【課題】製造コストが安く、接続信頼性に優れたコンデンサモジュール内蔵配線基板を提供すること。
【解決手段】コンデンサモジュール内蔵配線基板１０は、半導体チップ２１を表面実装するための複数の端子パッド４４が基板主面５１上に設けられるとともに、ＢＧＡ用パッド４８が基板裏面５２上に設けられている。ガラス基板１０２とそのガラス基板１０２の第２面１０６上に実装される複数のチップコンデンサ１０３とによってコンデンサモジュール１０１が構成される。コンデンサモジュール１０１は、基板主面５１上に設定された半導体チップ搭載領域２３の直下にて、チップコンデンサ１０３を実装していない第１面１０５側を基板主面５１側に向けた状態で内蔵される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体パッケージ及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の実施形態による半導体パッケージは、第１側面を有する電気素子と、電気素子が位置するキャビティを有するコア基板と、を含み、コア基板は、コア基板の厚さ方向に対して傾き、キャビティを定義する第２側面を有する。 （もっと読む）

【課題】透光性配線基板において、熱サイクル印加後に配線パターンの透光性アルミナ基板への接着を維持し、かつ配線基板の透光性が得られるようにする。
【解決手段】透光性配線基板８は、透光性アルミナ基板１と、透光性アルミナ基板１上に形成されている配線パターン２とを備える。透光性アルミナ基板１を構成する透光性アルミナにおけるＳｉＯ_２の含有量が１５０〜３００質量ｐｐｍであり、ＭｇＯの含有量が１００〜２５０質量ｐｐｍであり、ＳｉＯ_２の含有量がＭｇＯの含有量より多く、ＳｉＯ_２およびＭｇＯを除くアルミナ純度が９９．９質量％以上であり、結晶粒子径が２０μｍ以上である。透光性アルミナ基板１の配線パターン２以外の部分の前方全透過率が５０％以上である。 （もっと読む）

【課題】セラミックからなる基板本体の表面および裏面に個別に形成された導体層同士間の位置ずれが少ないセラミック基板、および該基板を確実に製造できる方法を提供する。
【解決手段】複数のセラミック層を積層し、主面３に形成された第１導体層５と、主面４に形成され且つ第１導体層５よりも平面視の直径ｄ２が小さい第２導体層６と、第１・第２導体層５，６に接続された導体柱７，８と、耳部(周辺部)９に形成された複数の位置決め部１０ａと、を備え、該位置決め部１０ａは、セラミック層ｓ１ａ〜ｓ２を個別に貫通し、断面積が異なる第１貫通孔ｈ１ａと第２貫通孔ｈ２ａが軸方向に沿って連なって形成された連通孔であり、セラミック層ｓ２を貫通する第２貫通孔ｈ２ａの断面積は、第１貫通孔ｈ１ａの断面積よりも小さく、主面３側から第２貫通孔ｈ２ａの内周面１１の周縁１１ａの少なくとも一部が平面視で視覚可能とされている、セラミック基板。 （もっと読む）

【課題】昇降圧動作に対するノイズ対策を施すことで、昇圧型、降圧型または昇降圧型コンバータの何れにも用いることができる多層基板、およびそれを備えたＤＣ−ＤＣ−コンバータを提供する。
【解決手段】ＤＣ−ＤＣコンバータ１は、磁性体が複数積層された積層体１１を備え、積層体１１の表面には部品搭載電極１１Ａ，１１Ｂが設けられている。また、積層体１１の内部にはコイルＬが形成されている。コイルＬは、積層体１１の中間層から裏面までに形成された第１コイルＬ１と、表面から中間層までに形成された第２コイルＬ２とを有している。第１コイルＬ１の中間層側の端部は部品搭載電極１１Ａに接続し、第２コイルＬ２の中間層側の端部は部品搭載電極１１Ｂに接続し、第１コイルＬ１の裏面側の端部は、第２コイルＬ２の表面側の端部に接続している。 （もっと読む）

【課題】 接合層を介した樹脂絶縁層同士の接合の信頼性が高い薄膜配線基板を提供する。
【解決手段】 上面に凹部６を有する第１の樹脂絶縁層１ａと、凹部６の底部に配置された薄膜導体層２と、第１の樹脂絶縁層１ａの上に設けられた接合層４と、接合層４上に設けられた第２の樹脂絶縁層１ｂとを備えており、接合層４の一部が凹部６内に入り込んでいる薄膜配線基板10である。凹部６内に入り込んだ接合層４の一部による、接合面積の増加とアンカー効果が得られるため、接合層４と第１の樹脂絶縁層１ａとの接合の信頼性が高い。 （もっと読む）

【課題】集積回路がフリップチップ実装された光モジュールにおいて、２５Ｇｂｐｓ以上の超高速伝送を行っても、隣接するチャンネル間のクロストークを低減し、良好な信号伝送を実現する光モジュールを提供する。
【解決手段】多層基板上の隣り合う第１および第２電極パッドのうち、第１電極パッドは第１導体ビア、第１内層導体配線と順次接続され、第２電極パッドは多層基板の表層導体配線、第３電極パッド、第２導体ビア、第２内層導体配線と接続され、第１内層導体配線と表層導体配線の間にはグランド導体ビアもしくは電源導体ビアが設けられ、第１内層導体配線が形成された第１形成層と第２内層導体配線が形成された第２形成層との間には、グランド導体配線層もしくは電源導体配線層が設けられる。第１および第２電極パッドは、それぞれ第１および第２光素子の表面に形成された電極パッドと接続される。 （もっと読む）

【課題】 外部からのノイズの影響を低減し、高周波信号を効率よく伝送することができる差動伝送線路および該差動伝送線路を備えた多層配線基板を提供することにある。
【解決手段】 絶縁層を挟んで上下に対向する第１配線導体２および第２配線導体３を有する一対の配線導体からなる差動伝送線路において、一方の第１配線導体２ａの端部と他方の第１配線導体２ｂの端部とが絶縁層を貫通して設けられた第１貫通導体４を介して電気的に接続され、一方の第２配線導体３ａの端部と他方の第２配線導体３ｂの端部とが絶縁層を貫通して設けられた第２貫通導体５を介して電気的に接続されており、第１貫通導体４と第２貫通導体５との間に接地貫通導体６が設けられている。外部からのノイズの影響を低減し、高周波信号を効率よく伝送することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】セラミック基板を製造する際に発生するボイドを防止し、セラミック基板の製造工程の歩留まりを向上する。
【解決手段】少なくとも１枚にはビアホールを有するグリーンシートを複数枚積層し焼成された積層体４と、ビアホール内に導電ペースト５が充填されたビア６と、ビア６上に形成された電極７とを備えたセラミック基板において、電極７を形成するグリーンシート１Ｂのビアホールが機械加工によって形成されることを特徴とするセラミック基板。 （もっと読む）

【課題】無収縮焼成法を用いて、セラミック基板は、収縮されず、電極パターンは、水平方向に自由に収縮されて、微細な線幅及びパターン位置の精密度の両方を満足する多層セラミック基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】内部電極回路パターンの設けられたセラミック積層体を製造するステップと、前記セラミック積層体の外部に有機層を形成するステップと、前記有機層上に表面電極を形成するステップと、前記有機層及び前記表面電極の設けられたセラミック積層体を焼結するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】集積回路素子を有するＩＣパッケージに、集積回路素子に接続されていない補助配線を設けることで、高密度配線が可能な回路モジュールを提供する。
【解決手段】集積回路素子５を有するＩＣパッケージ２と、ＩＣパッケージ２が実装される配線基板３とを備え、集積回路素子５がＩＣパッケージ２の表面に形成された複数のパッドのうちの一部を介して配線基板３の複数のランド電極に接続されている回路モジュールにおいて、複数のパッドのうち集積回路素子５に接続されていない少なくとも２つのパッドが、ＩＣパッケージ２に設けられ、かつ、集積回路素子５に接続されていない補助配線８により接続されるとともに、配線基板３に設けられた複数の配線パターン１０が、集積回路素子５に接続されていない少なくとも２つのパッドと補助配線８を介して接続される。 （もっと読む）

【課題】 配線導体および薄膜配線層と貫通導体との電気的な接続信頼性が高い薄膜配線基板を提供する。
【解決手段】 上面に配線導体11が形成されたセラミック基板１と、セラミック基板１の上面に積層された接合層２と、接合層２の上面に積層された薄膜配線層３とを備えており、接合層２に貫通導体21が設けられているとともに、貫通導体21を介してセラミック基板１の配線導体11と薄膜配線層３とが電気的に接続されており、貫通導体21は、上端部21ａおよび下端部21ｂにおける弾性率が中央部21ｃにおける弾性率よりも小さい薄膜配線基板である。貫通導体21の上下端部21ａ，21ｂにおいて熱応力が緩和され、熱応力による貫通導体21の上下端部21ａ，21ｂにおけるクラック等の発生が抑制される。そのため、配線導体11および薄膜配線層３と貫通導体21との電気的な接続信頼性が高い。 （もっと読む）

【課題】分割溝を形成する際の素子基板の変形や位置ずれを抑制できる連結基板の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】複数の素子基板３となる未焼成の連結基板１の第１の主面１ｂに０．０９Ｎ／２０ｍｍ以上の粘着力を有する粘着シート７ａを貼り合わせた後、前記第１の主面１ｂとは反対側の第２の主面１ａに前記複数の素子基板３を分割するための分割溝５を形成する工程と、前記第１の主面１ｂから前記粘着シート７ａを剥離した後、前記未焼成の連結基板１を焼成する工程とを有する連結基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】タッチパネルの製造技術に関し、特にタッチパネルの基板を積層する方法を提供する。
【解決手段】タッチパネルの基板を積層する方法は、結合体を形成するために、配置及び互いのパラ・ポジショニングをした後に、複数の小さい基板と一つの大きい基板との一回限りの積層を実行する。本開示は、従来の製造工程における低い積層効率の問題を改善する。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板とサーマルビアとの界面におけるクラックの抑制および発光素子で発生した熱の放熱性の向上。
【解決手段】配線基板２０は、外部接続用電極層１２０、セラミックス層１３０および配線層１４０を備える。セラミックス層１３０は、アルミナとホウ珪酸ガラスを材料として形成されており、熱伝導率が６Ｗ／ｍ・Ｋ以下である。セラミックス層１３０は、複数の第１のサーマルビア１３２、および、第１のサーマルビア１３２より小さい直径を有する第２のサーマルビア１３４を配置することにより、熱伝導率の低いセラミックス層１３０を用いた配線基板２０において、発光素子１５０で生じる熱の放熱性能を向上している。第１のサーマルビア１３２は、発光素子搭載領域１５０ａ内に格子状に配置され、第２のサーマルビア１３４は、隣接する全ての第１のサーマルビア１３２から等距離離れた位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】構造欠陥の少ない多層セラミック基板およびその製造方法を得る。
【解決手段】多層基板１０は、第１のセラミック層１２ａ〜１２ｄと第２のセラミック層１４ａ〜１４ｃとを交互に積層した構成を有する。第１のセラミック層１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ上には、第１の内部電極１６、第２の内部電極２０、第３の内部電極２２が形成される。第１の内部電極１６の主面上に、第３のセラミック層１８が形成される。第２の内部電極２０および第３の内部電極２２の主面および端部を覆うように、第３のセラミック層１８が形成される。第３の内部電極２２が形成された層において、第３のセラミック層１８は、第１のセラミック層１２ｄの全面を覆うように形成される。 （もっと読む）

【課題】層間にデラミや、基板に大きな反り、うねりの発生を防止し、薄型化に対応できる厚み精度のよい積層セラミック配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】積層セラミック配線基板の製造方法において、有機バインダーを５〜１０ｗｔ％添加してなる第１のセラミックグリーンシート１１の作製工程と、２０〜５０ｗｔ％添加してなる第２のセラミックグリーンシート１２の作製工程と、第１の一方の主面に、第２の一方の主面を貼り合わせる接合シート１３の作製工程と、この上に導体印刷パターン１４の形成工程と、この上面と、第２とが当接する積層体１５の形成工程と、これを焼成して導体配線１６を設ける焼成体１７の形成工程とを具備しており、積層体１５が導体印刷パターン１４を第２のセラミックグリーンシート１２内に埋設するようにし、焼成体１７が還元性雰囲気中で同時焼成して形成されている。 （もっと読む）

【課題】接続バンプが狭小化された半導体チップであっても信頼性よく実装できる配線基板を提供する。
【解決手段】ガラス又はシリコンからなり、下面に開口した第１ホールＨ１と上面に開口した第２ホールＨ２とが連通してなるスルーホールＴＨを備えた基板層１０と、第１ホールＨ１に形成された配線層２０と、第２ホールＨ２に形成されて配線層２０に接続された接続パッドＰと、基板層１０の下面に形成された絶縁層３０及び他の配線層２２とを含む。 （もっと読む）

【課題】チップ側面にスルーホールを設ける場合において、樹脂等の絶縁体が充填されたとしてもマザーシートをチップ毎に分割することができる電子部品モジュールを提供する。
【解決手段】絶縁体３１を塗布するより前に、スルーホール内に固体材料５２を充填しておき、絶縁体３１がスルーホール内に流れ込まないようにする。固体材料５２は、ワックスや蝋材等の低融点材料（絶縁体３１の硬化温度よりも低い１００℃未満の融点を有するもの）である。そして、絶縁体３１を熱硬化させると、固体材料５２が溶出または揮発し、スルーホールは空洞となる。したがって、上記Ｖ字型のブレイク用溝５５を外側に、矩形状のブレイク用溝５１およびＶ字型のブレイク用溝５７を内側にして曲げることでマザー積層体を各チップにブレイクすると、スルーホールの側壁に端面電極が露出し、分割後のいずれか一方のチップの側壁に絶縁体が付着している、ということはなくなる。 （もっと読む）