【課題】電子部品の回路基板への接合強度を向上させながら導電品質を確保することができる電子部品接合方法を提供することを目的とする。
【解決手段】フレキシブル基板１１をリジッド基板１に熱圧着する圧着工程に先立って、リジッド基板１上に供給された熱硬化性樹脂４ａを含む樹脂接着剤４を活性剤が酸化膜除去能力を発揮する温度まで加熱して樹脂接着剤４に含まれる水分４ｄおよび溶剤成分４ｃのいずれかまたは両方を蒸散させて除去する予備加熱工程を実行する。これにより水分や溶剤成分などに起因するボイドの発生の防止と半田粒子の端子への捕捉率や端子への半田塗れ性の向上を両立させることが可能となり、フレキシブル基板１１のリジッド基板１への接合強度を向上させながら導電品質を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ハンダ付け噴射ノズル及びこれを含むハンダ付けマシンに関する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるハンダ付け噴射ノズルはノズルプレート上に長さ方向に形成される多数のノズル孔を含み、前記ノズルプレートに移送される回路素子の端子に向かってハンダを噴射するように形成される第１ノズル部と、前記第１ノズル部の少なくとも一側に長さ方向に配置され、前記回路素子の端子に向かってハンダを噴射するように傾斜した噴射角を有する多数のノズル孔を具備する第２ノズル部と、前記第１ノズル部または前記第２ノズル部を構成する多数のノズル孔の間に凹溝に形成され、前記ノズル孔が前記ハンダの異物により詰まることを防止するガイド部と、を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】電極間隔が狭小化されたチップ・パッケージに対しても、半田ボールを精度良く搭載することができる配列用マスクを提供する。
【解決手段】所定の配列パターンに対応した通孔１２内に半田ボール２を振り込むことで、ワーク３上の所定位置に半田ボール２を搭載する配列用マスクであって、マスク本体１０下面に突起部１５を備えており、突起部１５の径はマスク本体１０下面に向かうにつれて大きくなるように形成している。これにより、突起部１５の付け根において強度をしっかりと確保しつつ、突起部１５の先端を微小ピッチの電極６間に対応して当接できるので、半田ボール６を所定の位置に確実に載置することができる。 （もっと読む）

【課題】 加圧力を高めず、しかも、多様な基板に安定的にチップを実装することが可能なチップ実装方法を提供する。
【解決手段】 プリント基板１の実装面に接着剤２を塗布し、プリント基板１の実装面にチップ３を配置して、第１の押圧力でスタッドバンプ４をプリント基板１に押圧し、接着剤２が硬化する硬化温度よりも低い予熱温度まで、接着剤２を加熱する。その後、第１の押圧力よりも大きい第２の押圧力で、スタッドバンプ４をプリント基板１に押圧し、接着剤２を硬化温度まで加熱する。 （もっと読む）

【課題】液化半田等の液体を、正確な微少量で対象物に滴下可能な液体滴下装置を提供する。
【解決手段】滴下用液体を貯留し且つノズル孔１１ａと連通する液体溜まり５３に対して、該ノズル孔の開口方向に直線的に駆動可能なロッド３３の先端を浸漬し、該ロッドに微小量の直線駆動をさせることで貯留液体中に粗密波を生じさせ、該粗密波の有する波動エネルギを利用してノズル孔から所定量の液体を滴下させる。 （もっと読む）

【課題】パッケージ裏面にグランド部を有するＩＣを実装したＩＣ実装基板において、ＩＣと基板のグランド接続を確実にし、ＩＣの交換の作業性を向上すること。
【解決手段】ＩＣ１０を実装する基板２０には、ＩＣグランド部１３と対向する位置にＩＣグランド部と接続する基板グランド部２１と、基板グランド部の領域に基板を貫通し基板グランド部よりも小さい貫通穴２３を有する構成とする。そして、半田接合により実装されたＩＣ１０を基板２０から取り外す場合、貫通穴２３を通して半田ごて３０の先端をＩＣグランド部１３に当てて加熱し、ＩＣグランド部と基板グランド部を接合していた半田を溶解する。 （もっと読む）

【課題】導電テープの無駄を排除しつつテープ剥離動作を効率良く行って、生産性を向上させることができるテープ貼付け装置およびテープ貼付け方法を提供することを目的とする。
【解決手段】テープ部材４を個片導電テープ４ｂ＊に切断して基板２０の側縁部２０ａに形成された複数の貼付け部位に貼付けるテープ貼付方法において、第１の押圧位置Ｐ１の貼付け部位に個片導電テープ４ｂ＊を貼付ける貼付け工程と、圧着ヘッド１５と剥離部１７とを一体的に基板２０に対して相対移動させながらテープ送り機構を駆動してテープ部材４の送り動作を行うことにより圧着ヘッド１５を第２の圧着位置Ｐ２の貼付け部位に位置合わせするとともに、この相対移動過程において剥離部１７によって第１の押圧位置Ｐ１に貼付けられたテープ部材４からセパレータ４ａを剥離する移動工程とを反復して実行する。 （もっと読む）

【課題】プリント基板にＡＣＦを貼り付ける実装装置においては、プリント基板をトレイから搬送治具によりピックアップし、さらにＡＣＦ貼付用プリント基板搭載ステージへ一度プリント基板を搭載した後にＡＣＦを貼り付けることにより、ＡＣＦ貼付用プリント基板搭載ステージの設計や製作が必要となり、コストが増大する。
【解決手段】プリント基板をトレイから取出すプリント基板搬送治具が設置されており、プリント基板へのＡＣＦ貼付用プリント基板搭載ステージ、またはプリント基板と駆動ＩＣを搭載したＴＣＰまたはＣＯＦの接続用プリント基板搭載ステージが設置されていないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プリント配線板同士、又はプリント配線板と電子部品等とを異方導電性接着剤を介して接続する場合に、接続電極部の腐食を防止できる。
【解決手段】プリント配線板１と被接続部材１０１とを異方導電性接着剤１０を介して接続したプリント配線板の接続構造であって、上記プリント配線板は、絶縁性基材２の両面にそれぞれ形成された第１の配線層４及び第２の配線層５と、上記第１の配線層４に積層されたカバー層６を切除して形成された接続領域８において露出して設けられるとともに上記第１の配線層の他の配線４ｂから独立して形成された接続電極部４ａと、上記接続電極部と上記第２の配線層に設けられた接続配線５ａとを導通させるブラインドビアホール２０とを備え、上記接続領域における上記接続電極部の全域を覆うように積層された上記異方導電性接着剤１０を介して、上記被接続部材１０１が接続されて構成されている。 （もっと読む）

【課題】導電性接着剤によって異なる電位とされる２つのパッドが電気的に接続されることを防止することができる電子装置を提供することを目的とする。また、その電子装置の製造方法を提供することを第２の目的とする。
【解決手段】平板１０の一面１３に設けられた第１電極１１および第１電極１１とは異なる電位とされる第２電極１２の上にそれぞれバンプ２０を設ける。そして、各電極１１、１２の上に導電性接着剤３０を設け、チップ部品４０がバンプ２０および導電性接着剤３０に接触するように固定する。これにより、平板１０の一面１３を基準としてバンプ２０がチップ部品４０の接着高さを確保できるので、平板１０の一面１３とチップ部品４０との隙間に導電性接着剤３０が導電性接着剤３０の表面張力によって引っ張られないようにすることができる。これにより、異電位の各電極１１、１２のショートを防止できる。 （もっと読む）

【課題】導電テープの無駄を排除しつつテープ剥離動作を効率良く行って、生産性を向上させることができるテープ貼付け装置およびテープ貼付け方法を提供することを目的とする。
【解決手段】テープ部材４を個片導電テープ４ｂ＊に切断して複数の貼付け部位に貼付けるテープ貼付方法において、第１の押圧位置Ｐ１に個片導電テープ４ｂ＊を貼付ける貼付け工程と、圧着ヘッド１５と剥離部１７とを一体的に基板２０に対して相対移動させながらテープ部材４を送って圧着ヘッド１５を第２の圧着位置Ｐ２に位置合わせするとともに、この相対移動過程において剥離部１７によって貼付けられたテープ部材４からセパレータ４ａを剥離する移動工程とを反復して実行する。貼付長さがテープ送り量よりも短く導電テープ４ｂに切れ目を入れるべきカット位置がカット部を通過してしまう場合には、テープ部材４を反対側に戻す巻き戻し動作を行わせる。 （もっと読む）

【課題】少ない加熱源ではんだ付け対象の２つの部品を加熱してはんだ付けすることができるはんだ付け装置を提供する。
【解決手段】はんだ付け装置１０における下治具２１および連結部２２により、はんだ付け対象であるパワーモジュールＭｐと上部電極５４が位置決めされる。上治具２３により、供給する溶融前のはんだ２４が保持される。加熱用プレート３０により、下治具２１、連結部２２を加熱してパワーモジュールＭｐと上部電極５４を加熱するとともに上治具２３を加熱して固体の球状はんだ２４を加熱してパワーモジュールＭｐと上部電極５４に供給する。 （もっと読む）

【課題】複数の金属ボール端子を備えた半導体パッケージをリフロー法により配線基板に実装する際に、金属ボール端子の溶融状態を正確に把握する。
【解決手段】複数の金属ボール端子のうち四隅の金属ボール端子１５Ａ〜１５Ｄはその他の金属ボール端子１４よりも相対的に径が小さい導通検出用の金属ボール端子であり、導通検出用の金属ボール端子１５Ａ〜１５Ｄの径が式（Ｘ）を充足し、互いに対角にある２個の導通検出用の金属ボール端子１５Ａと１５Ｃ、１５Ｂと１５Ｄが配線１６を介して接続されている。
ｄ２≧ｄ１−ｘ・・・（Ｘ）
（上記式中、ｄ１は導通検出用ではない金属ボール端子の径、ｄ２は導通検出用の金属ボール端子の径、ｘは配線基板上に半導体パッケージを載置した時点に対する金属ボール端子の溶融後の半導体パッケージの沈み込み量を各々示す。） （もっと読む）

【課題】パッドに開口する貫通孔内にはんだが進入するのを抑制することが可能であり、かつ不都合がより生じにくくすることが可能なテレビジョン装置、電子機器、および基板構造体を得る。
【解決手段】本発明の実施形態にかかるテレビジョン装置、電子機器、および基板構造体にあっては、電子部品が実装された基板と、前記基板の表面上に設けられたパッドと、前記パッドに開口した前記基板の貫通孔の内周面上に形成された伝熱層と、前記伝熱層の内側に配置されて前記貫通孔を塞いだ樹脂材料を含む閉塞部と、を備えたことを特徴の一つとする。 （もっと読む）

【課題】フラックスに起因した溶融はんだ液滴の滑りを防止して、溶融はんだ液滴を所望の位置に供給する。
【解決手段】粉末はんだ及びフラックスを含むソルダペーストが塗布された接合対象物を加熱する工程と、溶融はんだ吐出装置から溶融はんだ液滴を吐出して、前記接合対象物を介して加熱された前記ソルダペーストに前記溶融はんだ液滴を衝突させる第２工程とを含む、はんだ接合方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 優れた応力緩和性により高い接合信頼性を確保できる高温Ｐｂフリーはんだペーストを提供する。
【解決手段】 平均粒径１μｍ以上１００μｍ以下のＡｌ粉に対して被覆処理を施さないか、あるいはその少なくとも一部に対してＡｕ等を用いて厚み１μｍ以下の皮膜を形成する被覆処理を施すことによって得た金属粉と、Ｚｎを主成分とし、所定量のＡｌ等を含む２元乃至４元合金からなるＺｎ合金はんだ粉と、フラックスとを有する高温Ｐｂフリーはんだペーストであって、金属粉とＺｎ合金はんだ粉との合計を１００質量％としたとき、金属粉が３質量％以上４０質量％以下である。 （もっと読む）

【課題】
半導体素子の電極と半導体素子接続パッドとの接続を良好に保ち、半導体素子との電気的接続信頼性が高い配線基板を提供することを課題とする。
【解決手段】
絶縁基板１と、絶縁基板１の表面に形成された配線導体層２と、絶縁基板１および配線導体層２の上に形成されており、配線導体層２の一部を半導体素子接続パッド３として露出させる開口部４ａを有するとともに半導体素子接続パッド３周辺の配線導体層２を被覆するソルダーレジスト層４と、半導体素子接続パッド３表面を覆うめっき金属層６とを備えた配線基板１０であって、めっき金属層６は、半導体素子接続パッド３の外周部から開口部４ａの側壁の途中まで延在する突起部６ａを開口部４ａの側壁に密着して有している。 （もっと読む）

【課題】形および位置の正確なランド等の導電体をプリント配線基板に容易に確実に形成でき、ハンダブリッジができ難いプリント配線基板上溶融ハンダ堰き止め用ダム形成方法の提供。
【解決手段】レーザビームの照射により、プリント配線基板Ｃの表面の金メッキに高さ約２μｍの盛り上り部ａ，ｃ及び約２μｍの窪みｂでなる溶融ハンダ堰き止め用ダムＤ１，Ｄ２を形成する。領域ａ，ｂ，ｃの金メッキの表面は、溶融ハンダを弾く性質を帯びる。ダムＤ１，Ｄ２に囲まれた範囲にハンダペーストＢ１，Ｂ２を塗布し、加熱すると、加熱により溶融したハンダＢ１'，Ｂ２'はダムＤ１，Ｄ２で弾かれる。ハンダＢ１'，Ｂ２'の高さをダムＤ１，Ｄ２の高さより高くすることができる。ダムＤ１，Ｄ２内で、溶融ハンダＢ１'，Ｂ２'を常温に戻し、ランドが作成される。ダムＤ１，Ｄ２は形、大きさ、高さ、位置を正確に作成できる。 （もっと読む）

【課題】導電性ボールをマスクの複数の開口にミスが少なく、より確実に充填できる導電性ボールの搭載装置を提供する。
【解決手段】導電性ボール１５を配置するための複数の開口を備えたマスク１１を基板１０にセットした状態でマスク１１の複数の開口に導電性ボール１５を充填する搭載装置１を提供する。搭載装置１のヘッド２０の下面には、動区域２６の導電性ボール１５の密度を検出する光学センサー６５が設けられている。この光学センサー６５は、動区域２６の導電性ボールが存在する領域２６ａおよび導電性ボールが存在しない領域２６ｂの有無を検知する。 （もっと読む）

【課題】 濡れ性、接合性、信頼性等に優れ、かつ３００℃程度のリフロー温度に十分耐えるＰｂフリーはんだ合金を提供する。
【解決手段】 第１のＰｂフリーはんだ合金は、Ｚｎを主成分とし、ＧｅとＢｉを含む３元系のはんだ合金であって、第２元素であるＧｅを０.０５質量％以上１６.０質量％以下、第３元素であるＢｉを０.１質量％以上８.０質量％以下含有する。また、第２のＰｂフリーはんだ合金は、Ｚｎを主成分とし、ＧｅとＢｉとＰを含む４元系のはんだ合金であって、第２元素であるＧｅを０.０５質量％以上１６.０質量％以下、第３元素であるＢｉを０.１質量％以上８.０質量％以下、第４元素であるＰを０.５００質量％以下含有する。 （もっと読む）