【課題】基板とＩＣチップとを良好に接続することができる回路部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導電粒子を含有する導電性接着剤５によってＩＣチップ４をガラス基板３１に接続してなる回路部品１において、ＩＣチップ４の実装面４１には、バンプ電極４２と、バンプ電極４２が形成された部分を除く非電極面４３とが設けられている。このような回路部品１において、ガラス基板３１の表面と非電極面４３との間に、ガラス基板３１の表面及び非電極面４３の双方に接する第１の状態の導電粒子を配置する。また、ガラス基板３１の表面とバンプ電極４２との間に、第１の状態よりも扁平な第２の状態でバンプ電極４２に食い込んでいる導電粒子を配置する。 （もっと読む）

【課題】接合後に第１，第２の接合対象部材の接合信頼性を高め、更に第１，第２の接合対象部材間の間隔を高精度に制御できる接合用組成物及び接合構造体を提供する。
【解決手段】本発明に係る接合用組成物は、第１，第２の接合対象部材２，３，４を接合するために用いられる。本発明に係る接合用組成物は、金属原子含有粒子を含む接合材料と、粒子径のＣＶ値が１０％以下である導電性粒子２１とを含有する。本発明に係る接合構造体１は、第１の接合対象部材２と、第２の接合対象部材３，４と、第１，第２の接合対象部材２，３，４を接合している接合部５，６とを備える。接合部５，６は、上記接合用組成物を加熱して、上記金属原子含有粒子を焼結させることにより形成されている。第１，第２の接合対象部材２，３，４間に、導電性粒子２１が配置されている。 （もっと読む）

【課題】バンプ電極と端子との間において十分に高い接合強度を確保し、これによって電気的接続の信頼性を向上した実装構造体、及び実装構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】バンプ電極１２を有する実装体１２１を、端子１１を有する基板１１１上に実装した実装構造体である。バンプ電極１２は内部樹脂１３上に導電膜１４が覆われてなり、導電膜１４は端子１１に直接導電接触し、基板１１１と実装体１２１とには、内部樹脂１３が弾性変形した状態でバンプ電極１２が端子１１に導電接触している状態を保持する圧着手段が備えられている。内部樹脂１３は、その主断面の形状が底辺１３ａと外辺１３ｂとによって囲まれており、底辺１３ａの両端を第１の点３０とし、主断面の最大幅となる位置での外辺１３ｂ上の点を第２の点３１とすると、第１の点３０と第２の点３１とを結ぶ直線Ｌと、実装体１２１の面Ｓとのなす角θが、鋭角に形成されている。 （もっと読む）

【課題】導電ペーストで構成された導電性パターンを有する回路基板の製造方法において、使用する導電ペーストの選択肢があまり制約されない上、導電性が良好な導電性パターンを有し、被接合部材を電気的に接合させる際に、各種接合方法を適用することができる回路基板の製造方法。
【解決手段】（１）基板上に、１または２以上の電極部を設置する工程であって、前記電極部は、被接合部材との間で、ハンダ付けによる接合および／またはワイヤボンディングによる接合が可能である、工程と、（２）前記基板上に、第１の導電ペーストを印刷して、前記電極部と電気的に接続された配線パターンを形成する工程であって、前記第１の導電ペーストは、ハンダ付けのできない導電ペーストである工程と、（３）前記配線パターンを固化して、配線部を形成する工程と、を有する回路基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】配線基板上に、加熱溶融条件の異なる複数種類のはんだバンプを形成する場合に、各々のはんだバンプを良好に形成する。
【解決手段】配線基板の本体部の表面をなす複数の電極パッド上にはんだバンプが設けられた配線基板の製造方法は、複数の電極パッドの内、一部の電極パッド上で開口する開口部を有すると共に、他の電極パッドを覆うマスクを準備する第１の工程と、マスクを配線基板の本体部表面側に配置し、マスクの開口部を介して外部に露出する一部の電極パッド上に、はんだ材料を含有するバンプ形成部を形成する第２の工程と、バンプ形成部を加熱溶融処理して、バンプ形成部から第１のはんだバンプを形成する第３の工程と、他の電極パッドの各々に対して、加熱溶融したはんだ材料を吐出供給し、第２のはんだバンプを形成する第４の工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
Ｐｂを含んだはんだに替わり高温環境下で高信頼接合を維持できる接合材料として、接
合部が高温環境に耐え、高信頼な接合を維持できる接合構造を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、第１の部材５と第２の部材１の接合構造において、はんだ３とガラス４とに
よって、第１の部材５と第２の部材１を接合し、ガラス４がはんだ３を封止していること
によって、導電性を確保するとともに、高温時にはんだ溶融による流出を抑制して、耐久
性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】半田の再溶解を防止して半田付けの接合信頼性を改善する。
【解決手段】少なくともＡｕとＳｎを含む半田粉と、金属粉とを有する半田であって、該半田を加熱固化した状態で、ＡｕがＳｎよりも多い第一相と、第一相よりもＳｎの比率が多い第二相と、の２相以上の相に分離されてなり、第一相中に金属粉を固溶させることができる。これにより、半田の融点が上昇し多段化したパッケージ製造時においても半田の再溶解を防止し、部品サイズの微小化、形状多様化に対応可能となる。また、アセンブリ工程のコストダウンも可能となる。 （もっと読む）

【課題】常に高い信頼性を要求される接合において、３００〜３４０℃程度の融点を有し、十分な濡れ性や信頼性等に優れる高温用ＰｂフリーのＡｕ−Ｓｎ系合金はんだを提供する。
【解決手段】Ａｕ−Ｓｎ合金はんだは、Ｓｎを１８．５質量％以上２３．５質量％以下含有し、０．０２質量％以上０．５質量％以下のＷ、または０．０２質量％以上４．３質量％以下のＭｏのうち少なくとも１種を含有し、残部がＡｕからなるＡｕ−Ｓｎ合金はんだとする。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を要求される接合において、３００〜３４０℃の融点を有し、十分な濡れ性や信頼性等に優れる高温用ＰｂフリーのＡｕ−Ｓｎ合金はんだを提供する。
【解決手段】Ｓｎを１８．５質量％以上２３．５質量％以下およびＣｏを０．０１質量％以上２．０質量％以下含有し、さらに０．００１質量％以上０．５質量％以下のＰまたは０．０３質量％以上１．５質量％以下のＧｅのうち少なくとも１種を含有し、残部がＡｕからなるＡｕ−Ｓｎ合金はんだとする。 （もっと読む）

【課題】はんだペーストの保管時及び取り扱い時における粘度上昇等の経時変化が少なく塗布性に優れ、濡れ性にも優れたはんだペースト用のフラックスを提供する。
【解決手段】ＡｕおよびＳｎを含有しＰｂを含まない鉛フリーはんだ合金粉末と混合されてはんだペーストを形成するフラックスであって、はんだペーストが保管ないし取扱われる常温域のイオン伝導率が０．００１ｍＳ／ｍ以下であり、且つリフローされる高温域のイオン伝導率が０．０１ｍＳ／ｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】はんだペーストのリフロー時における濡れ性に優れ、ボイドの発生が少なく接合強度に優れたはんだペースト用のフラックスを提供する。
【解決手段】ＡｕおよびＳｎを含有しＰｂを含まない鉛フリーはんだ合金粉末と混合されてはんだペーストを形成するフラックスであって、前記はんだ合金粉末の融点より低い温度領域である２３０〜２６０℃での前記フラックスのイオン伝導率の最大値が０．０３ｍＳ／ｍ以上であり、且つ前記融点を含む温度領域である２７８〜３２０℃での前記フラックスのイオン伝導率が０．０１ｍＳ／ｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】例えばソルダペーストとして用いた場合に、はんだ付け工程における第１金属と第２金属の拡散性が良好で、低温かつ短時間で融点の高い金属間化合物を生成し、はんだ付け後に第１金属がほとんど残留せず、耐熱強度に優れた導電性材料およびそれを用いた、接続信頼性の高い接続方法および接続構造を提供する。
【解決手段】第１金属と、それよりも融点の高い第２金属とからなる金属成分とを含み、第１金属が、ＳｎまたはＳｎを７０重量％以上含む合金であり、第２金属が、第１金属と、３１０℃以上の融点を示す金属間化合物を生成し、かつ、第２金属の周囲に生成する金属間化合物との格子定数差が５０％以上である金属または合金であることを要件として備えた構成とする。
また、金属成分中に占める第２金属の割合を３０体積％以上とする。
第２金属として、Ｃｕ−Ｍｎ合金またはＣｕ−Ｎｉ合金を用いる。 （もっと読む）

【課題】導電性接合材料を基板の電極に供給しつつ溶着する導電性接合材料供給工程、及び電子部品の端子に導電性接合材料を一度溶融させて転写する転写工程を選択することができ、基板と電子部品を１５０℃以下の低温で効率よく接合することができる導電性接合材料及び導体の接合方法、及び半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】融点が１５０℃以上の高融点金属粒子と、融点が８０℃以上１３９℃以下の中融点金属粒子と、融点が７９℃以下の低融点金属粒子とからなる金属成分を含む導電性接合材料である。前記金属成分が、高融点金属粒子表面に、中融点金属粒子から形成された中融点金属層と、低融点金属粒子から形成された低融点金属層とをこの順に有する多層金属粒子である態様などが好ましい。 （もっと読む）

【課題】濡れ性、及び接続性の良い接続材料及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】接続材料１００は、Ｚｎ１０１と、Ｚｎ１０１の周囲に積層された複数の金属層１０２，１０３とを備えた部材からなり、部材最表面の表面積の８０％以上を金属Ｍ（Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ）１０３によって被覆するように形成されている。接続材料１００の溶融後において、２ｗｔ％以上９ｗｔ％以下のＡｌ１０２と、０ｗｔ％超１０ｗｔ％以下の金属Ｍ１０３と、残部Ｚｎ１０１とからなる組成を有する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性と耐湿性、及び作業性に優れ、特に厳しい信頼性の要求される電気・電子用のフィルム状回路接続材料の製造方法を提供すること。
【解決手段】接着剤組成物及び導電性粒子を有するフィルム状回路接続材料の製造方法であって、（１）ビスフェノールＡ型の構造を有するフェノキシ樹脂、（２）エピクロルヒドリンとビスフェノールＡから誘導され、１分子内に２個以上のグリシジル基を有するビスフェノール型エポキシ樹脂、（３）ナフタレン系エポキシ樹脂及び（４）潜在性硬化剤、を含む前記接着剤組成物及び溶剤を含有する混合液を調製する工程と、混合液を剥離性基材上に塗布する工程と、塗布された混合液を潜在性硬化剤の活性温度以下で乾燥し、混合液から溶剤を除去する工程と、を備え、導電性粒子が、金属粒子又はプラスチックに導通層が形成された粒子である、フィルム状回路接続材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 優れた応力緩和性により高い接合信頼性を確保できる高温Ｐｂフリーはんだペーストを提供する。
【解決手段】 平均粒径１μｍ以上１００μｍ以下のＡｌ粉に対して被覆処理を施さないか、あるいはその少なくとも一部に対してＡｕ等を用いて厚み１μｍ以下の皮膜を形成する被覆処理を施すことによって得た金属粉と、Ｚｎを主成分とし、所定量のＡｌ等を含む２元乃至４元合金からなるＺｎ合金はんだ粉と、フラックスとを有する高温Ｐｂフリーはんだペーストであって、金属粉とＺｎ合金はんだ粉との合計を１００質量％としたとき、金属粉が３質量％以上４０質量％以下である。 （もっと読む）

【課題】 パワー半導体素子のダイボンディングや各種電子部品の組立て等に好適であり、接合したチップの割れや剥れをなくし、高い接合信頼性を確保できるＺｎ系の高温鉛フリーはんだペーストを提供する。
【解決手段】 Ｚｎを７０質量％以上含有するＺｎ合金はんだ粉と、Ｎｉ又はＣｕを主成分とする金属粉と、残部のフラックスとからなるＺｎ系の高温鉛フリーはんだペーストであり、金属粉は平均粒径１〜１００μｍのＮｉ粉又はＣｕ粉、その表面にＡｕ又はＡｇからなる膜厚１μｍ以下の皮膜を設けた被覆Ｎｉ粉又は被覆Ｃｕ粉であって、金属粉とＺｎ合金はんだ粉の合計を１００質量％としたとき、金属粉の合計が５〜６５質量％である。 （もっと読む）

【課題】半導体素子部品の端子に接続される接続導体を面積狭小化して配線パターン形成の自由度を向上することができる部品内蔵配線板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】グリッド状配列の表面実装用端子４１ａを備えた半導体素子部品４１と、半導体素子部品４１を埋め込んだ板状絶縁層１１〜１３と、板状絶縁層１１〜１３の上面上に設けられた第１の配線パターン２４と、板状絶縁層１１〜１３の下面上に設けられた、半導体素子部品４１の表面実装用端子４１ａの一部をはんだ接続するためのランドを含む第２の配線パターン２１と、半導体素子部品４１の表面実装用端子４１ａの上記一部と第２の配線パターン２１のランドとを電気的、機械的に接続する、すずを含むはんだ接続部材５１と、第２の配線パターン２１から、半導体素子部品４１の表面実装用端子４１ａのうちの一部以外に電気導通するように延設されたビアホール内めっきビア５３とを具備する。 （もっと読む）

【課題】部品内蔵によっても配線板としての信頼性が低下しにくい部品内蔵配線板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】端子を有する電気／電子部品と、電気／電子部品の表面の少なくとも一部に密着して該電気／電子部品の少なくとも一部分を埋め込んだ板状絶縁層と、この板状絶縁層の上面上に設けられた第１の配線パターンと、板状絶縁層の上面に対向する下面上に設けられた、電気／電子部品の実装用のランドを含む第２の配線パターンと、電気／電子部品の端子と第２の配線パターンのランドとを電気的、機械的に接続する、すずおよび金を含むはんだ接続部材と、を具備し、第２の配線パターンが、基層と、該基層上位置選択的に積層された、はんだ接続部材と該基層との間に挟まれて位置するニッケル金属層とを有する。 （もっと読む）

【課題】 濡れ性および信頼性に優れた高温用のＰｂフリーはんだ合金とその製造方法を提供する。
【解決手段】 コーティングされたＰｂフリーはんだ合金は、シート状、ワイヤー状またはボール状であって、Ｂｉを５０質量％以上９９.５質量％以下含有するＰｂフリーはんだ合金と、その表面にコーティングされたＡｇ、Ａｕ、ＣｕおよびＮｉのうちの少なくとも１元素からなる厚さ０.０５μｍ以上１.２０μｍ以下のコーティング膜とからなる。このＰｂフリーはんだ合金は、Ｚｎを０.４質量％以上１３.５質量％以下および／またはＳｎを０.０１質量％以上１.５質量％以下含有してもよく、さらに加えて、Ａｌを０．０２質量％以上２.５質量％以下および／またはＰを０．００１質量％以上０.５００質量％以下含有してもよい。 （もっと読む）