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Fターム[5E319GG03]の内容

印刷回路に対する電気部品等の電気的接続 (35,455) | 目的、効果 (6,986) | はんだ付け性の改良 (1,926)

Fターム[5E319GG03]に分類される特許

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【課題】耐食性と歩留まりを向上させたプリント基板を提供すること。
【解決手段】銅張積層板とプリプレグ17を交互に積層し、最外位置には前記プリプレグ17の外側に表層導体層を配置したプリント基板であって、プリント基板の表面に実装される表面実装部品用のパッド22からの配線引き出し部の全てを、表層導体層と直下の銅張積層板を接続するブラインドビアホール21を通じて内層導体層に接続すると共に、少なくとも表層導体層に最も近い銅張積層板の表裏を接続するインナービアホール18を設け、該インナービアホール18には導電膜を形成したプリント基板。 (もっと読む)


【課題】 銅からなるランドと半田からなる接続部材とを接合した電子機器のランド構造において、ランドと接続部材との界面に形成される金属間化合物層に発生したクラックの進展をランドの途中で妨げることができるようにする。
【解決手段】 ランド23aの上面中央部に形成されたニッケル−金めっき層26と接続部材11との界面には第1の金属間化合物層27が形成されている。ランド23aの上面外周部と接続部材11との界面には、組成が前記第1の金属間化合物層とは異なる第2の金属間化合物層2が形成されている。そして、第2の金属間化合物層28にその外周部からクラックが発生し、このクラックが進展しても、第2の金属間化合物層28とこの第2の金属間化合物層28とは組成の異なる第1の金属間化合物層27との境界でクラックの進展を妨げることができる。 (もっと読む)


【課題】ボンディングパッドの変色の発生を抑制することのできる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂基板10の上面にフリップチップ接続用の接続パッド13となる第1パッド13Aと、ボンディングパッド14となる第2パッド14Aとを形成し、第2パッド14Aの表面にめっき14Bを形成し、第1パッド13Aの表面にのみ選択的に粘着層15を被着する。続いて、粘着層15にはんだ粉16を付着し、樹脂基板10の上面全面にハロゲン濃度が0.15wt%以下のフラックス40を塗布し、はんだ粉16をリフローにより溶融して第1パッド13Aにはんだ13Bを被着する。 (もっと読む)


【課題】リフロー加熱の際にランドに温度差が生じてもはんだの局部的な減少を抑制する。
【解決手段】リード22を差し込む複数の連続した孔13と、各孔13の周縁に設けられ、互いに電気的に絶縁した複数のランド12とが配置されたプリント基板11にはんだを塗布する方法であって、孔13を塞がないように、ランド12の連続する方向に向かって線状にはんだを塗布する線状塗布工程と、少なくとも1つのランド12に線状塗布工程で塗布された線状のはんだ31と離間するように点状にはんだ32を塗布する点状塗布工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】製造性を向上させた電子機器を提供する。
【解決手段】一つの実施の形態に係る内視鏡装置は、実装面を有する基板と、前記基板の実装面に対向した底面と、側縁と、を有する電子部品と、前記電子部品の底面の角部から前記側縁に亘って設けられた第1の電極と、前記第1の電極と隣り合い、前記電子部品の底面から前記側縁に亘って設けられた第2の電極と、前記基板の実装面に設けられて前記第1の電極に対向し、前記電子部品の側縁に沿う縁部が前記電子部品に覆われた前記実装面の第1の領域の外に存して前記第1の電極よりも面積が広く形成され、前記第1の電極に半田付けされた第3の電極と、前記基板の実装面に設けられて前記第2の電極に対向し、前記電子部品の側縁に沿う縁部が前記実装面の第1の領域の外に存し、前記第2の電極に半田付けされた第4の電極と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】応力緩和性及び耐熱性を両立する半導体接合構造体及びその製造方法を実現する。
【解決手段】半導体素子102と電極103とが接合部212を挟んで接合された半導体接合構造体において、接合部212は、電極103に接する第1金属間化合物層207と、半導体素子102に接する第2金属間化合物層208と、第1金属間化合物層207及び第2金属間化合物層208に挟まれた金属層とを備える。金属層は、Sn含有相210と、金属間化合物からなり且つSn含有相に分散された複数の結晶粒塊209とを含み、それぞれの結晶粒塊209は、第1金属間化合物層207及び第2金属間化合物層208に対し、いずれとも離れているか、又は、いずれか一方のみに接している。 (もっと読む)


【課題】局部的に加熱および冷却を行い、基板表面の温度分布の不均一性を低減する構造を追加することで、タクトタイムを増加させることなく、温度分布の不均一性を低減できるリフロー装置。
【解決手段】プリント配線板を搬送しながら加熱する複数の加熱ゾーンを持ったリフロー装置であって、少なくとも、前記プリント配線板を搬送するコンベアと、前記プリント配線板の一部分を局部的に加熱する局部加熱ユニットであって、前記加熱ゾーンごとに設けた複数の局部加熱ユニットと、前記プリント配線板が通過したことを検知する被加熱物通過検知センサと、を備えており、前記局部加熱ユニットは、前記プリント配線板への接触および非接触が制御可能に個々に駆動でき、且つ、個々に温度制御が可能であることを特徴とするリフロー装置。 (もっと読む)


【課題】絶縁層が正規の位置からズレて被覆された場合でも電子部品のチップ立ちを防止することができるプリント配線板、該プリント配線板に半田を介して電子部品を実装してなる電子部品実装構造及び該電子部品実装構造の製造方法の提供を課題とする。
【解決手段】絶縁層13に矩形状の開口部13aを備え、開口部13aに露出される1対の導体配線12aに半田30を介して電子部品20を実装するプリント配線板10であって、開口部13aは1対の導体配線12aのうち線幅A、Bが同幅で且つ相互に平行である同幅平行領域Rに設けると共に、開口部13aの幅方向寸法が1対の導体配線12aの幅方向寸法を超える構成とし、且つ1対の導体配線12aの両外側端面12a―2が開口部13aの幅方向の両内側端面13−1よりも内側にある。 (もっと読む)


【課題】本発明は、金属ナノ粒子を高い比率で含有しながらも低粘度である金属ナノ粒子ペーストを提供することを課題とする。
【解決手段】上記課題は、金属ナノ粒子と、親水性部を有するリン酸系分散剤と、極性溶媒とを含有し、前記金属ナノ粒子の含有量が70重量%以上100重量%未満である金属ナノ粒子ペーストにより解決することができる。 (もっと読む)


【課題】ソルダーレジスト層に良好な半田バンプの形成が可能な開口形状を備えるプリント配線板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】層間絶縁層と、上記層間絶縁層上に形成された導体パターンと、上記層間絶縁層上及び上記導体パターン上に設けられ、上記導体パターン上の少なくとも一部を露出する開口部を有するソルダーレジスト層と、上記開口部の内部に形成された半田バンプとを有するプリント配線板であって、上記開口部の形状は、平面視ティアドロップ形状又は平面視n角形状(n≧3)であることを特徴とするプリント配線板。 (もっと読む)


【課題】 はんだ接合部の接合強度が高くて信頼性が高い半導体装置を提供する。
【解決手段】 厚さ0.01μm以上4.0μm以下、好ましくは0.01μm以上1.0μm以下のAg層を備えたはんだ接合面における接合に、Biを84質量%以上含有し、Znを0.2質量%以上13.5質量%以下含有し、Al若しくはSn又はそれら両方を合計して2.0質量%を超えて含有しておらず、Pを0.500質量%を超えて含有していないはんだが用いられている。 (もっと読む)


【課題】LGAをプリント配線板の第1の面に接着性樹脂を含むはんだペーストではんだ付けした回路基板において、第2の面をリフロー加熱する際、はんだの溶融膨張による噴出を防止すること。
【解決手段】下面に接続端子301を複数配置したLGA3が、接着性樹脂を含むフラックスとはんだ粉末とを含むはんだペースト2によって、少なくとも第1の面110において複数の接続端子301と対応する位置にそれぞれランド111が形成されたプリント配線板1にはんだ付けされた回路基板4であって、ランド111の外周を取り囲む位置に凸領域部113を備え、ランド111の外周と凸領域部113の内周との間には距離Aが設けられており、プリント配線板1は、第1の面110の反対側の第2の面120においてチップ部品6がはんだ付けされている、回路基板4である。 (もっと読む)


【課題】フラックス塗布するスポット箇所が変更になっても速やかに且つ精度良くスポット箇所だけに半田付け用フラックスを簡単に塗布できるフラックス塗布装置を提供する。
【解決手段】板面1aに直線状スリット10を貫通形成し、装置ケース9内に固着されるアウタプレート1と、アウタプレート1の下方の装置ケース9内に、平面視で、スリット10の細長横方向と交差する縦方向に張り出すインナプレート3と、各スリット10のほぼ真下で、インナプレート3に接続一体化されるセンサ41と、センサ41から離れたインナプレート3の部位に、ノズル口500を上向きにして取付け位置を変更可能に取付け一体化されてなるフラックス用噴射ノズル50と、インナプレート3と接続固定して、スリット10の細長横方向にインナプレート3を進退動させるアクチュエータ2と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】導電ペーストで構成された導電性パターンを有する回路基板の製造方法において、使用する導電ペーストの選択肢があまり制約されない上、導電性が良好な導電性パターンを有し、被接合部材を電気的に接合させる際に、各種接合方法を適用することができる回路基板の製造方法。
【解決手段】(1)基板上に、1または2以上の電極部を設置する工程であって、前記電極部は、被接合部材との間で、ハンダ付けによる接合および/またはワイヤボンディングによる接合が可能である、工程と、(2)前記基板上に、第1の導電ペーストを印刷して、前記電極部と電気的に接続された配線パターンを形成する工程であって、前記第1の導電ペーストは、ハンダ付けのできない導電ペーストである工程と、(3)前記配線パターンを固化して、配線部を形成する工程と、を有する回路基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】基板のCu表面に有機皮膜処理がなされている場合であっても、通常の鉛フリーはんだのリフロー熱処理条件で溶融接合でき、接合後は耐熱性に優れ、かつ室温で良好な接合強度を与える金属フィラーを提供する。
【解決手段】第1の金属粒子と第2の金属粒子との混合体を主成分として含む金属フィラーであって、該混合体が第1の金属粒子100質量部に対し第2の金属粒子が55〜400質量部であり、該第1の金属粒子はCu粒子もしくはCu合金粒子であり、該第2の金属粒子は、AgとSnとを含み、かつ当該Agの含有量が0.3〜4質量%のSn合金粒子である金属フィラー。 (もっと読む)


【課題】半田付け時に、半田付け部に気泡が残る半田付け不良を低減でき、冷却効率もよい半田付け装置を提供する。
【解決手段】2つの部材の間の半田付け部を加熱溶融した後、減圧雰囲気で脱泡処理し、その後冷却する半田付け装置において、半田付け部を加熱溶融する手段が設けられ、前記手段で半田付け部を加熱溶融後、減圧雰囲気で脱泡処理を行う処理室2と、前記処理室2から搬出された部材の半田付け部を冷却する手段3とを有し、前記処理室2と冷却手段3が不活性ガスで満たされている不活性ガス室1の内部に設置されている。前記加熱溶融手段がヒータ13と送風機14を有し、前記ヒータ13で加熱された雰囲気気体が前記送風機14により処理室2内を循環して半田付け部を加熱溶融することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】鉛フリーはんだのリフロー熱処理条件で溶融接合でき、接合後は、同じ熱処理条件では再溶融しない鉛フリーはんだ材料を提供する。
【解決手段】Sn13.5〜16.5質量%、Ag9〜11質量%、Bi4.5〜5.5質量%、Ge0.1〜5質量%、残部にCuを主成分として含むことを特徴とする5元系合金粒子。 (もっと読む)


【課題】従来のPbフリーはんだに対して高温保持におけるAgとはんだとの界面の金属間化合物層の成長を更に抑制することができ、はんだ接合部における良好なはんだ濡れ性を備えたSnを主成分とするPbフリーはんだを提供する。
【解決手段】一方の導体2と他方の導体とをはんだ接合するためのSnを主成分とするPbフリーはんだ1であって、一方の導体および他方の導体の少なくともいずれか一方はAgを主成分とする層をその表面に備えており、Snを主成分とするPbフリーはんだに、Znが含まれているものである。 (もっと読む)


【課題】半田付け時に、半田付け部を均一に効率よく加熱溶融でき、かつ、半田付け部に気泡が残る半田付け不良を低減できる半田付け方法を提供する。
【解決手段】2つの部材の間の半田付けを実施する半田付け方法において、処理室1内を循環する加熱雰囲気気体で2つの部材の間の半田付け部を加熱溶融した後、前記室1内を減圧し減圧雰囲気で一定時間保持して半田付け部の脱泡処理を行う。前記加熱溶融工程で、前記室1内に設けられているヒータ11で加熱された室1内の雰囲気気体が室1内に設けられている送風機12により室1内を循環して半田付け部を加熱溶融することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】各半導体素子接続パッド上の加熱溶融処理された金属層の高さに大きな違いが無く、半導体素子の電極と半導体素子接続パッドとを常に正常に接続することが可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】上面中央部に搭載部1aを有する絶縁基板1と、搭載部1aの外周部に内側の列と外側の列との2列の並びで設けられた多数の半導体素子接続パッド4と、絶縁基板1の上面に被着されており、半導体素子接続パッド4の2列の並びを露出させる開口部6aを有するソルダーレジスト層6と、内側の列の半導体素子接続パッド4に接続されており、開口部6a内を通って搭載部1aの外側に延びる引出配線3cと、半導体素子接続パッド4の表面に被着されており、加熱溶融処理された金属層7とを有する配線基板10であって、引出配線3cは、開口部6aよりも内側のソルダーレジスト層6の下で半導体素子接続パッド4に接続されている。 (もっと読む)


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