【課題】 回路モジュールの製造方法において、現状の材料、プロセスを活用して、はんだの接合信頼性を向上すること。
【解決手段】回路モジュールは、片側の面に半導体素子が搭載され対向する面には半導体素子に繋がる複数の電極パッドが形成されている半導体素子搭載基板と、片側の面に接地層を介して開口部を有するソルダーレジスト層が形成されている回路基板と、半導体素子搭載基板の電極パッドと回路基板の接地層を接合するはんだボールを備えている。接地層は、ソルダーレジスト層に被覆され第１の膜厚を有する第１の電極部分と、第１の電極部分と連続しかつソルダーレジスト層の開口部の内側に設けられ第１の電極部分よりも膜厚が厚い第２の電極部分から構成され、はんだボールは第２の電極部分と半導体素子搭載基板の電極パッドを接合しているものである。 （もっと読む）

【課題】延性が高く、長期間にわたり十分な接合強度を維持できるＰｂフリーはんだ、そのはんだを用いた半導体装置及びはんだ付け方法を提供する。
【解決手段】Ｓｎ（スズ）、Ｂｉ（ビスマス）及びＺｎ（亜鉛）を含み、Ｚｎの含有量が０．０１ｗｔ％乃至０．１ｗｔ％であるはんだを使用する。例えばＢｉ含有量が４５ｗｔ％〜６５ｗｔ％、Ｚｎ含有量が０．０１ｗｔ％乃至０．１ｗｔ％、残部がＳｎからなるはんだ、又はＢｉ含有量が４５ｗｔ％〜６５ｗｔ％、Ｓｂ（アンチモン）含有量が０．３ｗｔ％〜０．８ｗｔ％、Ｚｎ含有量が０．０１ｗｔ％乃至０．１ｗｔ％、残部がＳｎからなるはんだを使用し、電子部品と基板とを接合する。 （もっと読む）

【課題】容易に電極部間のピッチを狭めたり、容易に電極部上に微小な半田バンプ形成したりすることができる回路基板等の技術を提供すること。
【解決手段】回路基板１０は、電極部２１を有する配線部２０を備える。電極部は、銅層２２と、銅層上の酸化銅層２３と、酸化銅層を貫通する孔２４とを有する。孔により露出された銅層露出部２５上には、フリップチップ実装用の半田バンプ１が形成される。半田バンプ形成時には、電極部上にクリーム半田等が塗布されて加熱される。半田は、銅には接着し易いが、酸化銅には接着にくい性質を有しており、この関係が利用される。つまり、クリーム半田加熱時には、半田バンプは、接着し易い銅層露出部上に形成され、酸化銅層上には形成されない。これにより、孔の大きさを調整することで、容易に微小な半田バンプを形成することができ、また、電極部の構造を複雑化する必要もないので、容易にピッチを狭めることができる。 （もっと読む）

【課題】少なくとも１層の導体層と少なくとも１層の樹脂絶縁層とが交互に積層され、表面をなす前記樹脂絶縁層から複数の導電性パッドが突出してなる積層構造体を含む多層配線基板において、はんだバンプを均一に形成し、半導体素子との接続不良を抑制する。
【解決手段】少なくとも１層の樹脂絶縁層の表面上において、この表面から突出するようにして形成された導電性パッドに対して、第１の開口径を有する第１の開口部が形成されてなるメタル層と、前記第１の開口径及び前記導電性パッドの外径よりも大きな第２の開口径を有する第２の開口部が形成されてなる樹脂層とが、前記第１の開口部及び前記第２の開口部が連通するように積層されてなるマスクを介してはんだペーストを供給し、リフローする。 （もっと読む）

【課題】回路基板の実装面に設けられた実装用ランドの面積を大きくせずとも、十分な量のはんだペーストを供給して、電子部品と回路基板との間のはんだ不足による接続不良を低減することのできる技術を提供する。
【解決手段】電子部品の複数のバンプ接続用はんだボール電極にはんだペーストを転写により塗布すると共に、実装面１ａの凹んでいる部分や、内部電極パターン５の積層方向における配線密度が小さく回路基板１の厚みが薄くなって窪みが生じるおそれのある部分、回路基板１または電子部品の反りにより回路基板１および電子部品間の間隔が大きい位置に設けられた実装用ランド２に、はんだペーストを塗布することにより、回路基板１の実装用ランド２の面積を大きくせずとも十分な量のはんだペーストを供給して、電子部品と回路基板１との間のはんだ不足による接続不良を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】導電性ボール（半田ボール）を確実に保持することができるようにする。
【解決手段】平板状をなす本体部１０と、本体部１０に形成された複数の導電性ボール吸引保持孔１５とを有し、導電性ボール吸引保持孔１５の少なくとも下側の部分は、導電性ボール（半田ボールＢ）の径よりも小さい径を有し、導電性ボール吸引保持孔１５の上方から吸引され導電性ボール吸引保持孔１５の内部が負圧となることによって、導電性ボール吸引保持孔１５の下側において導電性ボール（半田ボールＢ）を保持するものであり、本体部１０は、上側の金属層２０と下側の合成樹脂層３０とを有し、導電性ボール吸引保持孔１５は、金属層２０に形成された貫通孔２５及び合成樹脂層３０に形成された貫通孔３５によって形成されている。 （もっと読む）

【課題】複数の差動信号を伝送する半導体装置の信頼性低下を抑制する。
【解決手段】複数の差動信号を伝送する複数のランド（第１外部端子）ＬＤｐ１を含む複数のランド（外部端子）ＬＤｐが、配線基板１２の裏面１２ｂに行列状の配列パターンで配置されたエリアアレイ型の半導体装置１０を以下の構成とする。複数のランドＬＤｐ１の一部は、配列パターンの最外周に配置される。また、複数のランドＬＤｐ１の他の一部は、配線基板１２の裏面１２ｂにおいて、配列パターンの最外周よりも内側で、かつ、最外周の隣の列に配置される。ここで、最外周の隣の列に配置されるランドＬＤｐ１と、配線基板１２の側面の間の第２領域Ｒ２では、複数のランドＬＤｐの配置間隔が、最外周の第１領域Ｒ１よりも広くなっている。 （もっと読む）

【課題】耐熱性と耐湿性、及び作業性に優れ、特に厳しい信頼性の要求される電気・電子用のフィルム状回路接続材料の製造方法を提供すること。
【解決手段】接着剤組成物及び導電性粒子を有するフィルム状回路接続材料の製造方法であって、（１）ビスフェノールＡ型の構造を有するフェノキシ樹脂、（２）エピクロルヒドリンとビスフェノールＡから誘導され、１分子内に２個以上のグリシジル基を有するビスフェノール型エポキシ樹脂、（３）ナフタレン系エポキシ樹脂及び（４）潜在性硬化剤、を含む前記接着剤組成物及び溶剤を含有する混合液を調製する工程と、混合液を剥離性基材上に塗布する工程と、塗布された混合液を潜在性硬化剤の活性温度以下で乾燥し、混合液から溶剤を除去する工程と、を備え、導電性粒子が、金属粒子又はプラスチックに導通層が形成された粒子である、フィルム状回路接続材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基板に配置された接続パッドに半導体素子の電極がはんだバンプを介して接合される配線基板において、接続パッドのエレクトロマイグレーションによる空隙が抑制された配線基板を提供する。
【解決手段】 上面に半導体素子の搭載部１ａを有する絶縁基板１と、搭載部１ａに配置された、半導体素子４の主面の電極５がはんだバンプ６を介して接合される接続パッド２と、絶縁基板１の搭載部１ａから内部にかけて形成され、端部が接続パッド２に接続された貫通導体３とを備え、接続パッド２の上面に、平面視で貫通導体３の端部が接続された領域の外側に、はんだバンプ６よりも電気抵抗が低い金属材料からなる凸部２ａが形成されている配線基板である。貫通導体３からの電流を凸部２ａに分散させて接続パッド２における電流密度を低く抑え、エレクトロマイグレーションによる空隙を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】電子部品の基板実装時における電子部品直下への小型部品の侵入を容易に確認可能な電子部品の実装構造を提供する。
【解決手段】接続端子を有する電子部品と、前記電子部品が実装される基板と、を備え、前記基板は、前記電子部品の接続端子と対応する位置に設けられた第１パッドと、前記電子部品の投影領域内において前記第１パッドとは異なる位置に設けられ且つ上面に半田が配置された第２パッドとを有する、という電子部品の実装構造を採用する。 （もっと読む）

【課題】高密度化に対応した導体ポストを備える配線基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導体層１２と導体層１２上に積層されたソルダーレジスト層１３と、ソルダーレジスト層１３に設けられた貫通孔１３１の下方に配置された導体層１２ａに導通される導体ポスト１６と、を備える配線基板の製造方法であって、熱硬化性樹脂を含むソルダーレジスト層１３に貫通孔１３１を穿設して、導体層１２ａを貫通孔内に露出させる貫通孔穿設工程と、貫通孔１３１内に銅を主体とする第１導体部１８１を形成する第１導体部形成工程と、第１導体部１８１上に、スズ、銅又は半田を主体とする第２導体部１８２を形成する第２導体部形成工程と、をこの順に備える。 （もっと読む）

【課題】半田バンプとパッドの接続の信頼性が高いプリント配線板を提供する。
【解決手段】層間樹脂絶縁層と、上記層間樹脂絶縁層上に形成されて、電子部品を搭載するためのパッドと、上記層間樹脂絶縁層と上記パッドとの上に形成され、上記パッド上に開口部を有するソルダーレジスト層と、上記開口部から露出するパッド上に形成されている被覆層とを備えるプリント配線板であって、上記ソルダーレジスト層は、上記開口部の底部において該開口部の内方に向けて突き出た形状の突出部を有しており、上記突出部は、先端部分に平坦面を有していることを特徴とするプリント配線板。 （もっと読む）

【課題】高密度化に対応した導体ポストを備える配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板１０は、導体層１２と、その上に積層されたソルダーレジスト層１３と、層１３に設けられた貫通孔１３１の下方に配置された導体層１２ａに導通される導体ポスト１６と、を備え、ソルダーレジスト層１３は熱硬化性樹脂を含み、導体ポスト１６は、スズ、銅又は半田を主体とすると共に、貫通孔１３１内に位置する下部導体ポスト１６１と、下部導体ポスト１６１上に位置して、層１３より外側に張り出してなる上部導体ポスト１６２と、を有し、下部導体ポスト１６１は、その外側面１６１ｃに外側合金層１６５ｃを備え、導体ポスト１６は、外側合金層１６５ｃを介して、層１３の貫通孔１３１の内側面１３１ｃに密着されている。 （もっと読む）

【課題】半田バンプ同士の接続性を良好に保ちつつ、溶融後の半田バンプ内に発生するボイドを抑制した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の半田バンプ１を有する第１の基板２と第２の半田バンプ３を有する第２の基板４とを、半田バンプ１、３同士を仮固定しつつ積層した後に炉内に配置する。炉内に不活性ガスを導入した後、炉内の温度を半田バンプ１、３の溶融温度以上の温度域まで上昇させる。炉内の温度を半田バンプ１、３の溶融温度以上の温度域に維持しつつ、不活性ガスを排気して減圧雰囲気とした後、炉内にカルボン酸ガスを導入し、第１および第２の半田バンプ１、３の表面に存在する酸化膜を除去しつつ、溶融した第１の半田バンプ１と第２の半田バンプ３とを一体化して接合する。 （もっと読む）

【課題】高密度化に対応した導体ポストを備える配線基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導体層１２と、その上に積層されたソルダーレジスト層１３と、その層に設けられた貫通孔１３１の下方に配置された導体層１２ａに導通される導体ポスト１６と、を備える配線基板１０であって、層１３は熱硬化性樹脂を含み、導体ポスト１６はスズ、銅又は半田を主体とし、導体ポスト１６は、貫通孔１３１内に位置する下部導体ポスト１６１と、下部導体ポスト１６１上に位置して、層１３より外側に張り出してなる上部導体ポスト１６２と、を有すると共に、上部導体ポスト１６２の下端面１６２ｂの少なくとも一部が層１３の外表面１３２に密着されている。 （もっと読む）

【課題】基板の反りを考慮した電子部品の接続部解析を高速で行う。
【解決手段】
本発明における接続部解析システムは、ヤング率とポアソン比とを用いて、溶融半田のバンプモデルを構築する溶融半田モデル構築部と、電子部品と基板とをバンプモデルで接続した電子部品・基板接続モデルを構築する電子部品・基板モデル構築部と、電子部品の重さと基板の反り変形に応じて、バンプモデルの変形を計算するリフロープロセスシミュレータとを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応える実装構造体およびその製造方法を提供するものである。
【解決手段】電子部品２の電極パッド６は、銅または金を含む第１下地層７ａと、該第１下地層７ａおよび導体バンプ４に接続された、ニッケルを含む第１介在層８ａとを具備し、配線基板３の接続パッド１１は、銅または金を含む第２下地層７ｂと、該第２下地層７ｂおよび導体バンプ４に接続された、ニッケルを含む第２介在層８ｂとを具備し、電極パッド６および接続パッド１１に接続された、スズ、インジウムまたはビスマスを含む導体バンプ４は、第１介在層８ａの前記ニッケルが拡散してなる第１拡散層領域１８ａと、第２介在層８ｂの前記ニッケルが拡散してなる第２拡散層領域１８ｂとを具備し、第１拡散層領域１８ａは、第２拡散層領域１８ｂよりも厚みが小さい。 （もっと読む）

【課題】工程を煩雑化することなく小型高密度化に対応したプリント配線基板の製造方法、プリント配線基板および半導体装置を提供すること。
【解決手段】絶縁基板上に複数の配線パッド２２と、配線パッド２２同士を接続するとともに配線パッド２２へ給電する給電パターン３６とを設ける工程と、絶縁基板上に表面被覆層２３を設けるとともに被覆層２３を選択的に除去することにより給電パターン３６に第一開口部３９を設ける工程と、第一開口部３９から露出する給電パターン３６を選択的に除去する工程と、を含むことを特徴とするプリント配線基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】電子部品の電極間隔が狭い場合でもはんだバンプの高さを高くできるようにする。
【解決手段】ＵＢＭ１０５の長さＬｕを開口１０４の１辺の長さＬｈよりも小さくする。これにより、ＵＢＭ１０５の長さＬｕは比較例１のＵＢＭ１０５′の長さＬｕ′よりも小さくなる。したがって、はんだバンプ３００の底面部分の面積は、比較例１のはんだバンプ３００′の底面部分の面積よりも小さくなる。その結果、はんだバンプ３００の表面張力の作用によって、はんだバンプ３００の体積を増やさずともその高さをはんだバンプ３００′よりもΔｈだけ高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】実装基板の解析において，実装基板の反りへの対策に費やす時間を短縮する技術を提供する。
【解決手段】実装基板解析装置のコンピュータにおいて，基板反り解析用モデル記憶部１４２には，実装基板の解析用モデルが記憶されている。その解析用モデルに対して，リフロー解析実行部１４３は，リフロー解析を実行する。リフロー解析結果判定部１４４は，リフロー解析実行後の解析用モデルにおいて，接合部における基板と部品との距離が所定の範囲内であるかを判定する。反り対策処理部１４５は，接合部における基板と部品との距離が所定の範囲外である場合に，基板反り解析用モデル記憶部１４２に記憶された解析用モデルに対して，実装基板の反りへの対策処理を実行する。反り対策結果記憶部１４９は，実行された対策処理の結果を示す情報を記憶する。 （もっと読む）