【課題】共振を低減することを可能とするシールドカバーを提供することである。
【解決手段】シールドカバー７０は、平面部７２ａを有し、筐体１１ａに取り付けられるカバー本体部７２と、筐体１４ａに締結される締結端部７４ａからカバー本体部７２の外形に沿って延びた先に設けられる平面部固定端部７４ｃを有する腕部７４と、を備え、平面部固定端部７４ｃは、平面部７２ａの面に対向して接合固定される。 （もっと読む）

【課題】柔軟性に富む薄型で段差追従性があり、且つ、過酷な屈曲動作が繰返し行われても電磁波遮蔽性能の低下が生じない、屈曲特性に優れたＦＰＣ用電磁波シールド材を提供する。
【解決手段】支持体フィルム６の片面の上に、塗布された誘電体の薄膜樹脂フィルムからなる基材１、アンカーコート層２、金属薄膜層３、導電性接着剤層４、が順に積層されてなることを特徴とするＦＰＣ用電磁波シールド材１０を提供する。基材１が、溶剤可溶性ポリイミドを用いて形成されたポリイミドフィルムからなり、厚みが１〜９μｍであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】小型でありながら放熱能力があり、輻射ノイズも発生しない電動パワーステアリング装置のコントロールユニットを提供する。
【解決手段】パワー基板６０及び制御基板７０、トルクセンサアンプ基板８０は鉛直方向に階層されケース２０内に配置され、パワー基板６０はケース２０の底部近傍に配置され、ケース２０内にアルミニウム製のGNDプレーン５０を備え、GNDプレーン５０はパワー基板６０及び制御基板７０、トルクセンサアンプ基板８０の階層方向と同方向に側面部５４を有し、パワー基板６０及び制御基板７０、トルクセンサアンプ基板８０は側面部５４に形成した接続部５８ａ，５８ｂ，５８ｃと電気的に接続している。また、ケース２０の上部にカバー１０を配置し、パワー基板６０及び制御基板７０、トルクセンサアンプ基板８０は周囲をGNDプレーン５０及びカバー１０、ヒートシンク４０で遮蔽している。 （もっと読む）

【課題】画像表示パネルの画素配列との干渉によるモアレ発生を防ぐと共に、メッシュパターンの粗密による明暗ムラも同時に防ぎ、なお且つ、導電性を維持しつつメッシュの外光反射によるコントラスト低下を防いだ電磁波遮蔽材と、これを用いた複合化積層体、画像表示装置を提供する。
【解決手段】導電体パターン層１の表面に暗色層２を有し、導電体パターン層が呈する、多数の開口部Ａを画成するメッシュパターン１Ｐが、二つの分岐点Ｂの間を延びて開口部を画成する多数の境界線分Ｌから形成され、一つの分岐点から延びる境界線分の数の平均値Ｎが、３．０≦Ｎ＜４．０であり、且つ、開口部が一定の繰返周期で並べられている方向が存在しない領域を含んでなるパターンからなる。開口部は少なくとも五角形及び六角形を含んでなるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】電磁ノイズを確実に防止しつつ、周囲の他の部位との間で電食が発生することのない航空機の窓、開口部の閉塞体、ガスケットシールを提供することを目的とする。
【解決手段】窓部２１に電磁シールドメッシュ２５が設けられ、電磁シールドメッシュ２５と導電性材料からなる窓フレーム３０との間にガスケットシール５０が設けられている。ガスケットシール５０の第一シール部５１は、体積抵抗率が低く、これにより、窓部２１と窓フレーム３０との間から電磁ノイズが機内に侵入するのを防ぐ。また、窓部２１の電磁シールドメッシュ２５にウインドウパネル２３Ａ、２３Ｂの外周側で接したガスケットシール５０の第二シール部５２は、体積抵抗率が例えば３００Ωｃｍ以上であり、クランプ２８やクリップ２９等の接触部分における腐蝕の発生を抑える。 （もっと読む）

【課題】バックグラウンドノイズやＥＭＩの効率的な低減が可能な電力供給回路を提供する。
【解決手段】実装基板１と、実装基板１上に配置された半導体スイッチング素子１０と、実装基板１上に配置され、半導体スイッチング素子１０の主電極間に接続される受動部品（２０、３０）と、半導体スイッチング素子１０と受動部品（２０、３０）によって構成される電流導通ループ１８内に配置され、実装基板１に開口された実装基板開口部８と、半導体スイッチング素子１０のスイッチングによって電流導通ループ内に発生する磁束Φの変化を抑制する局所シールド手段とを備える電力供給回路。 （もっと読む）

【課題】間にバリア層なしでコントラスト向上層に隣接してネオン光吸収層を設けても、ネオン光吸収機能がコントラスト向上層中の光重合開始剤の残渣で劣化しないＰＤＰ用コントラスト向上フィルタとこの製造方法、これを用いたプラズマディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】ＰＤＰ用コントラスト向上フィルタ１０は、透明基材１上に形成された光透過部２ａと光吸収部２ｂを有するコントラスト向上層２に接してネオン光吸収層３が更に形成され、コントラスト向上層の少なくとも光透過部が、光重合性化合物と１−〔４−（４−ベンゾイルフェニルスルファニル）フェニル〕−２−メチル−２−（４−メチルフェニルスルホニル）プロパン−１−オン、ならびにオリゴ〔２−ヒドロキシ−２−メチル−１−〔４−（１−メチルビニル）フェニル〕プロパン〕の２量体および３量体からなる群から選択される光重合開始剤とを含む樹脂組成物の硬化物からなる。 （もっと読む）

【課題】マイクチップと回路素子を縦積みにした半導体装置の耐ノイズ性を向上させる。
【解決手段】カバー４４と基板４５を上下に重ね合わせることによってパッケージを形成する。カバー４４に設けた凹部４６の天面にはマイクチップ４２が実装され、基板４５の上面には回路素子４３が実装される。マイクチップ４２はボンディングワイヤ５０によってカバー下面のパッド４８に接続され、回路素子４３はボンディングワイヤによって基板上面のパッドに接続される。カバー下面のパッド４８に導通したカバー側接合部４９と基板上面のパッドに導通した基板側接合部６９は、導電性材料８６によって接合される。ボンディング用パッド４８及びカバー側接合部４９の近傍において、カバー４４内には電磁シールド用の導電層５５が埋め込まれている。 （もっと読む）

【課題】開閉式の電子装置において、小型化を図ること。装置の開閉に対する耐久性を高めること。
【解決手段】電子装置１は、第一の筐体２、第二の筐体３及びケーブル４を備えている。第一の筐体２は、第一の回路基板５を有する。第二の筐体３は、第二の回路基板６を有する。第二の筐体３は、第一の筐体２とヒンジ７を介して開閉可能に接続されている。ケーブル４は、第一の回路基板５と第二の回路基板６とを接続する。ヒンジ７は、第一のヒンジケース８、第二のヒンジケース９及び筒体１０を備えている。第一のヒンジケース８は、第一の筐体２に固定される。第二のヒンジケース９は、第二の筐体３に固定される。筒体１０は、第一のヒンジケース８と第二のヒンジケース９とを回転可能に接続する。筒体１０は、磁性鋼材を含み、ケーブル４が貫通する孔を有する。 （もっと読む）

【課題】貼付後のシールと金属フレームとが接触しないように、シールを第１、第２のＩＣチップに貼付する。
【解決手段】制御装置は、シール２８の第１のＩＣチップ２２ａと第２のＩＣチップ２２ｂとの間の部分にエアを吹き付け、シール２８を両ＩＣチップ２２ａ、２２ｂの間に入り込むように変形させ、ハンド２０を、シール２８を介して第２のＩＣチップ２２ｂと対向する位置、かつ金属フレーム２４の高さよりも低く第２のＩＣチップ２２ｂの高さよりも高い位置（高さｂ）に位置決めした状態で、エアの吹き付けを停止する。そして、制御装置は、エア吹き付け停止後に、ハンドをシールに近づけていき、当該ハンド２０により第２のＩＣチップ２２ｂに対してシール２８を圧着して貼付する。 （もっと読む）

【課題】水分の排出経路の確認を容易にしながら、樹脂層とシールド層との界面で剥離が生じるのを抑制することが可能な高周波モジュールを提供する。
【解決手段】この高周波モジュール１は、ＩＣ２および部品３が搭載された基板４と、ＩＣ２および部品３を封止する絶縁性の樹脂層５と、樹脂層５の表面に設けられた導電性のシールド層６と、を備える。シールド層６には、樹脂層５まで達するとともに１μｍ以上の開口幅Ｗ１を有する開口部６ｃが形成されている。 （もっと読む）

【課題】全体重量を減少させながらも電磁波遮断効果を大きくすることができる電磁波遮断ケースを提供する。
【解決手段】コネクタ４７を有する回路基板４０の電磁波遮断ケースであって、電磁波遮断ケース内に積載された回路基板４０の上部を覆う上部ケース２０と、上部ケースと結合して、回路基板４０が積載された内部空間を形成する下部ケース３０と、電磁波を遮断することができるシールド１０と、を有して構成され、シールド１０は、内部空間に積載された回路基板４０を覆って装着される。 （もっと読む）

【課題】電子部品の接続信頼性を低下させることなくシールドケースを設けた、シールドケース付きプリント配線板及びシールドケース付きプリント配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品７とこれを覆うように設けられたシールドケース８とを備えるシールドケース付きフレキシブルプリント配線板１００であって、上記シールドケース又はフレキシブルプリント配線板に設けられた樹脂注入口１３と、上記樹脂注入口から注入されるとともに、上記電子部品の少なくとも接続部を覆う樹脂封止部１６とを備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】ケーブルによって接続された電子部品間の相対的位置が変化しても、ケーブルを交換したり、中継基板等を設けたりする必要のないケーブル保持構造を提供する。
【解決手段】互いに複数の位置関係に配設することが可能な第１の電子部品と第２の電子部品との間で接続されるケーブル２を保持するケーブル保持構造において、第１の電子部品と第２の電子部品との位置関係に応じて、ケーブル２を保持する向きと位置の少なくとも一方を変更可能に構成した。 （もっと読む）

【課題】軽量化に有利であり、且つ、密閉性を向上できる電磁波シールドカバーを提供することを目的とする。
【解決手段】シールド用金属板６に積層された樹脂組成物からなるカバー体７と、電子部品４に接続される電極５ａを内包する樹脂組成物からなるコネクター部５と、を備え、カバー体７とコネクター部５とは、一体的に形成されていることを特徴とする電磁波シールドカバー３である。この電磁波シールドカバー３によれば、シールド用金属板６によって電磁波の遮蔽性を維持しつつも、シールド用金属板６に積層されたカバー体７は樹脂組成物からなるために軽量化に有利である。さらに、カバー体７とコネクター部５とは互いに樹脂組成物であって、一体的に形成されているため、カバー体７とコネクター部５との間の隙間が無くなり、密閉性にも優れたものとなる。 （もっと読む）

【課題】分解しにくく、電磁波を遮蔽可能な電磁波遮蔽筐体およびその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】電磁波遮蔽筐体１は、金属製であって開口部２２を有する有底筒状のケース２と、金属製であって開口部２２を覆うカバー３と、ケース２およびカバー３のうち一方に配置される係合凸部４０と、ケース２およびカバー３のうち他方に配置される被係合凹部４１と、を有し、係合凸部４０と被係合凹部４１とが係合することにより、ケース２とカバー３とを固定するスナップフィット機構４と、ケース２とカバー３とを接着する接着部５と、を備える。係合凸部４０と被係合凹部４１とは、係合時に発生する永久歪みを残したまま、係合している。 （もっと読む）

【課題】電磁波の電場、磁場を相殺する電磁波の２回位相変換回路を提供する。
【解決手段】対象の電磁波に対して位相変換した電磁波を作用させ、上記対象の電磁波の及ぼす電気的磁気的影響を減衰ないしは消滅させるための位相変換回路として、対象の電磁波を捕捉する第１のアンテナ１１と、捕捉した電磁波の位相を変換する第１のタンク回路１３と、位相変換された上記電磁波の位相を再度変換する第２のタンク回路１４と、再度位相変換された電磁波を出力する第２のアンテナ１４とを具備して構成する。 （もっと読む）

【課題】光モジュール用リセプタクルの内部から外部へのノイズの輻射を確実に抑制することができること。
【解決手段】リセプタクル用ケージ１２における略矩形のモジュールスロットの全周縁に、第１のシールド部材としての筒状のフロントＥＭＩフィンガー１２ＦＦが設けられるとともに、リセプタクルコネクタ収容部１２Ｄ内のリセプタクルコネクタ２２に接続された光モジュール１４のアッパケース１４Ａおよびロアプレート１４Ｂの外周面とケージ１２の内周面との間の隙間が、第２のシールド部材としてのトップＥＭＩフィンガー１２ＴＦ、第３のシールド部材としてのサイドＥＭＩフィンガー１２ＳＲＦ，１２ＳＬＦによりシールドされ、ロアプレート１４Ｂが、接地された底壁部１２ＢＰに当接するもの。 （もっと読む）

【課題】装着されたケースに確実にキャップを被せるようにして、電子部品を保護すること。
【解決手段】基板認識カメラ１７で撮像された画像を認識処理装置が認識処理してプリント基板Ｐ上に装着されたシールドケース２０の位置を認識し、この認識結果に基づいて、吸着ノズル１８を補正移動させてケースキャップ２２の「く」の字形状の各保持部２２Ｂ２の外方に傾斜した外向き傾斜面がシールドケース２０の上壁２０Ｂの外周部分に当接するまで吸着ノズル１８を下降させる。次いで吸着ノズル１８による真空吸着を解除して上昇させ、次に真空吸引をしない状態で単に吸着ノズル１８を下降させることによりケースキャップ２２を下降させて押し込み、保持爪２２Ｂの各保持部２２Ｂ２をシールドケース２０の周側壁２０Ａに開設した各取付け用開口２１に嵌合させることにより、ケースキャップ２２をシールドケース２０に取り付ける。 （もっと読む）

【課題】インバータの対地浮遊容量を低減するとともに、インバータに対する冷却性能の低下防止の構造体を提供する。
【解決手段】互いに直列に接続された一対の半導体素子１６，１８と、ヒートシンク７と、前記第１の端子の一方の第１の端子１２と、前記一対の半導体素子の一方の半導体素子１６の一方の電極とのそれぞれに電気的に接続された第１の電極１０と、前記第２の端子１３と、前記一対の半導体素子の他方の半導体素子１８の一方の電極とのそれぞれに電気的に接続された出力電極１１と、前記第１の端子の他方の第１の端子１４に電気的に接続された第２の電極９と、を備える半導体モジュールであって、前記第２の電極９が、第１の絶縁部材８ａを介して前記ヒートシンク７に接続され、前記出力電極１１が、第２の絶縁部材８ｂを介して前記第２の電極９に接続されている。 （もっと読む）