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Fターム[5E339BE17]の内容

プリント配線の製造 (8,867) | 導体層の不要部分の除去手段 (1,023) | エッチングによるもの (889) | エッチング剤 (87)

Fターム[5E339BE17]に分類される特許

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【課題】表示装置あるいは太陽電池のいずれの半導体素子の製造工程において幅広く利用されている塑型もしくは表面加工工程において、処理工程数が少なく、簡便で選択精度に優れ、製造コストを削減できる塑型もしくは表面加工工程に使用できる水溶性ペーストを提供すること。
【解決手段】(A)水溶性高分子、(B)界面活性剤並びに(C)無機物微粒子及び有機物微粒子からなる群より選ばれる少なくとも1種を含有する塑型または表面加工用水溶性ペースト組成物を用いる。 (もっと読む)


【課題】サイドエッチングを抑制し、かつ銅配線の直線性を向上させた上、未エッチング箇所の残存を抑制できるエッチング液とその補給液、及び銅配線の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明のエッチング液は、銅のエッチング液であって、酸と、第二銅イオンと、アゾール化合物と、脂環式アミン化合物とを含む水溶液であることを特徴とする。本発明の補給液は、前記本発明のエッチング液を連続又は繰り返し使用する際に、前記エッチング液に添加する補給液であって、酸と、アゾール化合物と、脂環式アミン化合物とを含む水溶液であることを特徴とする。本発明の銅配線(1)の形成方法は、銅層のエッチングレジスト(2)で被覆されていない部分をエッチングする銅配線(1)の形成方法であって、前記本発明のエッチング液を用いてエッチングすることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、薄膜電極セラミック基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】薄膜電極セラミック基板は、セラミック基板と、セラミック基板の表面に形成されたエッチング防止金属層と、エッチング防止金属層上に形成された薄膜電極パターンと、薄膜電極パターン上に形成されたメッキ層と、を含み、薄膜電極パターンの各エッジ部は前記エッチング防止金属層と接することを特徴とする。薄膜電極セラミック基板は、セラミック基板の表面に陰刻形状のエッチング防止金属層を形成することにより、セラミック基板の表面と薄膜電極パターンとの間、及び薄膜電極パターンの間でエッチング液によって発生するアンダーカットを防止できる。また、薄膜電極パターンのエッジ部のセラミック基板表面の金属層に対する接着力が向上されることができ、薄膜電極パターン全体の固着力を向上させることができるため、薄膜電極パターンの耐久性及び信頼性を確保できる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、銅配線間の絶縁信頼性に優れたプリント配線基板を提供することを目的とする。
【解決手段】基板および基板上に配置される銅配線を有する銅配線付き基板と、銅配線を覆う窒素含有有機化合物を含有する銅イオン拡散抑制層とを有するプリント配線基板であって、窒素含有有機化合物の付着量が5×10-9〜1×10-6g/mm2であり、かつ、1.8質量%の硫酸と12質量%のペルオキソニ硫酸ナトリウムとを含むエッチング水溶液中に浸漬させた時の銅配線のエッチングレート(Bμm/分)と、銅イオン拡散抑制層を有しない銅配線付き基板をエッチング水溶液中に浸漬させた時の銅配線のエッチングレート(Aμm/分)と比(B/A)が1.2未満である、プリント配線基板。 (もっと読む)


【課題】
銅または銅合金に対してスプレーエッチング処理時に面内均一性に優れる銅または銅合金表面を得るための表面処理剤および表面処理方法を提供する。
【解決手段】
硫酸1〜25重量%、過酸化水素0.5〜10重量%、エチレングリコール誘導体0.01〜5重量%を含有し、かつかつ硫酸と過酸化水素のモル比(HSO/H)が0.65〜1.40であることを特徴とする銅または銅合金表面処理剤。 (もっと読む)


【課題】被めっき層のプラズマエッチング処理を容易に実施することができ、パターン状金属膜間の絶縁性に優れた積層体を得ることができる、パターン状金属膜を有する積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】所定のユニットからなる二元共重合体を含む被めっき層形成用組成物を用いて基板上に被めっき層12を形成する被めっき層形成工程と、被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、めっき処理を行い、被めっき層上に金属膜14を形成するめっき工程と、エッチング液を使用してパターン状金属膜を形成するパターン形成工程と、パターン状金属膜を有する基板と酸性溶液とを接触させる酸性溶液接触工程と、パターン状金属膜が形成されていない領域30の被めっき層12をプラズマエッチング処理により除去する被めっき層除去工程とを備える、パターン状金属膜16を有する積層体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】導体パターンの断面が矩形に近いプリント配線板を、エッチングにより、ショート欠陥を発生させることなく製造する。
【解決手段】塩化鉄(III)およびシュウ酸を含有する銅エッチング液に、さらに高級アルコールを含有せしめる。かかる銅エッチング液に、さらに特定の分散剤あるいは可溶化剤を含有せしめることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】回路パターンを良好なファインピッチで形成することができるプリント配線板用回路基板の形成方法を提供する。
【解決手段】プリント配線板用回路基板の形成方法は、白金、パラジウム、及び、金のいずれか1種以上を含み、白金の付着量が1050μg/dm2以下、パラジウムの付着量が600μg/dm2以下、金の付着量が1000μg/dm2以下である被覆層を表面に備えた銅箔又は銅層と、樹脂基板との積層体を準備する工程と、積層体の被覆層表面にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンを形成した積層体に対して、積層体の被覆層表面に塩化第二鉄系又は塩化第二銅系エッチング液をスプレー圧:Pが0.35MPa以下、かつノズル−エッチング基板間距離:D(m)として、P/D≦7.0となる条件で噴霧してエッチングする、又は、該エッチング液が貯留されたエッチング槽内に該積層体を浸漬してエッチングする工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】エッチングにより配線基板を製造する場合、配線基板の面内におけるエッチングのばらつきを抑制すること。
【解決手段】エッチングにおいては、基板1の搬送方向側に中間基準体20を配置して、エッチング装置に搬送する。このとき、スプレー11と、このスプレー11に対して搬送方向側に最初に配置された吸引ノズル12との距離をA、吸引ノズル12と、この吸引ノズル12に対して搬送方向側に最初に配置されたスプレー11との距離をB、搬送方向側における基板1の捨て領域1Dの長さDと中間基準体20の長さEとの和をCとしたとき、A+B≦Cである。 (もっと読む)


【課題】 比較的簡便で安価な手法により導体パターンの表面に凹部を形成する。
【解決手段】 絶縁フィルム1上に形成した、導体パターン2pの表面に凹部2dを形成するプリント配線板の製造方法であって、エッチング阻害剤を含むエッチング液13を導体パターン2pの表面の一部に接触させてエッチングすることで、導体パターン2pの表面に、略平坦なエッチング底面2t及び略垂直なエッチング側壁2sを有する凹部2dを形成する。 (もっと読む)


【課題】 回路パターンを良好なファインピッチで形成することができるプリント配線板用回路基板の形成方法を提供する。
【解決手段】 プリント配線板用回路基板の形成方法は、白金、パラジウム、及び、金のいずれか1種以上を含み、白金の付着量が1050μg/dm2以下、パラジウムの付着量が600μg/dm2以下、金の付着量が1000μg/dm2以下である被覆層を表面に備えた銅箔又は銅層と、樹脂基板との積層体を準備する工程と、積層体の被覆層表面にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンを形成した積層体の被覆層表面を、FeCl3を1.5〜4.1mol/L、及び、HClを0〜2.0mol/L含むエッチング液を用いてエッチングする工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】良好な断面形状を有する銅配線パターンを容易に形成できる銅配線パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】第二銅イオン源、酸、サイドエッチング抑制剤及び水を含むエッチング液を用いた銅配線パターン(4)の形成方法において、深さ方向のエッチング量(T1)がエッチング開始時の銅厚み(T0)の50〜90%になるまで前記エッチング液によりエッチングする第1エッチング工程と、前記第1エッチング工程に引き続いてエッチング終了時まで前記エッチング液によりエッチングする第2エッチング工程とを有し、前記第1エッチング工程におけるエッチング速度をR1とし、前記第2エッチング工程におけるエッチング速度をR2としたときに、R2/R1の値が0.40〜0.85であることを特徴とする銅配線パターン(4)の形成方法とする。 (もっと読む)


【課題】耐加熱変色性及びエッチング性に優れたプリント配線板用銅箔及び積層体を提供する。
【解決手段】プリント配線板用銅箔は、銅箔基材と、銅箔基材の表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを備えた銅箔である。被覆層は、貴金属粒子と、貴金属粒子を覆う、貴金属及び銅以外の材料で形成された担持剤とで構成されている。 (もっと読む)


【課題】サブトラクティブ法により配線導体が形成された配線基板において、配線導体の表面に必要な配線幅を確保することができるとともに絶縁層と接する側で十分な絶縁間隔を確保することが可能な配線基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】金属層2Pを、サイドエッチング抑制剤を含有する第1のエッチング液により、金属層2Pの幅がエッチングレジスト層3側から絶縁層1側に向けて広がるようにエッチングし、次に金属層2Pを、エッチング速度がエッチング液の攪拌速度に逆依存する第2のエッチング液により、金属層2Pの幅がエッチングレジスト層3側から金属層2Pの厚みの中央部に向けて広がるとともに金属層2Pの厚みの中央部から絶縁層1側に向けて狭まるようにエッチングして配線導体2を形成する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、基板の製造工程におけるシード層の除去性を高めると同時に、このようなシード層を除去する際にアンダーカットが生じにくいエッチング液、およびこれらのエッチング液を使用した基板の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】硫酸および過酸化水素を含む銅のエッチング液において、ニトロ置換基を有するベンゾトリアゾール化合物および有機アミン化合物を含むことを特徴とする銅のエッチング液およびこれらのエッチング液を使用した基板の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】配線導体が大きく細ること、および配線導体の絶縁層と接する底面が両側から大きくえぐれることを抑制し、それにより微細な配線導体を高密度で形成することが可能な配線導体の形成方法を提供すること。
【解決手段】無電解銅めっき層2および電解銅めっき層4を、配線導体5間の無電解銅めっき層2が消失するまでエッチング液でエッチング処理することにより電解銅めっき層4およびその下の無電解銅めっき層2から成る配線導体を形成するエッチング工程において、無電解銅めっき層2に対するエッチング速度が電解銅めっき層4に対するエッチング速度の1.6倍以下である第1のエッチング液を用いてエッチング処理した後、無電解銅めっき層2に対するエッチング速度が電解銅めっき層4に対するエッチング速度の2.4倍以上である第2のエッチング液を用いてエッチング処理する。 (もっと読む)


【課題】安全に銀を処理することができ、且つ銀の導体パターンを形成する場合に、所望のパターンどおりの形状であって且つパターンサイドの形状を良好にすることができる銀処理剤、銀の処理方法および導体パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】ハロゲンイオンと、銅および/または鉄イオンと、イミダゾール、1位、2位または4位の炭素または窒素原子に炭素数1−4のアルキル置換基を有するイミダゾール化合物及び1,2−ジアルキルイミダゾールからなる群より選ばれた少なくとも1種とを含むことを特徴とする銀処理剤、銀処理方法、およびこれらを使用する導体パターンの形成方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】導体パターンの腐食を防止することが可能な配線回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】導体パターン3は、端子部3aおよび配線部3bを含む。配線部3bを被覆するように端子被覆層6が形成される。導体パターン3の端子部3aの上面の高さは配線部3bの上面の高さよりも低く設定され、配線部3bの端部近傍において、配線部3bの上面が配線被覆層4の下面から離間するように傾斜する。配線被覆層4の端面、配線部3bから離間する配線被覆層4の下面の部分、配線被覆層4から離間する配線部3bの上面の部分(傾斜面)、および端子部3aの表面と密着するように端子被覆層6が形成される。 (もっと読む)


【課題】導体のトップ部の幅を保持し、かつ導体のミドル部のえぐれを抑制できる導体パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】銅層のエッチングレジストで被覆されていない部分に、フラットスプレーノズルによりエッチング液を噴霧して、前記被覆されていない部分をエッチングする導体パターン(2)の形成方法において、前記エッチング液は、第二銅イオン源、酸及びアゾール類を含む水溶液であり、前記銅層表面の単位面積当たりの前記エッチング液の噴霧量が、35〜450L/(min・m2)であることを特徴とする導体パターン(2)の形成方法とする。 (もっと読む)


【課題】形状不良なしに微細なパターンを形成し得る含有材料用エッチング剤組成物を提供する。
【解決手段】本発明は、(A)第二銅イオン及び第二鉄イオンから選択される少なくとも1つの酸化剤成分0.1〜15質量%、(B)塩化水素0.1〜20質量%、及び(C)下記一般式:
R−O−X−H (1)
(式中、Rは炭素数8〜18のアルキル基を表し、Xはエチレンオキサイドユニット及びプロピレンオキサイドユニットがランダム又はブロック状に重合したポリアルキレンオキサイド基を表す)で表され、且つ数平均分子量が500〜1,500であるノニオン性界面活性剤0.001〜5質量%を含む水溶液からなることを特徴とする銅含有材料用エッチング剤組成物である。 (もっと読む)


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