【課題】 上下の絶縁層間の密着性が高く、かつ絶縁層の層間から外側面への絶縁層の一部の突出等を抑制することが可能なセラミック多層基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】 第１の樹脂材料を含む第１のセラミックグリーンシート層11（第１層11ａ）の下面に、第１の温度において第１の樹脂材料よりも弾性率が小さい第２の樹脂材料と、第１の温度よりも高い第２の温度において硬化する第３の樹脂材料とを含む第２のセラミックグリーンシート12層（第２層12ａ）を付着させる工程と、上面に金属ペースト13を印刷した２層セラミックグリーンシート21を第１の温度で積層する工程と、積層した２層セラミックグリーンシート21を第２の温度で加熱する工程とを備えるセラミック多層基板の製造方法である。積層時には第２層12ａが柔軟であるため絶縁層１間の密着性が高く、積層後には第２層12ａが変形しにくいため絶縁層１の突出を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】 平面方向の剛性および表面部分の柔軟性が高いセラミックグリーンシート、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 セラミック粉末が有機樹脂からなるバインダで結合されてなるセラミックグリーンシート１であって、バインダのガラス転移温度が、セラミックグリーンシート１の厚み方向の中央部１ａにおいて上部１ｂおよび下部１ｃよりも高いセラミックグリーンシート１である。バインダのガラス転移点が高い中央部１ａによってセラミックグリーンシート１の平面方向の剛性を高めることができる。また、上部１ｂおよび下部１ｃが比較的柔軟であるため、セラミックグリーンシート１の表面部分の柔軟性が高い。 （もっと読む）

【課題】 実装される電子部品との接続信頼性を改善した配線基板およびそれを備えた実装構造体を提供する。
【解決手段】 本発明の配線基板は、絶縁層と、絶縁層の一主面に形成された導電層とを備え、絶縁層が、可視光の波長よりも粒径が小さく、かつネック構造を介して少なくとも一部が互いに接続している複数の第１無機絶縁粒子１３ａと、可視光の波長よりも粒径が大きく、かつ第１無機絶縁粒子１３ａを介して少なくとも一部が互いに接続されている複数の第２無機絶縁粒子１３ｂと、複数の第１無機絶縁粒子１３ａおよび複数の第２無機絶縁粒子１３ｂの周りに形成された間隙Ｇと、間隙Ｇに充填された樹脂部１４とを有しており、樹脂部１４は、第２無機絶縁粒子１３ｂと屈折率が略同じである樹脂材料からなるものである。 （もっと読む）

【課題】セラミック積層基板のような焼結構造体を製造する際に、生積層体を焼成する過程において、セラミックグリーンシートが１５〜３０％程度収縮するため、焼結構造体の寸法精度を高めることが難しいという課題があった。
【解決手段】本発明の一態様に係る焼結構造体の製造方法は、第１セラミック部材および第２セラミック部材を準備する準備工程と、第２セラミック部材の２次元配列された開口部が第１セラミック部材の２次元配列された基体領域と上下に重なり合うように、これらのセラミック部材を交互に積層して積層体を得る積層工程と、積層体を焼成一体化する焼成工程と、個片に分割する分割工程とを有しており、第１セラミック部材に含まれる第１焼結材料と同じ焼成条件における焼結収縮率が第１焼結材料よりも小さい第２焼結材料を第２セラミック部材が含んでいることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 電気的信頼性を改善した低熱膨張な配線基板を提供する。
【解決手段】 本発明の配線基板３は、絶縁層８と、絶縁層８上に形成された導電層１３とを備え、絶縁層８が、可視光の波長よりも粒径が小さく、かつネック構造を介して少なくとも一部が互いに接続している複数の第１無機絶縁粒子１６と、第１無機絶縁粒子１６よりも粒径が大きく、互いの間に第１無機絶縁粒子１６を介在させている複数の着色材粒子１７と、複数の第１無機絶縁粒子１６および複数の着色材粒子１７の周りに充填された樹脂材１５とを有することを特徴とするものである。絶縁層８の熱膨張率を低減することができる結果、配線基板３と電子部品との接続部への熱応力の印加を低減でき、配線基板３の電気的信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】本明細書では、基板基材が熱によって劣化することを抑制することができる構造の半導体モジュールを開示する。
【解決手段】半導体モジュール２は、基板基材４内にＩＧＢＴ１０、ダイオード２０、プリント配線３０〜４４、及び、断熱部５０が配置されて形成されている。ＩＧＢＴ１０とダイオード２０は、基板基材４内に並べて配置されている。プリント配線３０は、ＩＧＢＴ１０及びダイオード２０と接続されている。同様に、プリント配線３４、３６は、ＩＧＢＴ１０と接続されている。また、プリント配線３８は、ダイオード２０と接続されている。プリント配線３０〜４４の一部は、基板基材４の表面に露出している。断熱部５０は、ＩＧＢＴ１０と基板基材４との間、ダイオード２０と基板基材４との間、及び、プリント配線３０、３４、３６、３８と基板基材４との間に配置されている。 （もっと読む）

【課題】環境にやさしく経済的な方法により、基板の粗さを形成することができるだけでなく、ビルドアップ基板材料と金属回路層との密着力強化による高信頼性の微細回路を具現することができるビルドアッププリント回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のビルドアッププリント回路基板の製造方法は、（ａ）第１樹脂基板を提供する段階と、（ｂ）前記第１樹脂基板の表面にエポキシエマルジョン溶液を塗布して粗さを形成する段階と、（ｃ）前記粗さが形成された第１樹脂基板にコア回路層を形成してコア層を提供する段階と、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】電子部品と導熱層との密着性を確保し、放熱特性を向上させる。
【解決手段】部品内蔵基板実装体１００は、部品内蔵基板１と、これが実装された実装基板２とからなる。部品内蔵基板１は、第２〜第４プリント配線基材２０〜４０及びカバーレイフィルム３を熱圧着により一括積層した構造を備える。第２プリント配線基材２０の第２樹脂基材２１に形成された開口部２９内には、電子部品９０の裏面９１ａと導熱層２３Ａとが密着し、且つ孔部２３Ｂを介して接着層９により固定された状態で内蔵されている。第４プリント配線基材４０の実装面２ａ側にはバンプ４９が形成されている。電子部品９０の裏面９１ａに接する導熱層２３Ａやサーマルビア２４を介して、各層のサーマルビア及びサーマル配線を通り、バンプ４９から実装基板２に電子部品９０の熱が伝わって、実装基板２にて放熱される。 （もっと読む）

【課題】 薄い銅箔とプリプレグとを積層する作業時の煩雑化や遅延を招くことが少なく、銅箔の位置ずれや皺の発生を防いで製品の信頼性や品質の向上を図ることのできる配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】 厚さ１８μｍ以下の銅箔３と厚さ１００μｍ以下のプリプレグ４を使用して配線板を製造する配線板の製造方法であり、サポート基材１の弱粘着性を有する表面に銅箔３の全対向面を着脱自在に粘着し、銅箔３の表面にプリプレグ４と積層用の銅箔５を順次積層してプレスするとともに、積層用の銅箔５に所定の配線パターンをパターニングして積層体６を形成し、サポート基材１から積層体６を剥離した後、積層体６を形成する銅箔３を所定の電極パターンにパターニングする。剛性を有するサポート基材１に薄く扱いにくい銅箔３を粘着して剛性を確保するので、一枚目の銅箔３とプリプレグ４を積層する際、作業の煩雑化や遅延を招くことが少ない。 （もっと読む）

【課題】硬化時における反りを低減でき、絶縁信頼性に優れ、半導体素子の表面保護膜、層間絶縁膜、プリント配線板用保護絶縁膜、層間絶縁膜などの材料として好適に使用できる樹脂組成物、樹脂組成物を用いた樹脂フィルム及びそれらを用いた配線板を提供すること。
【解決手段】本発明の樹脂組成物は、（Ａ）テトラカルボン酸二無水物成分とポリエーテル構造及び少なくとも２つの末端アミン構造を有するジアミン成分とを重合させて得られた高分子化合物と、（Ｂ）酸化防止剤と、を含有し、高分子化合物は、分子内にエステル構造及びスルホン酸基を有しないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細な貫通電極孔を備え且つ熱伝導性の高いガラス製インターポーザの製造方法を提供することを目的とした。
【解決手段】少なくとも、金属製の支持基板１上に金属凸部７を形成する工程と、金属製の支持基板１及び金属凸部７をSiO₂を主成分とする絶縁層５で被覆する工程と、金属凸部７を被覆する絶縁層５を除去し金属凸部７表面を露出させる工程と、絶縁層５と露出した金属凸部７の上に第一の導体層４を設ける工程と、第一の導体層４に金属凸部を含むパターン形成を行う工程と、をこの順に有することを特徴とする貫通電極付き配線基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】周波数が２．５ＧＨｚ以上の高速信号を低損失で伝送することが可能であり、さらに接地電位または電源電位安定のための高い電流供給能力を有するとともに剛性が高く反りの小さな薄型の配線基板を提供すること。
【解決手段】厚みが６０〜１１０μｍの第１の絶縁層１と、第１の絶縁層１の上下に積層された厚みが２５〜４０μｍの複数の第２の絶縁層３とを含み、周波数が１ＧＨｚ以下の低速信号が伝送される帯状の低速信号配線８ｓ１は第２の絶縁層３同士の層間に配設されているとともに、第１の厚みＴ１および第１の幅Ｗ１を有し、周波数が２．５ＧＨｚ以上の高速信号が伝送される帯状の高速信号配線８ｓ２は、第１の絶縁層１と第２の絶縁層３との層間に配設されているとともに、第１の厚みＴ１より厚い第２の厚みＴ２および第１の幅Ｗ１より広い第２の幅Ｗ２を有している。 （もっと読む）

【課題】 セラミック積層基板と導体の焼収縮差により焼成後に導体との間に生じていた空隙形成を防ぐことにより、セラミック積層基板と導体双方の密着性を高めることができるセラミック積層回路基板の製造を可能とすることを目的とする。
【解決手段】 ガラス粒子およびアルミナ粒子からなるセラミックス原料粉末、焼結助剤、可塑剤等を溶剤によりスラリー化してグリーンシートを形成するセラミックス回路基板の製造方法であって、低融点ガラスと、有機物からなるフィラーを添加することを特徴とする。前記フィラーは、例えばアクリル樹脂またはメラミン樹脂とする。 （もっと読む）

【課題】複数種の部品が混載で埋設、実装される場合であっても大きな生産性と低コストを実現できる部品内蔵配線板の製造方法を提供すること。
【解決手段】第１の絶縁板上に、端子パッドを有する半導体チップと端子パッドに電気的に接続されたグリッド状配列の表面実装用端子とを備えた半導体素子を実装するための第１のランドと、表面実装用のチップ部品を実装するための第２のランドとを形成し、第１、第２のランド上にクリームはんだを適用し、クリームはんだを介して第１、第２のランド上に半導体素子およびチップ部品をそれぞれ載置し、クリームはんだをリフローすべく加熱して、半導体素子およびチップ部品を第１、第２のランドにそれぞれ接続し、第１の絶縁板とは別の第２の絶縁板中に、第１、第２のランドにそれぞれ接続された半導体素子およびチップ部品を埋め込むように、第１の絶縁板に積層状に第２の絶縁板を一体化する。 （もっと読む）

【課題】金属箔張基板を製造するのに用いられる仮基板であって、金属箔のシワの発生が抑制された高品質な金属箔張基板を製造可能な金属箔張基板製造用仮基板、および高品質な金属箔張基板を効率よく製造する方法を提供すること。
【解決手段】金属箔張基板製造用仮基板１は、プリプレグを硬化させてなる仮基板本体１１と、仮基板本体１１上に配置された下地層１２と、下地層１２を介して仮基板本体１１上に設けられ、下地層１２の平面視の大きさより大きな金属箔１３と、を有し、金属箔１３の一部をビルドアップ配線層９等の他の基板に移転させて配線基板（金属箔張基板）５を製造するのに用いられる仮基板であって、仮基板本体１１は、経糸／緯糸の１インチ当たりの質量比が０．８〜１．３５であり、かつ、単位面積当たりの質量が２０８〜２６０ｇ／ｍ^２であるガラス織布を含んでいる。 （もっと読む）