説明

Fターム[5E319CC11]の内容

印刷回路に対する電気部品等の電気的接続 (35,455) | 接続方法 (5,332) | 溶接方法 (4,641)

Fターム[5E319CC11]の下位に属するFターム

熱圧着 (377)
はんだ付け (4,215)

Fターム[5E319CC11]に分類される特許

41 - 49 / 49


【課題】 半導体チップを破損することなく、半導体チップと回路基板とを確実にフリップチップ接合することができる超音波フリップチップ接合装置を提供する。
【解決手段】 超音波ホーン22は、超音波振動子25の超音波振動によって超音波振動方向Aに共振する。超音波ホーン22には、チップ保持体27が設けられる。チップ保持体27は、半導体チップ23を超音波振動方向Aに平行に保持し、基板保持体28は、回路基板24を半導体チップ23に対して平行に保持し、押圧手段29は、半導体チップ23を回路基板24に押圧する。このような接合装置21で、超音波ホーン22の腹位置の部分が、超音波振動方向Aに振動可能となるように、支持手段26によって支持される。また超音波振動子25は、超音波ホーン22の節位置に配置され、超音波振動方向Aの両端部25a,25bが超音波ホーン22に接触した状態で超音波ホーン22に設けられる。 (もっと読む)


【課題】フリップチップ接合された半導体装置との間にアンダーフィル樹脂が装填される半導体装置用実装基板及び半導体装置の実装構造に関し、アンダーフィル樹脂内にボイドが発生することを防止する。
【解決手段】表面にソルダーレジスト22が配設されると共に、このソルダーレジスト22の半導体装置25が実装される部位に半導体装置25を実装するための第1の開口部23が形成されてなる半導体装置用実装基板において、前記ソルダーレジスト22の第1の開口部23の周辺部に、アンダーフィル樹脂配設時におけるアンダーフィル樹脂の流れ速度を調整する速度調整用開口部30Aを設ける。 (もっと読む)


絶縁基板上に設けられ、電子部品または/及び電子部品と接続するボンディングワイヤと電気的に接合する導電パターンからなる実装電極において、前記導電パターンは、積層した複数のメタライズ層からなる構成とした。これにより、電子部品と実装電極とを接合固着する導電性接着剤が接合箇所から流れ出ることにより、実装電極同士が短絡したり、ボンディング領域を覆いワイヤーボンディングを阻害するのを防止することが可能となった。
(もっと読む)


【課題】金属回路板に信号端子を超音波接合するときに、セラミック基板に部分的クラックが生じて、セラミック回路基板の機械強度が低下してしまう。
【解決手段】セラミック基板1に接合された金属回路板2の表面に、信号端子3が超音波接合法により表面同士を融着させることによって取着されたセラミック回路基板において、平面視で金属回路板2と信号端子3との融着部4の外側の領域に、金属回路板2と、信号端子3とが当接している当接部を備えるとともに、金属回路板2の材料と信号端子3の材料とを同一材料になしたことを特徴とする。
(もっと読む)


【課題】金属回路板に信号端子を超音波接合するときに、セラミック基板に部分的クラックが生じて、セラミック回路基板の機械強度が低下してしまう。
【解決手段】セラミック基板1に接合された金属回路板2の表面に、信号端子3が超音波接合法により表面同士を融着させることによって取着されたセラミック回路基板において、平面視で金属回路板2と信号端子3との融着部4の外側の領域に、金属回路板2と、信号端子3とが当接している当接部を備えるとともに、該当接部は、融着部4を平面視で囲繞することを特徴とする。
(もっと読む)


【課題】金属回路板に信号端子を超音波接合するときに、セラミック基板に部分的クラックが生じて、セラミック回路基板の機械強度が低下してしまう。
【解決手段】セラミック基板1に接合された金属回路板2の表面に、信号端子3が超音波接合法により表面同士を融着させることによって取着されたセラミック回路基板において、平面視で金属回路板2と信号端子3との融着部4の外側の領域に、金属回路板2と、信号端子3とが当接している当接部を備えるとともに、金属回路板2は、無酸素銅をセラミック基板1にロウ付けすることにより形成されることを特徴とする。
(もっと読む)


【課題】 電子部品のフリップチップ実装後の温度変化による応力を緩和し、接続信頼
性を高める。
【解決手段】 電子部品を基板にフェイスダウン状態で押圧し、電子部品の電極と基板
の電極とをバンプを介して接続するする超音波フリップチップ実装の実装構造であって、
基板1の少なくとも電子部品を超音波フリップチップ実装する面に液晶ポリマ層4を配設
し、この液晶ポリマ層4の上に配線層5を形成し、少なくともこの配線層の一部を最外面
が金からなる電極5Aに形成し、この電極5Aと電子部品8の電極とを金からなるバンプ
7を介して接続することを特徴とする超音波フリップチップ実装構造。 (もっと読む)


【課題】 FPCにおいてチップを接合する接合部の小型化を図り、かつ、FPCの小型化した接合部に対するチップの接合強度を向上する。
【解決手段】 接合部11bを有するベース基板11と、ベース基板11上に形成される配線と、配線に電気的に接続されると共に接合部11b上に形成される電極13と、を備えるフレキシブルプリント基板10と、スタッドバンプ31を有すると共に、このスタッドバンプ31が接合部11b上の電極13に電気的に接合されるチップ30と、を有している。そして、チップ30は、接合部11bとの間に非導電性のNCF20を介してフレキシブルプリント基板10にフリップチップ実装されていることを特徴としている。 (もっと読む)


初期洗浄工程(S1)により被接合物(1b,2a)の表面を洗浄して酸化物や吸着物等の接合阻害物質(G)の除去を行った後、表面粗さ制御工程(S3)により一方の接合面(1b)を所定粗さの凹凸を形成し、表面処理工程(S5)により接合面(1b,2a)に付着した再吸着物(F)の除去を行って凹凸形成した接合面(1b)を他方の接合面(2a)に押し付けて接合することにより、大気圧条件下での常温金属接合を可能にする接合方法及びその装置を実現する。 (もっと読む)


41 - 49 / 49