、大電流が流れるプリント基板パターン部の放熱性能の拡大及び電流許容値を向上させることができる電子制御装置を提供する。
【解決手段】この発明に係る電子制御装置は、プリント配線基板１内に電流回路が形成され、フロー半田付け工法を用いてリード端子付き電子部品がプリント配線基板１に半田接合される電子制御装置において、プリント配線基板１のフロー半田付けされる半田面側の電流回路の電流が流れる半田面電流パターンを構成し、銅箔を剥きだしとした銅箔ベタパターン２８と、銅箔ベタパターン２８に形成されるスルーホール２９と、半田面側からスルーホール２９に実装され、フロー半田付け工法により半田付けされるジャンパーリード線３０とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】 はんだ接合部の接合強度が高くて信頼性が高い半導体装置を提供する。
【解決手段】 厚さ０.０１μｍ以上４.０μｍ以下、好ましくは０.０１μｍ以上１.０μｍ以下のＡｇ層を備えたはんだ接合面における接合に、Ｂｉを８４質量％以上含有し、Ｚｎを０.２質量％以上１３.５質量％以下含有し、Ａｌ若しくはＳｎ又はそれら両方を合計して２.０質量％を超えて含有しておらず、Ｐを０.５００質量％を超えて含有していないはんだが用いられている。 （もっと読む）

【課題】通常の鉛フリーはんだのリフロー熱処理条件で溶融接合でき、接合後は耐熱性に優れ、かつ室温で良好な接合強度を与える金属フィラーを提供する。
【解決手段】 第１の金属粒子と第２の金属粒子との混合体を主成分として含む金属フィラーであって、該混合体が第１の金属粒子１００質量部に対し第２の金属粒子が５５〜４００質量部であり、該第１の金属粒子はＣｕ粒子もしくはＣｕ合金粒子であり、該第２の金属粒子は、４．３μｍ以下の粒子の含有率が１６％以下のＳｎ粒子又はＳｎ合金粒子である、金属フィラー。 （もっと読む）

【課題】従来のＰｂフリーはんだに対して高温保持におけるＡｇとはんだとの界面の金属間化合物層の成長を更に抑制することができ、はんだ接合部における良好なはんだ濡れ性を備えたＳｎを主成分とするＰｂフリーはんだを提供する。
【解決手段】一方の導体２と他方の導体とをはんだ接合するためのＳｎを主成分とするＰｂフリーはんだ１であって、一方の導体および他方の導体の少なくともいずれか一方はＡｇを主成分とする層をその表面に備えており、Ｓｎを主成分とするＰｂフリーはんだに、Ｚｎが含まれているものである。 （もっと読む）

【課題】 誘導電流を利用してプリント配線基板等の被加熱対象を加熱して半田付けを行う際、被加熱対象の全体に対して均一な加熱を可能とする一括局所加熱装置を提供する。
【解決手段】 被加熱対象であるプリント配線基板１を設置する平面を有する筒状のサセプタ６と、筒状サセプタ内に設置され、かつ、被加熱対象より長い直線部３ｃを持ち、かつ、それが前記サセプタの平面部６ａと平行である誘導コイル３と、温度検出部４と、前記温度検出部の検出温度に応じて前記コイルに供給する交流電流を調節しながら前記サセプタの加熱量を制御する制御手段５とを備える。 （もっと読む）

【課題】接合時間を短縮するとともに、ヒータチップの寿命の短縮化を回避する。
【解決手段】接合対象１５をヒータチップ１２で押圧しつつ、このヒータチップ１２に通電して加熱を行う接合装置１であって、出力電流および／又は出力端子間電圧に基づいて前記通電のための出力を制御する電源部２１と、接合対象１５に対してヒータチップ１２を近接および離隔させる昇降手段３と、ヒータチップ１２の押圧部近傍１２Ａに不活性ガスを吹き付けるノズル１４とを備え、ヒータチップ１２は下端に押圧部を設けた側面視略Ｖ字形状であり、上部の両端に給電端子１２Ｂを有し、この両端の給電端子１２Ｂの間隔が増減可能となるように昇降手段３に支持される。 （もっと読む）

【課題】電気的な接続不良の発生が抑制された電子装置を提供する。
【解決手段】電子部品（１０）、及び、該電子部品（１０）が実装される実装基板（３０）を備える電子装置であって、実装基板（３０）に、電子部品（１０）の実装面（３０ａ）からその裏面（３０ｂ）までを貫通する貫通溝（３１）が少なくとも１つ形成され、貫通溝（３１）によって、電子部品（１０）の実装領域の少なくとも一部が囲まれており、貫通溝（３１）は、実装基板（３０）よりもヤング率が低い弾性部材（３２）によって埋められている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の傾きや位置を、簡易かつ安価に制御することができるパワーモジュールを提供する。
【解決手段】本発明に係るパワーモジュールでは、半導体素子２０の表面電極２５と第２電極パッド５ａとの間に表面側半田層４５が形成され、半導体素子２０の裏面電極２３と第１電極パッド３ａとの間に裏面側半田層４３が形成されている。第１および第２電極パッド３ａ、５ａは、対応する裏面または表面電極２３、２５と実質的に同一の形状を有する部分と、該部分の四隅に相当する位置から半導体素子２０の対角線に沿って外向きに距離Ｄ_１だけ突出した４つの突出部分とからなっている。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を要求される接合において、３００〜３４０℃の融点を有し、十分な濡れ性や信頼性等に優れる高温用ＰｂフリーのＡｕ−Ｓｎ合金はんだを提供する。
【解決手段】Ｓｎを１８．５質量％以上２３．５質量％以下およびＣｏを０．０１質量％以上２．０質量％以下含有し、さらに０．００１質量％以上０．５質量％以下のＰまたは０．０３質量％以上１．５質量％以下のＧｅのうち少なくとも１種を含有し、残部がＡｕからなるＡｕ−Ｓｎ合金はんだとする。 （もっと読む）

【課題】 はんだ付けの高信頼性確保を目的とし、電極のはんだ濡れ性向上やはんだ接合部への異種金属の混入防止のため、予備はんだが行われている。予備はんだ後の電極表面を平坦化するためには、複数の工程を経なければならなかった。
【解決手段】 はんだ槽にメッシュを浮かべ、メッシュ越しに部品の電極とはんだ槽のはんだを接触させることにより、電極にはんだを供給する。さらに、メッシュの効果により電極に余剰なはんだを付着させず、平坦な電極表面を得られる。この手法により、電極へのはんだ供給と電極表面の平坦化の２工程を、同時に行うことができ、部品への熱ダメージの低下、作業時間の短縮が可能になる。さらに、余剰なはんだや、余剰なはんだを吸い取るために用いた吸着パッドやはんだ吸い取り線を廃棄する必要が無いため、廃棄物の量が減少し、予備はんだ作業の環境負荷を低減できる。 （もっと読む）