【課題】配線間の絶縁性に優れ信頼性の高い配線構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】スピンコート法により、ベースポリマーがポリイミド樹脂である非感光性樹脂のワニスを塗布後、ベーク、キュアしてポリイミド樹脂を硬化、膜を形成する。これを第１絶縁膜１２とする。次いで、めっきシード層１８形成、フォトレジスト溝パターン２２形成、めっき、フォトレジスト溝パターン２２除去、配線下以外のめっきシード層１８除去に依り、第１の絶縁膜上に配線２６を形成する。そして、第１絶縁膜の表面上にシリカ粒子３０を分散し、散したシリカ粒子３０をマスクとして、ＣＦ４及びＯ２を混合したガスで、第１絶縁膜１２をドライエッチングすることに依り、段差が１００ｎｍ以上の凹凸３２を形成する。最後に前述と同様にして、スピンコート法により、第２絶縁膜としてのポリイミド樹脂膜３４を形成する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板に形成された貫通孔内に金属を充填する際に、当該貫通孔の孔内の底
部形状の影響を排除して、当該貫通孔の孔内におけるボイド発生を防止する。
【解決手段】貫通孔３が形成されたガラス基板２の一面側に第１メッキ層４ａを形成して
貫通孔３の開口部を閉塞する第１の工程と、第１メッキ層４ａを用いて行う電解メッキに
よりガラス基板２の他面側から第２メッキ層４ｂを堆積する第２の工程とを備える基板製
造方法において、第２の工程は、貫通孔３の底部の凹状窪みを平坦に均す平坦化段階と、
平坦に均した後の孔内に第２メッキ層４ｂを堆積させて当該孔内を埋める充填段階とを有
する。そして、少なくとも平坦化段階では、電解メッキとして、正の極性のフォワード電
流と負の極性のリバース電流を交互に与えるパルスメッキを行う。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上に存在する複数の貫通孔に金属を充填する場合に、工程煩雑化等に
よる生産性低下を招くことなく、各貫通孔の孔内への金属充填度合いのバラツキ発生を回
避する。
【解決手段】ガラス基板２の一面側に第１メッキ層４ａを形成して貫通孔３の開口部を閉
塞する第１の工程と、電解メッキによりガラス基板２の他面側から第２メッキ層４ｂを堆
積する第２の工程とを備える基板製造方法において、ガラス基板２上にはイオン集中領域
９ａとイオン分散領域９ｂとが混在して配されており、第２の工程では、イオン集中領域
９ａおよびイオン分散領域９ｂの双方に対して、電解メッキとして正の極性のフォワード
電流と負の極性のリバース電流を交互に与えるパルスメッキを行う。 （もっと読む）

【課題】従来方法に比べて、電解メッキにより貫通孔に金属を充填し終えるまでの所要時間を短縮する。
【解決手段】貫通孔３が形成されたガラス基板２の下面側にメッキ下地層７を形成する工程Ａと、ガラス基板２の上面側に電解メッキにより第１メッキ層４ａを形成し貫通孔３の下開口部を閉塞する工程Ｂと、ガラス基板２の上面側からの電解メッキにより貫通孔３内に金属の第２メッキ層４ｂを堆積させて貫通孔３を金属で充填する工程Ｃとを含む。工程Ａでは、貫通孔３の下開口部の縁から貫通孔３の側壁面の一部にかけてメッキ下地層７を形成しておく。工程Ｂでは、貫通孔３の内部でメッキ下地層７の表面から第１メッキ層４ａを成長させ貫通孔３の下開口部を閉塞する。工程Ｃでは、貫通孔３の内部で第１メッキ層４ａの表面から貫通孔３の上開口部に向かって第２メッキ層４ｂを成長させ貫通孔３をメッキ金属で充填する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された抵抗体を有するとともに、この抵抗体上に膜状導体部を含む複数の配線層が形成されてなる配線基板を製造する際において、複数の配線層をエッチングして形成する際のひげの発生を抑制してこれら複数の配線層間の短絡を防止するとともに、配線層を構成する膜状導体部のアンダーカットを防止して、これら複数の配線層の基板との密着強度を向上させる。
【解決手段】第１主面と該第１主面に対向する第２主面を有する基板本体と、第１主面上に形成された抵抗体と該抵抗体上に形成され抵抗体よりも抵抗値の低い金属からなる下地金属層と該下地金属層上に形成された導電層を含む複数の第１主面側配線層と、第２主面に形成された第２主面側配線層と、基板本体内に形成され第１主面側配線層と第２主面側配線層との間を電気的に導通するビアとを有する配線基板であって、第１主面側配線層の上面と側面とを被覆する導電性被覆層を備える。 （もっと読む）

【課題】従来の導電体パターン形成方法は、エッチング工程を含み複雑であった。さらに、基板上に導電体を直接印刷する方法が開発されてきたが制約が多かった。
【解決手段】基板の表面領域の一部分を露出する第２のパターンを形成するために、非導電性材料を用いて基板上に導電体パターンの反転画像を印刷する。その後、導電性材料を用いて基板の全表面領域を覆う。反転画像の非導電性材料は、反転画像を覆う導電性材料を、第２のパターンを覆う導電性材料から電気的に絶縁する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、信頼性を向上させる要求に応える配線基板の製造方法を提供するものである。
【解決手段】本発明の一形態にかかる配線基板４の製造方法は、樹脂基板１５を、フッ素ゴム１７を介して放熱部材１６に載置する工程と、蒸着法を用いて、フッ素ゴム１７を介して放熱部材１６に載置された樹脂基板１５の露出した一主面に金属層１２を形成する工程と、を備えている。また、本発明の一形態にかかる配線基板４の製造方法は、一主面に第１金属層１２ａを有する樹脂基板１５の該第１金属層１２ａ側にフッ素ゴム１７を配しつつ、樹脂基板１５を、フッ素ゴム１７を介して放熱部材１６に載置する工程と、蒸着法を用いて、フッ素ゴム１７を介して放熱部材１６に載置された樹脂基板１５の露出した他主面に第２金属層１２ｂを形成する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィでは形成が困難な超微細な導電体パターンを形成しうる導電体パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 基体上に、第１の比抵抗を有する金属酸化物膜を形成し、金属酸化物膜に電極を接触又は所定の距離まで近づけ、この状態で電極と金属酸化物膜との間に第１の電圧を印加することにより、金属酸化物膜の比抵抗を局所的に変化させ、金属酸化物膜の表面側に、第１の比抵抗よりも高い第２の比抵抗を有する高抵抗領域を形成し、金属酸化物膜に電極を接触又は所定の距離まで近づけ、この状態で電極と金属酸化物膜との間に第２の電圧を印加することにより、金属酸化物膜の比抵抗を局所的に変化させ、高抵抗領域の表面側に、第２の比抵抗よりも低い第３の比抵抗を有する導電体パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の接合強度の低下が抑制されたセラミックス配線基板を提供する。
【解決手段】セラミックス配線基板１０は、セラミックス基板１１とその上に形成された配線層１２とを具備する。配線層１２は、セラミックス基板１１の表面に順に積層された下地金属層１５、第１の拡散防止層１６および第１のＡｕ層１７を有する配線部１３と、配線部１３上の所望の位置に順に積層された第２の拡散防止層１９、空孔抑制層２０および半田層１８を有する接続部１４とを備える。空孔抑制層２０はＡｕやＡｕを８５質量％以上含むＡｕ−Ｓｎ合金により構成される。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性を確保しつつ電子部品の電極のファインピッチ化に対応可能なプリント配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】プリント配線板１の製造方法は、シード層１３を有する基材２０を準備する第１の工程Ｓ１０と、第１及び第２の開口３１，３２を有するレジストパターン３０をシード層１３上に形成する第２の工程Ｓ２０と、第１の開口３１内に形成した第１の接着層１６によって半導体デバイス１５を基材２０に接着する第３の工程Ｓ３０と、シード層１３上に形成されためっき層１４を第２の開口３２内に満たすことで、電極１５３とめっき層１４とを直接接続する第４の工程Ｓ４０と、レジストパターン３０を除去する第５の工程Ｓ５０と、シード層１３の露出領域を除去する第６の工程Ｓ６０と、半導体デバイス１５と絶縁性フィルム１１の間の空隙６０に第２の接着層１７を形成する第７の工程Ｓ７０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応える配線基板およびその実装構造体を提供するものである。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る配線基板２は、イミド基を有する樹脂を含む樹脂層１１と、該樹脂層１１に当接した、チタンを含む金属層１３とを備え、樹脂層１１は、金属層１３に当接した第１層領域１５と、該第１層領域１５よりも樹脂層１１の内部に位置する第２層領域１６とを有し、第１層領域１５は、炭素原子数に対する窒素原子数の比率が第２層領域１６よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】平坦性によるインピーダンス整合及び設計自由度が高く、高密度実装が可能な多層配線基板及びその製造方法並びに半導体装置を提供する。
【解決手段】多層配線基板１０は、基板１１の上部に絶縁層１２を備え、これと対称に基板１１の下部に絶縁層１３を備える。これらの絶縁層は、ポリイミド樹脂により形成されており、基板１１に対してキャスティングによりビルドアップして形成される。ビルドアップされた絶縁層１２，１３のいずれか又は両方が、基板の流れ方向であるＭＤ方向と、基板の垂直方向であるＴＤ方向とにおいて強度を同じに設定している。 （もっと読む）

【課題】 金属部材の表面に、再現性よくバリア膜を形成する技術が望まれている。
【解決手段】 基板の上に、下部バリア膜を形成する。下部バリア膜の上にシード膜を形成する。シード膜の一部の領域上に、導電部材を形成する。導電部材をエッチングマスクとして、シード膜をエッチングし、導電部材の形成されていない領域において、下部バリア膜を露出させる。下部バリア膜の表面には堆積しない条件で、導電部材の表面に選択的に上部バリア膜を成長させる。上部バリア膜をエッチングマスクとして、下部バリア膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】セラミック部の表面に形成された金属層の密着強度が向上されたセラミック基盤を提供する。
【解決手段】セラミック部２と、セラミック部２の少なくとも１面に形成された、表面粗さ（Ｒａ）が１ｕｍ以上３０ｕｍ以下である表面処理層３と、表面処理層３の表面に、乾式めっき法によって形成された導電性金属からなる第１の金属層４と、第１の金属層４の表面に、乾式めっき法によって形成された導電性金属からなる第２の金属層５と、第２の金属層５の表面に、湿式めっき法によって形成された導電性金属からなる第３の金属層６と、からなるセラミック基板１とした。 （もっと読む）

【課題】配線基板の熱膨張係数を抑制し半導体素子の熱膨張係数との差を小さくすることで、半導体素子接続パッドと半導体素子の電極との接続部での位置ズレやクラック発生を低減し、半導体素子との電気的接続信頼性が高い配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層１ａと、絶縁層１ａ上に形成された配線導体２とを有する配線基板１０であって、配線導体２は順次積層された第１導体層２ａと第２導体層２ｂと第３導体層２ｃとを具備し、第１および第３導体層２ａ，２ｃは第１の熱膨張係数を有する第１の金属材料から成り、第２導体層２ｂは第１の熱膨張係数よりも小さな第２の熱膨張係数を有する第２の金属材料から成ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】凹パターンに導電材料が充填されてなるランド部において、特に、広い（アスペクト比の低い）凹パターンに凹みなく導電材料が充填されており、寸法安定性がよく信頼性の高い配線基板を提供する。
【解決手段】本発明の配線基板は、樹脂材料からなる基板２と、前記基板の一面側に設けられた凹パターン３Ａ（３）と、前記凹パターンに導電材料５が充填されてなる導電部と、を備えた配線基板１であって、前記凹パターンの底面部に、前記樹脂材料からなり、前記底面部に対して凸状に設けられた突起部４を有すること、を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】めっきリードをエッチングにより除去しても、導体パターンが汚染されることを防止することのできる配線回路基板を提供すること。
【解決手段】配線回路基板１は、導体パターン６と、エッチング液が導体パターン６に浸入することを規制する規制部分を被覆するための被覆部３４とを備える。 （もっと読む）

【課題】絶縁層との密着面積を広くすることにより、回路パターンの剥離問題を解決し、アンダーカットによる回路パターンの損傷発生を最小化するうえ、微細な回路パターンを実現することができるプリント基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のプリント基板は、トレンチ１１０が陰刻状に形成された絶縁層１００と、一端部はトレンチ１１０に埋め込まれ、他端部は絶縁層１００から突出するようにトレンチ１１０に形成された回路パターン１５０とを含んでなる。 （もっと読む）

【課題】集電効率が維持されつつ導体層の腐食が防止された配線回路基板およびそれを用いた燃料電池ならびに配線回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＦＰＣ基板１は、例えば連続孔を有する多孔質性のｅＰＴＦＥからなるベース絶縁層２を備える。ベース絶縁層２の一面に、接着剤パターン７を介して、例えば銅からなる導体パターン３が形成される。導体パターン３の表面を被覆するように、被覆層６が形成される。被覆層６は、ヤング率が１０５Ｇｐａ以下でありかつ標準電極電位がー１．５Ｖ以上である材料からなる。 （もっと読む）