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Fターム[5E343ER32]の内容

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Fターム[5E343ER32]に分類される特許

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【課題】従来よりも微細なパターンを集積させた上、体積抵抗値を比較的低減させて微細金属構造体としての性能を向上させる微細金属構造体を提供する。
【解決手段】基材上に所定のパターンを有する金属膜が設けられた微細金属構造体であって、前記金属膜は、金属成分として平均一次粒子径1〜100nmの金属ナノ粒子を含むペーストから形成されるものであり、前記所定のパターンにおける金属膜の幅は10μm以下であり、前記金属膜の体積抵抗率が1.0×10−5Ω・cm以下である。 (もっと読む)


【課題】転写法により被転写物に金属配線を形成するための転写用基板であって、被転写物側の加熱温度を低くすることのできるもの、及び、金属配線の形成方法を提供する
【解決手段】本発明は、基板と、前記基板上に形成された少なくとも一つの金属配線素材と、前記金属配線素材の表面上に形成された少なくとも1層の被覆層と、前記基板と前記金属配線素材との間に形成された下地金属膜と、からなり、前記金属配線素材を被転写物に転写させるための転写用基板であって、前記金属配線素材は、純度99.9重量%以上、平均粒径0.01μm〜1.0μmである金粉等の金属粉末を焼結してなる成形体であり、前記被覆層は、金等の所定の金属又は合金であって、前記金属配線素材と相違する組成の金属又は合金からなり、かつ、その合計厚さは1μm以下であり、前記下地金属膜は、金等の所定の金属又合金からなる転写用基板である。 (もっと読む)


【課題】基板と金属層との密着性に優れ、金属層の厚みが均一である、金属層を有する積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板10上に、ブタジエン由来の繰り返し単位を有するポリマーを含む被めっき層12を形成する被めっき層形成工程と、上記被めっき層12を熱処理する熱処理工程と、上記熱処理後の被めっき層12をアルカリ処理するアルカリ処理工程と、上記アルカリ処理後の被めっき層12にめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、上記めっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層12に対してめっきを行い、上記被めっき層12上に金属層14を形成するめっき工程と、を備え、上記熱処理前の被めっき層12中におけるブタジエン由来の繰り返し単位の濃度が、10.4mmol/cm3以上である、金属層を有する積層体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】一例として、より不都合の少ない基板を製造しやすい製造装置を得る。
【解決手段】実施形態にかかるフレキシブルプリント配線板の製造装置は、複数の装置を備える。第二導体層を設ける装置は、第一導体層の面に部分的に第二導体層を設ける。第一絶縁層を設ける装置は、第一導体層の面に部分的に第一絶縁層を設ける。第一導体層、第二導体層、第一絶縁層、および第三導体層を一体化する装置は、第一導体層の面に設けられた第二導体層および第一絶縁層が第一導体層とは反対側から第三導体層で覆われた状態で、一体化する。導体パターンを形成する装置は、第一導体層、第二導体層、第一絶縁層、および第三導体層が一体化された構造の第一導体層および第三導体層のうち少なくとも一方を部分的に除去して導体パターンを形成する。第二絶縁層で覆う装置は、導体パターンが形成された構造の両側を第二絶縁層で覆う。 (もっと読む)


【課題】デスミア処理を行っても被めっき層が残存し、その表面の平滑性が維持されると共に、被めっき層上に形成される金属層の密着性が優れる多層基板を製造することができる、多層基板の製造方法を提供する。
【解決手段】導電層付き基板の導電層側の表面に、熱、酸または輻射線により疎水性から親水性に変化する官能基を有する被めっき層を形成する工程(A)と、被めっき層を貫通し、導電層に達するようにビアホールを形成する工程(B)とデスミア処理液を用いたデスミア処理を行う工程(C)と、加熱、酸の供給または輻射線の照射を行い、官能基を疎水性から親水性に変換する工程(D)と、被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程(E)と、めっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっき処理を行う工程(F)と、を有する多層基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】セラミック、ガラス、樹脂などの素体に対し、金属膜を接合形成する際、簡便さと接合信頼性とを両立させることが問題となっていた。
【解決手段】多数の孔部を有する多孔質金属めっき膜と、前記孔部に充填されたガラス成分と、を備える金属膜を用意し、これを素体に加熱接着すればよい。 (もっと読む)


【課題】焼結時の基材へのダメージがなく、且つ膜厚のコントロールが可能な金属膜の作製方法、及び金属膜を提供する。
【解決手段】印刷法で、基材上に酸化銅からなる粒子を含む銅系粒子堆積層を形成する工程と、ガス状のギ酸を含むガスにより、120℃以上に加熱した前記銅系粒子堆積層を還元し金属銅膜(めっき核)を生成する工程と、前記金属銅膜(めっき核)表面にめっきを行う工程とを含む、金属膜を作製する方法。 (もっと読む)


【課題】バルジやジャギーなどの発生が回避され好ましい微細パターンを形成しうる機能性液体パターン形成方法/システム、導電性パターン形成方法/システム、機能性液体パターン構造体製造方法、及び導電性パターン構造体製造方法を提供する。
【解決手段】基材が加熱され表面温度が45℃以上(好ましくは60℃以上)に維持され、めっき用触媒担持ポリマー、高沸点溶媒及び低沸点溶媒を含有するめっき用触媒担持ポリマー液を、吐出液滴の直径D、めっき用触媒担持ポリマー液のドットの間ピッチW、該液のドットの直径Dが、D<W<Dの関係を満たす吐出条件に基づき、インクジェット方式により基材上に吐出させ、めっき用触媒担持ポリマー液のパターンが形成される。また、該液を硬化させた後にめっき触媒(又はめっき触媒前駆体)が付与され、めっき処理が施されることでめっき膜からなる導電性パターンが形成される。 (もっと読む)


【課題】銅配線の導電性を向上させるとともに、経時変化による劣化を抑制することができ銅配線の形成方法、配線基板の製造方法および配線基板を提供することを目的とする。
【解決手段】粒子径が100nm以上の銅粒子14を分散させた分散液12を塗布し、基板10上に配線パターンを形成するパターン形成工程と、配線パターンを150℃未満の温度で乾燥を行なう乾燥工程と、乾燥工程後の配線パターンを加圧する加圧工程と、加圧工程後の配線パターンを加熱する加熱工程と、加熱工程後の配線パターンを還元処理する還元処理工程と、を有することを特徴とする銅配線の形成方法、配線基板の製造方法および配線基板である。 (もっと読む)


【課題】銅配線の導電性を向上させるとともに、経時変化による劣化を抑制することができる銅配線の形成方法、配線基板の製造方法および配線基板を提供することを目的とする。
【解決手段】粒子径が100nm以上の第1の銅粒子14を分散させた第1の分散液12を塗布し、基板10上に配線パターンを形成するパターン形成工程と、配線パターンを150℃未満の温度で乾燥を行う乾燥工程と、乾燥工程後の配線パターンと同じ位置に、第1の銅粒子14より粒子径の小さい第2の銅粒子18を分散させた第2の分散液16を塗布する塗布工程と、塗布工程後の配線パターンの第1の銅粒子14および第2の銅粒子16間の空隙を埋める緻密化工程と、緻密化工程後の配線パターンを加熱する加熱工程と、加熱工程後の配線パターンを還元処理する還元処理工程と、を有することを特徴とする銅配線の形成方法、配線基板の製造方法および配線基板である。 (もっと読む)


【課題】セラミックス基板と導体パターン層との強固な接合性を得ることができ、組立作業性を向上させることができるパワーモジュール用基板用の導体パターン部材を提供する。
【解決手段】導体パターン部材10は、導体パターン層6とろう材箔9とを積層状態に仮固定してなり、導体パターン層6の表面にろう材箔9を溶接することにより形成された溶接部12が、導体パターン層6の外縁の少なくとも対向する二辺に沿って又は前記二辺の端部に位置するように複数設けられている。 (もっと読む)


【課題】導体回路層のピール強度が高いプリント配線板を得る。
【解決手段】表面が樹脂組成物からなる基板1の当該表面上に、無電解めっきにより無電解めっき層2を形成する工程と、無電解めっき層2上に、開口を有するレジストマスク3を形成する工程と、開口内に、電解めっきにより電解めっき層4を形成する工程と、レジストマスク3を除去する工程と、無電解めっき層2のうち、平面視で電解めっき層4と重ならない部分をエッチングにより選択的に除去する工程と、を備え、無電解めっき層2を形成する工程の後であって電解めっき層4を形成する工程の前において基板1を加熱する第1の加熱工程、及び/又は電解めっき層4を形成する工程の後において基板1を加熱する第2の加熱工程を有する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、無電解めっき時におけるめっき速度が向上すると共に、基板に対する密着性がより向上した金属膜を得ることができる被めっき層形成用組成物、および、該組成物を用いて実施される金属膜を有する積層体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】式(1)で表される化合物と、重合性基を有するポリマーとを含む、被めっき層形成用組成物。


(式(1)中、R10は、水素原子、金属カチオン、または第四級アンモニウムカチオンを表す。L10は、単結合、または、二価の有機基を表す。R11〜R13は、それぞれ独立して、水素原子、または置換若しくは無置換のアルキル基を表す。nは1または2を表す。) (もっと読む)


【課題】コールドスプレー法を用いてセラミックス基材に金属皮膜を形成させた場合に、セラミックスと金属皮膜との間の密着強度が高い積層体およびこの積層体の製造方法を提供すること。
【解決手段】絶縁性のセラミックス基材10と、金属を含む主成分金属層51、および金属または金属の酸化物もしくは水素化物からなる活性成分層52を有し、セラミックス基材10の表面に形成される中間層50と、中間層50の表面に、金属を含む粉体をガスと共に加速し、前記表面に固相状態のままで吹き付けて堆積させることによって形成された金属皮膜40と、を備えた。 (もっと読む)


【課題】導電性樹脂組成物において、良好な保存安定性を得ることができるとともに、形成される導電パターンにおいて、良好な導電性を有し、低コスト化を図ることが可能な導電性樹脂組成物及び電子回路基板を提供する。
【解決手段】導電性樹脂組成物において、Al粒子の表面にAg被覆層が形成されたAlコアAg被覆粒子を含む導電粉末と、有機バインダーと、ガラスフリットと、を含有する。 (もっと読む)


【課題】 撥液処理を施すことなく、基板表面に細線化した導電性パターンを高い密着性を以って形成する方法を提供する。
【解決手段】 基板表面に金属と結合する基を持つ化合物層を形成する工程と、
前記化合物層を加熱しながら、前記化合物層表面に金属ナノ粒子分散インクをパターン状に塗布して金属ナノ粒子分散インク層を形成する工程と
前記金属ナノ粒子分散インク層を焼結する工程と
を含むことを特徴とする導電性パターンの形成方法。 (もっと読む)


【課題】スタンパーを用いて転写する方法を利用して、ファインパターンに導体パターンを形成する方法を提供する。
【解決手段】(a)導体パターンに合わせて凸部16aと凹部16bのパターンが形成された、スタンパー16のスタンプ面にナノカーボン分散液としてカーボンナノチューブ分散液20を供給する工程と、(b)カーボンナノチューブ分散液が供給されたスタンプ面に、ナノメタルインク22を供給する工程と、(c)スタンパーのスタンプ面と被転写体である転写基板24の被転写面とを対向させてスタンパー16と転写基板24とを重ね合わせ、厚さ方向に挟圧して、スタンパー16から転写基板24に前記ナノメタルインク22を転写する工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】短時間で、配線母体の内部に、種々のトポロジーの貫通配線や連結配線を埋め込むことが可能な配線構造物を提供する。
【解決手段】配線母体11と、配線母体11の内部に設けられた複数の穴部の内部にそれぞれ配置された、配線子連続体(Qi1,Qi2,Qi3,……,Qin-1,Qin;Qi+11,Qi+12,Qi+13,……,Qi+1n-1,Qi+1n)からなる複数の貫通配線部とを備える。複数の配線子連続体のそれぞれをなす複数の配線子Qi1,Qi2,Qi3,……,Qin-1,Qin;Qi+11,Qi+12,Qi+13,……,Qi+1n-1,Qi+1nのそれぞれは、コア部と、コア部を被覆し、コア部より融点の低い導電体からなるシェル部Qi,shell,Qi+1,shellを有する。複数の配線子は、それぞれのシェル部を互いに溶融することにより金属学的に接合される。 (もっと読む)


【課題】無電界めっき後の配線部とセラミック基板との密着性を高めたセラミック基板を提供する。
【解決手段】導体粒子5とガラス成分を含む導体ペーストを用いてセラミック部2上に配線部3を形成する配線部形成工程と、その後、配線部3が形成されたセラミック基板1に熱を印加する事によって配線部3を焼成する第1の熱処理工程と、その後、第1の熱処理工程にて熱処理されたセラミック基板1に、前記第1の熱処理工程より低い温度の熱を印加し、配線部3とセラミック基板1との界面をガラスリッチにする第2の熱処理工程と、その後、第2の熱処理工程にて熱処理されたセラミック基板1の配線部3上に無電界めっき法によって金配線部4を形成する無電界めっき工程と、を備えたセラミック基板の製造方法とした。 (もっと読む)


【課題】高精度で密着性の高い回路パターン時を有する回路基板を提供する。
【解決手段】窒化物セラミックスからなる基材(セラミックス基板)11上に第1の金属を析出させ金属富化層12を形成する工程と、金属富化層12上に第2の金属を含む金属ナノ粒子13を供給する工程と、金属ナノ粒子13を焼成する工程とを含む回路基板の製造方法であって、金属ナノ粒子13をバルク化する第1の焼成工程と、バルク化された金属ナノ粒子を合金化し合金層14を形成する第2の焼成工程とを含む。 (もっと読む)


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