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Fターム[5E343CC78]の内容

プリント配線の製造 (50,760) | 導体パターンの形成に用いる処理剤 (2,475) | メッキ浴組成が特定されたもの (60)

Fターム[5E343CC78]に分類される特許

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【課題】高度に複雑化したプリント基板のめっきにおいてもヤケがなく、面内膜厚分布の均一性に優れ、かつスルーホールめっきの均一性にも優れるスズめっき液を提供する。
【解決手段】本発明のスズめっき液は、スズイオン源、少なくとも1種の非イオン性界面活性剤、イミダゾリンジカルボキシレート及び1,10−フェナントロリンを含有する。 (もっと読む)


【課題】無電解銅めっき層とポリイミド樹脂とを接合して形成したフレキシブル銅張積層板において、ポリイミド樹脂の表面粗度を小さくして平坦性を良くしかつ初期及び加熱後の密着強度を確保したフレキシブル銅張積層板が望まれている。
【解決手段】本発明は、ポリイミドの表面粗さと、無電解銅めっきプロセスで使用するアルカリ濃度に注目し、それらの適切な組み合わせにより、表面粗度を小さくして平坦性を良くし、かつ初期及び加熱後の密着強度を確保したフレキシブル銅張積層板を考案することができた。具体的には、ウェットブラストによる表面粗度の算術平均粗さRaが0.05μm以上1.0μm以下でかつ、二乗平均粗さRMSが0.1μm以上1.5μm以下に粗化されたポリイミド表面に、アルカリ度を低くした無電解銅めっき液により無電解銅めっき層を形成したことを特徴とするフレキシブル銅張積層板を提供する。 (もっと読む)


【解決手段】パラジウム化合物と、錯化剤としてアンモニア及びアミン化合物から選ばれる少なくとも1種と、還元剤として次亜リン酸及び次亜リン酸塩から選ばれる少なくとも1種と、不飽和カルボン酸、不飽和カルボン酸無水物、不飽和カルボン酸塩及び不飽和カルボン酸誘導体から選ばれる不飽和カルボン酸化合物を少なくとも1種とを含有する無電解パラジウムめっき浴。
【効果】本発明の無電解パラジウムめっき浴は、浴安定性が高く、浴の分解が起こりにくく、従来の無電解パラジウムめっき浴に比べて浴寿命が長い。しかも、長時間使用してもめっき皮膜特性への影響もなく、優れたはんだ接合特性及びワイヤボンディング特性を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】錫めっき皮膜のウィスカーの発生を防止する熱処理時間をより短縮し、製品の生産性を向上させることを目的とする。
【解決手段】可溶性錫塩と、錯化剤と、酸を含む無電解錫めっき液において、分子内に3つ以上のヒドロキシル基を有する水溶性の脂肪族アルコール(但し脂肪族基中にエーテル結合を含んでいてもよい)を含有することを特徴とする無電解錫めっき液。及び該無電解錫めっき液に少なくとも表面に銅を有する被めっき物浸漬した後、110〜130℃の条件下で40〜75分熱処理を行い、得られる錫めっき皮膜中の純錫層の厚さを0.100〜0.250μmとすることを特徴とする錫めっき皮膜を有するめっき物の製造方法。 (もっと読む)


【課題】現像後解像性及び金属めっき耐性が良好で現像液分散安定性に優れ凝集物が発生しない光重合性樹脂組成物及びその用途の提供。
【解決手段】(A)カルボキシル基含有量が酸当量で100〜600であり、一般式(I):


(式中、R1は水素原子又はメチル基であり、R2は水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基、カルボキシル基又は炭素数1〜12のハロアルキル基である)で表されるモノマーを含む重合成分の重合により得られ、重量平均分子量が5000〜500000であるバインダー用樹脂:10〜90質量%、(B)光重合性不飽和化合物:5〜70質量%、及び(C)光重合開始剤:0.01〜20質量%を含有し、(B)光重合性不飽和化合物中のエチレンオキサイド基濃度が0.17mol/100g以下である光重合性樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】エネルギー付与により高感度で硬化し、水溶液による現像により高解像度のめっき触媒又はその前駆体に対する吸着性に優れた被めっき層パターンを形成し得る被めっき層形成用組成物、基板との密着性に優れた高解像度の金属パターンを簡易に形成しうる金属パターン材料の作製方法、及びこれにより得られた金属パターン材料を提供する。
【解決手段】めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基、及び、ラジカル重合性基を有するポリマー1質量%〜20質量%と、水不溶性の光重合開始剤とを、20質量%〜99質量%の水溶性可燃性液体と水とを含有する混合溶剤に溶解してなる被めっき層形成用組成物、これを用いた金属パターン材料の作製方法、並びに、該作製方法により得られた金属パターン材料である。 (もっと読む)


【課題】超ファインピッチの配線としても幅方向の断面(横断面)の表面が平坦となる配線をセミアディティブ法で製造できるセミアディティブ用硫酸系銅めっき液及びこれを用いたプリント配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セミアディティブ用硫酸系銅めっき液であって、3−メルカプト−1−プロパンスルホン酸又はビス(3−スルホプロピル)ジスルフィドから選択された少なくとも一種と環状構造を持つ4級アンモニウム塩重合体と塩素とを含み、銅濃度が23〜55g/Lであり、硫酸濃度が50〜250g/Lである。 (もっと読む)


【課題】本発明は、電子部品などへのはんだ実装およびワイヤーボンディング性に優れためっき層を施すことができる無電解パラジウムめっき液を提供する。
【解決手段】パラジウム化合物、アミン化合物、無機硫黄化合物および還元剤を含む無電解パラジウムめっき液において、前記還元剤として、次亜リン酸または次亜リン酸化合物およびギ酸、またはギ酸化合物を併用してなり、前記パラジウム化合物0.001〜0.1モル/l、前記アミン化合物は0.05〜5モル/l、前記無機硫黄化合物0.01〜0.1モル/l、前記次亜リン酸化合物は0.05〜1.0モル/l、前記ギ酸またはギ酸化合物は0.001〜0.1モル/lであり、これにより、はんだ特性およびワイヤーボンデイング特性に優れためっき液を得ることを特徴とする無電解パラジウムめっき液。 (もっと読む)


【課題】 添加剤の種類が少ない銅めっき浴を用いて、導電処理した基板上の非貫通穴へ銅を良好に充填する方法を提供する。
【解決手段】 導電処理した基板上にある非貫通穴へ銅を充填する方法であって、水溶性銅塩、硫酸、及びブライトナーとレベラーとの両方の作用を有する重合体からなるフィリング添加剤とを含有するむ酸性銅めっき浴で前記基板をめっき処理することを特徴とする銅充填方法。 (もっと読む)


【課題】数μm〜百数十μmの大きなトレンチ又はビアホールに対しても、ボイドやシーム等の欠陥を生じさせず、良好なめっき埋め込み性を有し、さらに長時間に亘って安定した性能を維持することができる無電解めっき液を提供する。
【解決手段】少なくとも、水溶性金属塩と、その水溶性金属塩に由来する金属イオンの還元剤と、錯化剤とを有する無電解めっき液であって、炭素原子、酸素原子、リン原子、硫黄原子、窒素原子をそれぞれ任意の数含む脂肪族環状基または芳香族環状基、または該環状基に任意の1種類以上の置換基が1つ以上結合した環状基、を少なくとも1つ有する硫黄系有機化合物をレベラーとして含有している。 (もっと読む)


【課題】基板と導体としての銅めっき膜との気密性を向上させた貫通電極回路基板およびその形成方法を提供すること。
【解決手段】貫通孔2内に金属導体8を充填してなる貫通電極9を有する貫通電極回路基板であって、前記貫通孔2は、エッチングにより平滑処理された内壁面に無電解銅めっき膜6が形成されている。 (もっと読む)


【課題】LTCC基板の配線パターン間の金異常析出不具合、金とニッケルめっき皮膜間の密着不良、はんだはじき現象、およびはんだ継ぎ手の強度劣化などの問題の発生を低減する。
【解決手段】略中性の次亜リン酸塩を還元剤とする無電解ニッケルめっき液を用いて金属焼結体配線パターンの上に形成されたニッケル−リン合金の第一層構造と、形成される層構造が7重量パーセント以上のリンを含有し、イオウ成分を含有しない無電解ニッケルめっき液を用いて第一層構造の上に形成された非晶質でイオウを含有しないニッケル−リン合金の第二層構造と、置換型無電解金めっき液を用いて第二層構造の上に形成された金の第三層構造と、還元型無電解金めっき液を用いて第三層構造の上に形成された金の第四層構造とを有する。 (もっと読む)


【課題】めっき皮膜が基板から引き剥がれることなく、銅回路と基材の密着の向上した良好な回路基板を製造することを目的とする。
【解決手段】絶縁樹脂13からなる基材上に、下地めっき皮膜14aを形成する一次めっき処理を工程と、この一次めっき処理工程にて形成された下地めっき皮膜14b上に、当該下地めっき皮膜14bよりも膜厚の厚い厚付けめっき皮膜14bを形成する二次めっき処理工程とを備え、一次めっき処理工程では、二次めっき処理工程において形成される厚付けめっき皮膜14bの内部応力の向きと異なる向きの内部応力を有する下地めっき皮膜14aを形成させる無電解めっき浴を用いてめっき処理を行う。 (もっと読む)


【課題】 微細配線形成や電気特性、製造コストの上で有利であって、尚且つ信頼性が高く、高周波特性が良好な配線板を提供する。
【解決手段】 絶縁層と導体回路よりなるプリント配線板であって、導体回路の一部が金属箔より形成されており、導体回路の内層側の十点平均粗さ(Rz)が2μm以下であり、絶縁層が接着層とバルク層の少なくとも2層以上を含む構成であることを特徴とするプリント配線である。 (もっと読む)


【課題】金属アセチリドを基体上に形成する装置としてインクジェットを使用しても、ノズル部の詰まりや不吐出、流路閉塞などが生じず、金属パターンを基体上に直接描画することが可能な金属パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】金属塩溶液12と、下記一般式(I)で表されるアセチレン化合物溶液13との2種類の溶液を、基体11上に別々に付与し、基体11上にて金属アセチリド化合物を合成して金属粒子を析出させることにより所望の金属パターン14を形成する。また溶液を付与する装置の少なくとも1つとしてインクジェット装置を使用することにより、金属パターンを直接描画することができる。
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【課題】有機高分子絶縁層と配線層との密着性を高めるために必須であった特殊なエッチング工程を省くことができ、高価なエッチング装置を使う必要がなく、経済的である。また、特にビアフィルめっきに用いられる各種添加剤を含む種々の硫酸銅めっき浴をそのまま用いても表面の凹凸を様々な形状や粗さに形成することができることから、添加剤に起因する皮膜特性に応じて特殊なエッチング液を選択する必要もなく、また、積層する有機高分子絶縁層の材質及び物性に合わせて表面の凹凸を容易に形成する。
【解決手段】有機高分子絶縁層11a上に電気銅めっきにより配線層2a、2bを形成し、配線層上に更に有機高分子絶縁層11bを積層する工程を含むビルドアップ積層基板の製造方法において、電気銅めっきの最終工程において、電気銅めっきにより上記配線層表面を粗面23に形成し、粗面に形成された配線層表面上に直接有機高分子絶縁層を積層する。 (もっと読む)


【課題】 弱酸性ないし中性域の無電解スズメッキ浴の経時安定性を向上する。
【解決手段】 (A)可溶性第一スズ塩と、(B)無機酸及び有機酸の少なくともいずれかの酸と、(C)チオ尿素類と、(D)オキシカルボン酸よりなる浴安定用錯化剤と、(E)クロム、マンガン、鉄、アルミニウム、バナジウム、ジルコニウム、モリブデンよりなる群から選ばれた金属のイオンとを含有し、上記金属イオン(E)の含有量が0.01〜6.0モル/Lであり、且つ、pH2.5〜7である無電解スズメッキ浴である。鉄、マンガン、クロムなどの特定の金属イオンを所定濃度でオキシカルボン酸に共存させるため、無電解スズ浴は弱酸性ないし中性域を呈すると共に、経時安定性にも優れる。 (もっと読む)


【課題】基板上に銅層を形成する場合において、低価格で環境にやさしい製造法を提供する。
【解決手段】フラットパネルディスプレイ製造過程において基板上に銅層を作る方法および装置であって、銅を基板上に無電極的に堆積し、銅相互接続層を形成する。銅源としてのCuSO5HO、錯化剤としての酒石酸カリウムナトリウム4HOまたはクエン酸三ナトリウム、還元剤としてのグリオキシル酸塩、グリオキシル酸またはリン酸ナトリウム、安定剤としての有機硫黄化合物、およびpH調節剤を含む銅溶液を使用し、基板上に銅相互接続層を形成する。 (もっと読む)


【課題】プリント配線板やフレキシブル配線板等の銅回路、パッケージ基板等の半導体実装基板等の銅系素材で形成された表面に直接、はんだ接合端子等に耐熱性や耐リフロー性に優れた良好な電子部品の無電解金めっき方法及び電子部品を提供する。
【解決手段】銅または銅合金系素材からなる被めっき部分を持った電子部品に、置換金めっき皮膜を形成し、更にその上に還元剤を含む無電解金めっき液により無電解金めっきを施す、電子部品の無電解金めっき方法において、前記無電解金めっき液の還元剤が、一般式(1)で表されるフェニル化合物系還元剤である、電子部品の無電解金めっき方法。


[式中、R1は水酸基、スルホン基又はアミノ基を示し、R2,R3及びR4はそれぞれに独立に水酸基、スルホン基又はアミノ基、水素原子又はアルキル基を示す。] (もっと読む)


【課題】ソルダーレジストや下地ニッケルに腐食を生じさせることなく、配線基板に半田接合性やワイヤーボンディング特性が良好な金めっき皮膜を形成できる安全性の高い置換金めっき液を提供する。
【解決手段】金イオンとして0.5−5g/Lの水溶性亜硫酸金化合物と、5−200g/Lの亜硫酸及び/又はその塩と、5−50g/Lの水溶性ポリアミノポリカルボン酸及び/又はその塩とを含有し、エチレンジアミン及びタリウムを含まない無電解金めっき液。 (もっと読む)


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