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【課題】バンプの潰れすぎによる導通不良〔ショート(短絡)〕を防ぎつつ、接着性が良好な半導体素子の実装方法、及び該半導体素子の実装方法により得られる実装体の提供。
【解決手段】バンプが形成された半導体素子の前記バンプを有する面上に、硬化した第一の絶縁性樹脂層と、未硬化の第二の絶縁性樹脂層とをこの順に積層した積層物を作製する積層物作製工程と、電極を有する基板上に、前記基板の前記電極を有する面が前記第二の絶縁性樹脂層に対向するように前記積層物を配置する配置工程と、前記半導体素子を加熱及び押圧し、前記第二の絶縁性樹脂層を硬化させるとともに、前記バンプと前記基板の前記電極とを電気的に接続する接続工程と、を含む半導体素子の実装方法である。 (もっと読む)


【課題】前工程を設けて予めはんだ付け部にはんだを供給しておく必要がなく、はんだの供給量を調整しても、溶融したはんだが意図せずワークに滴下するようなことがないはんだ付け方法とそのための装置を提供する。
【解決手段】第1の部材上に第2の部材をはんだ付けする方法であって、第1の部材を載置台に載置する工程と、第2の部材を第1の部材上に接触させて配置する工程と、加熱手段と第2の部材とに細長形状のはんだを介在させる工程と、載置台と加熱手段とで第1の部材、第2の部材およびはんだを挟持する工程と、はんだの挟持された部分を残して不使用部分を切断する工程と、加熱手段を加熱して挟持されたはんだを溶融させる工程とを有することを特徴とするはんだ付け方法。 (もっと読む)


【課題】半導体素子と、フレームあるいは基板、または、金属板と金属板との接合を、鉛を使用しない材料を用い、かつ、高い信頼性を確保する。
【解決手段】半導体素子と、フレームあるいは基板との接合材料として、Zn系金属層101がAl系金属層102a,102bによって挟持され、さらにAl系金属層102a,102bの外側がX系金属層103a,103b(X=Cu、Au、Ag、Sn)によって挟持された積層材料を接合材料として用いることによって、高酸素濃度雰囲気においても、表面のX系金属層が、当該接合材料が溶融する時点まで、ZnとAlを酸化から保護し、当該接合材料のはんだとしての濡れ性、接合性を保つことができ、接合部の高い信頼性を確保することができる。 (もっと読む)


【課題】はんだ接合部の品質信頼性を安定化することを可能とした基板を提供することである。
【解決手段】本発明の基板は、リード線を有する部品が搭載される基板において、前記基板は、その表裏外部面に1mm以上の幅のパターンを有し、前記部品のリード線のリード径と、前記基板上に設けられたスルーホールのスルーホール径との差分であるクリアランスを、0.5ミリより大きく、かつ、0.8ミリ以下の範囲に含まれるいずれかの値に設定したはんだ接合部を含む基板である。 (もっと読む)


【課題】はんだ槽中の溶融はんだ組成の効率的な調整方法を提供する。
【解決手段】Sn粉末及び/又はZn粉末を主成分とし、そのSn粉末及び/又はZn粉末に調整する成分の金属粉末を添加混合した後、圧縮、固化し、所要の形状に成形した鉛フリーはんだ(以下、ペレットという。)を調製して追加供給用鉛フリーはんだペレットとすることにより、製造時の高温溶解作業を解消することが可能となり、短時間で鉛フリーはんだペレットを得ることができる。また、上記方法にて得られた鉛フリーはんだペレットを用いて、ディップはんだ槽中の溶融はんだ組成を調整する際も、投入する鉛フリーはんだペレットが各組成の粉末を結合した状態であるために、従来の溶解後鋳込む製法にて製造された合金(インゴット)と比較して短時間で溶解してはんだ成分の調整が可能となる。 (もっと読む)


【課題】 凝固時の残留応力が小さく、高い接合強度と高い信頼性とを有し、Niを含む電子部品や基板を接合する際にNi−Biの反応やNi拡散を抑制できる高温用Pbフリーはんだ合金を提供する。
【解決手段】 Biを主成分とするPbフリーはんだ合金であって、Znを21.0質量%以上30.0質量%以下含有し、Alは3.0質量%を超えて含有しておらず、Snは10.0質量%を超えて含有しておらず、Pは0.5質量%を超えて含有していない。このPbフリーはんだ合金は、Al、SnおよびPのうちの1種以上が、Alの場合は0.02質量%以上、Snの場合は0.3質量%以上、Pの場合は0.001質量%以上含まれていてもよい。 (もっと読む)


【課題】基材に半導体素子などの電気部品を半田付けする半田層中にボイドが発生することを抑制できる電気回路の製造装置及び製造方法並びに電気回路製造用治具を提供する。
【解決手段】基材(11)と電気部品(13)との間に配置される半田材(121)を一時的に溶融させることで電気部品(13)を基材(11)に半田付けする電気回路製造装置であって、電気部品(13)及び半田材(121)に重ねられたときに、電気部品(13)及び半田材(121)の側方に延びるように形成されて電気部品(13)及び半田材(121)との相対的な位置を定める位置決め部(112)と、電気部品側に凸設されて電気部品(13)の表面に当接する突起部(113)と、を有する治具(110)と、少なくとも治具(110)を加熱して治具(110)から伝導する熱によって半田材(121)を一時的に溶融させるヒーター(120)と、を備える。 (もっと読む)


【課題】 濡れ性、接合性、信頼性等に優れ、かつ300℃程度のリフロー温度に十分耐えるPbフリーはんだ合金を提供する。
【解決手段】 第1のPbフリーはんだ合金は、Znを主成分とし、GeとBiを含む3元系のはんだ合金であって、第2元素であるGeを0.05質量%以上16.0質量%以下、第3元素であるBiを0.1質量%以上8.0質量%以下含有する。また、第2のPbフリーはんだ合金は、Znを主成分とし、GeとBiとPを含む4元系のはんだ合金であって、第2元素であるGeを0.05質量%以上16.0質量%以下、第3元素であるBiを0.1質量%以上8.0質量%以下、第4元素であるPを0.500質量%以下含有する。 (もっと読む)


【課題】ソーラセルを高温に晒すことなく、はんだをソーラセルに付着させる。
【解決手段】はんだワイヤ12を用いて、ソノトロード18によって加えられた超音波振動の作用により、半導体ワイヤが、溶融した状態で、ソーラセル10に付着される。ソーラセル10を望ましくない高温に晒すことなく、はんだをソーラセル10に極めて正確に付着させるためには、はんだワイヤ12が、加熱手段16,17と、超音波振動を加えるソノトロード18との間に延びているギャップに供給され、溶融され、ギャップを通ってソーラセル10上に流れる。 (もっと読む)


【課題】 酸化を防ぐことができ、濡れ性や接合性に優れた高温用のPbフリーZn系はんだ合金及びその製造方法と、そのPbフリーZn系はんだ合金によって接合された実装基板を提供する。
【解決手段】 シート状、ワイヤー状又はボール状であり、Znを80質量%以上含有するPbフリーZn系はんだ合金と、その表面にメッキ法、蒸着法、又はスパッタリング法により形成されたコーティング膜とからなるコーティング膜付きPbフリーZn系はんだ合金であって、コーティング膜はAg、Au、Cu及びNiから選らばれた少なくとも1種からなり、コーティング膜の膜厚が0.05〜2.00μmである。 (もっと読む)


【課題】はんだの塗布後にはんだを押しつぶす別工程を行うことなく、半導体チップの接合面に一様に濡れる所望形状のはんだを、はんだの塗布と同時に形成できるようにする。
【解決手段】基板2の一面上に、はんだ4を配置し、はんだ4の上に半導体チップ1を搭載し、はんだ4を介して半導体チップ1を基板2に接合するときに、はんだ4を基板2の一面に配置するはんだ供給装置であって、はんだ4を溶融させる溶融部20と、はんだ4を基板2の一面に配置したときの当該はんだ4の形状に対応する空間形状をなすキャビティ31を有する型30と、溶融部20にて溶融したはんだ4を型30のキャビティ31へ充填するノズル40とを備えており、型30を基板2の一面に接触させた状態でキャビティ31に溶融したはんだ4の充填を行うことにより、基板2の一面上にて、はんだ4を、キャビティ31の空間形状に対応した形状に形成する。 (もっと読む)


【課題】保存性、運搬性、及び使用時のハンドリング性に優れ、電極のみに対し選択的に半田バンプを形成することができるリフローフィルム及びそれを用いた半田バンプの形成方法、電極間の接合方法を提供する。
【解決手段】樹脂フィルム内部に、半田粒子が分散した状態で含有するリフローフィルム、並びに該リフローフィルムを用いた半田バンプの形成方法及び電極間の接合方法であって、電極を有する基板の電極を有する面にリフローフィルムを載置又は接合しようとする電極同士を対向配置し、該電極間に前記リフローフィルムを狭持し、該リフローフィルム上に、カバー板を載置固定し、該リフローフィルムを前記半田粒子の融点以上の温度であって、かつ前記樹脂フィルムが液状化する温度に加熱し、加熱温度を一定時間保持し、該一定時間経過後冷却することを特徴とする半田バンプの形成方法及び電極間の接合方法である。 (もっと読む)


【課題】本発明の課題は、前記事情に鑑み、鉛や金等を含有することなく、液相線温度が250℃〜400℃程度必要となる高温はんだに対応した酸化や腐食に起因する経時劣化を防止し、高信頼性を有する高温鉛フリーはんだ材料を低価格で提供することである。
【解決手段】Znを15重量%〜92重量%、Mnを0.1重量%以下(範囲下限値の零を含まず)、残部Sn及び不可避不純物からなるはんだ材料を用いることにより、優れたはんだ特性を有し、250℃〜400℃の温度域でのはんだ接合に対応する高い液相線温度を有し、更に、はんだ接合部の酸化や腐食に起因する経時劣化を防止する、優れた鉛フリーはんだ材料の提供を可能とする。そして、上記組成にAlを1重量%以下(範囲下限値の零を含まず)添加することにより、はんだ接合部の接合強度を一層向上させることを可能とする。 (もっと読む)


【課題】耐久信頼性及び熱特性を一定以上に確保することが可能な回路基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】導電層を有する絶縁基板と回路素子とを備え、前記絶縁基板の前記導電層と前記回路素子とがはんだにより接合される回路基板の製造方法であって、前記はんだで構成されるはんだシートに、前記絶縁基板の前記導電層と前記回路素子との間隔を規制する規制部材を配設する配設工程(ステップST1)と、前記絶縁基板、前記規制部材が配設された前記はんだシート、及び前記回路素子を、その順番で積層する積層工程(ステップST2)と、積層されている前記絶縁基板、前記はんだシート及び前記回路素子を、還元雰囲気下において加熱して前記はんだシートを溶融することによって、前記絶縁基板と前記回路素子とを接合する接合工程(ステップST3)と、を含む回路基板の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】予熱や冷却等の処理容器に対する蓋体の支持及び密閉機構を工夫して、当該処理容器上において、蓋体を摺動自在に、かつ、気密性良く支持及び密閉できるようにする。
【解決手段】上部に開口部を有した矩形状の熱処理部20上を複数の蓋体32で密閉する蓋体支持密閉機構30を備え、蓋体支持密閉機構30は、所定の方向に沿って配設された一対の多溝レール状の係合溝部を有して熱処理部20の開口部上を覆う複数の蓋体32と、熱処理部20の開口部で相互に対峙する辺に沿って配設された一対の多溝レール状の被係合溝部を有して蓋体32を摺動自在に支持する摺動支持部材35a,35bとを含み構成され、蓋体32の係合溝部が摺動支持部材35a,35bの被係合溝部に嵌合されるものである。 (もっと読む)


【課題】カーケンダルボイドやエレクトロマグレーションよる例えば能動素子と回路パターンを接続する接合材の接合部に対応する破断を検出して能動素子の接合部を含む回路基板の故障を予兆することが可能なモジュールを提供する。
【解決手段】第1導体で形成された回路パターンを有する回路基板と、前記第1導体とは異なる第2導体で形成された接合材と、前記接合材により前記回路パターンに接合された受動素子および能動素子と、前記回路基板に信号回路と別に設けられた検出回路とを備え、前記検出回路は前記回路基板に設けられ、前記第1の導体と前記第2の導体とを電気的に接続した検出器と、前記検出器に電流を流す電源部と、前記検出器の一方の導体と前記電源の間に介在され、前記第1、第2の導体間の電気的特性を測定する計測部とを備えること特徴とするモジュール。 (もっと読む)


【課題】ガラス、セラミック、ITO、難半田付金属等の半田付が困難な部材によって構成される基板に予め半田を形成し、超音波振動させ且つ加熱されるチップにより導線を基板側に押圧することにより半田付を行うにあたって、導線を高い強度で基板に半田付可能な半田形成方法及び装置並びに導線半田付け方法及び装置を提供することを課題としている。
【解決手段】本発明は、基板1上に導線18を半田付けする前に、基板1上に半田を形成する半田形成方法であって、振動子31によって超音波加振されるとともに加熱手段26によって加熱されるチップ24側に向って線状半田27を繰出し、該チップを基板1に近接又は当接させた状態で、配線方向に沿って移動させることにより、基板1上に配線方向に延びる帯状の半田層19を連続的に形成する。 (もっと読む)


【課題】 本発明の課題は、基板と基板がそれぞれ備える端子間の電気的な接続を安定的に行うことができ、さらに生産性に優れる、これら基板と基板が接合された基板/基板接合体を得ることができる電子部品の製造方法および電子部品を提供することにある。
【解決手段】 上記課題は、第1の基板/第2の基板積層体を加熱することにより、金属箔を溶融し、第1の基板の第1の端子と前記第2の基板の第2の端子との間に金属箔を凝集させた後、固化させることにより接合部を形成するとともに、前記第1の端子、第2の端子並びに接合部の周縁に樹脂組成物からなる補強部を形成させることにより達成することができる。 (もっと読む)


【課題】外部回路接続に棒はんだを用いる、複数の相互接続金属層およびはんだ濡れ性の前面金属部構造を備えるHEMTを含むIII族窒化物パワーデバイスの、いくつかの典型的な実施形態を提供する。
【解決手段】はんだ濡れ性の前面金属部140aおよび140bの構成は、TiNiAgのようなトリメタルからなり、HEMTのソースおよびドレインコンタクトを交互の細長いデジットまたはバーとして露出するように設けられる。また、単一のパッケージは、前面金属部構造140aおよび140bが交互の相互嵌合したソースおよびドレインコンタクトを露出する、こうしたHEMTを多数集積し、これはIII族窒化物デバイスを用いるDC‐DCパワー変換回路設計に有利となり得る。外部回路接続に棒はんだを用いることにより、横方向の導電が可能となり、これによりデバイスのオン抵抗Rdsonを低減する。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、対向する接続端子間において、良好な電気的接続と隣接端子間において高い絶縁信頼性を得ることを可能にする、樹脂成分を含有する樹脂組成物層と金属層の積層構造を有する導電接続材料の製造方法を提供することである。
【解決手段】上記課題は、樹脂成分を含有する樹脂組成物層に、支持基材上に真空スパッタリング法または真空蒸着法により形成した金属層を転写させることにより解決することが可能となる。 (もっと読む)


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