【課題】複数種の部品が混載で埋設、実装される場合であっても大きな生産性と低コストを実現できる部品内蔵配線板の製造方法を提供すること。
【解決手段】第１の絶縁板上に、端子パッドを有する半導体チップと端子パッドに電気的に接続されたグリッド状配列の表面実装用端子とを備えた半導体素子を実装するための第１のランドと、表面実装用のチップ部品を実装するための第２のランドとを形成し、第１、第２のランド上にクリームはんだを適用し、クリームはんだを介して第１、第２のランド上に半導体素子およびチップ部品をそれぞれ載置し、クリームはんだをリフローすべく加熱して、半導体素子およびチップ部品を第１、第２のランドにそれぞれ接続し、第１の絶縁板とは別の第２の絶縁板中に、第１、第２のランドにそれぞれ接続された半導体素子およびチップ部品を埋め込むように、第１の絶縁板に積層状に第２の絶縁板を一体化する。 （もっと読む）

【課題】 接合層を介した樹脂絶縁層同士の接合の信頼性が高い薄膜配線基板を提供する。
【解決手段】 上面に凹部６を有する第１の樹脂絶縁層１ａと、凹部６の底部に配置された薄膜導体層２と、第１の樹脂絶縁層１ａの上に設けられた接合層４と、接合層４上に設けられた第２の樹脂絶縁層１ｂとを備えており、接合層４の一部が凹部６内に入り込んでいる薄膜配線基板10である。凹部６内に入り込んだ接合層４の一部による、接合面積の増加とアンカー効果が得られるため、接合層４と第１の樹脂絶縁層１ａとの接合の信頼性が高い。 （もっと読む）

【課題】収縮抑制シートを用いて無収縮焼成を行う場合に、グリーンシート積層体と収縮抑制シートとの密着性を高くでき、それにより、収縮バラツキを抑制できる多層セラミック基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】脱脂工程において、収縮抑制シート２３の平面方向における収縮率が０．０５％以下と小さいので、脱脂工程及びその後の焼成工程におけるグリーンシート積層体３１の収縮率が小さくなり、収縮バラツキも小さくなる。また、脱脂工程における収縮抑制シート２３の収縮率がグリーンシート積層体３１の収縮率より大きいので、収縮抑制シート２３とグリーンシート積層体３１との密着性が向上する。よって、グリーンシート積層体３１の収縮を抑制することができる。従って、収縮バラツキを抑制することができるので、多層セラミック基板５における寸法バラツキを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、無収縮セラミック基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明による無収縮セラミック基板の製造方法は、ビア電極が形成されたセラミック基板を用意する第１段階と、上記セラミック基板にシード層を形成する第２段階と、上記シード層にめっき層を形成する第３段階と、を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップとの接続信頼性の優れた配線基板を提供すること。
【解決手段】オーガニック配線基板１０の基板主面１１側には、樹脂絶縁層２１〜２３と導体層２４とを積層した第１ビルドアップ層３１が形成されている。第１ビルドアップ層３１における最表層の導体層２４は、半導体チップをフリップチップ実装するための複数の接続端子部４１を含む。複数の接続端子部４１は、ソルダーレジスト２５の開口部４３を介して露出している。各接続端子部４１は、半導体チップの接続領域５１と、接続領域５１から平面方向に延設されかつ接続領域５１よりも幅が狭く形成された配線領域５２とを有する。配線領域５２の表面のはんだ濡れ性は接続領域５１の表面のはんだ濡れ性よりも低くなっている。 （もっと読む）

【課題】コンデンサ内蔵基板に形成される配線パターンの設計自由度の低下を抑えることが出来、且つ特性不良が発生し難い積層構造体を提供する。又、その様な積層構造体を備えたコンデンサ内蔵基板の製造方法を提供する。
【解決手段】積層構造体において、第１電極層１１は、誘電体層３のうちコンデンサを構成する第１部分３１にて、該第１部分３１の表面に形成されている。第２電極層１２は、第１部分３１の裏面に形成されている。第１導電層２１は、誘電体層３のうち第１部分３１とは異なる第２部分３２にて、該第２部分３２の表面に形成されると共に、第１電極層１１から離間して配置されている。第２導電層２２は、第２部分３２の裏面に形成されると共に、第２電極層１２から離間して配置されている。第１導電部４１は、第２部分３２をその表面から裏面に貫通すると共に、第１導電層２１と第２導電層２２とを互いに電気的に接続している。 （もっと読む）

【課題】 配線導体および薄膜配線層と貫通導体との電気的な接続信頼性が高い薄膜配線基板を提供する。
【解決手段】 上面に配線導体11が形成されたセラミック基板１と、セラミック基板１の上面に積層された接合層２と、接合層２の上面に積層された薄膜配線層３とを備えており、接合層２に貫通導体21が設けられているとともに、貫通導体21を介してセラミック基板１の配線導体11と薄膜配線層３とが電気的に接続されており、貫通導体21は、上端部21ａおよび下端部21ｂにおける弾性率が中央部21ｃにおける弾性率よりも小さい薄膜配線基板である。貫通導体21の上下端部21ａ，21ｂにおいて熱応力が緩和され、熱応力による貫通導体21の上下端部21ａ，21ｂにおけるクラック等の発生が抑制される。そのため、配線導体11および薄膜配線層３と貫通導体21との電気的な接続信頼性が高い。 （もっと読む）

【課題】多層硬軟性印刷回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】軟性フィルム１１の一面または両面に回路パターン２３が形成されたベース基材１０を準備するステップと、ベース基材１０のフレキシブル領域Fの回路パターン２３を保護するレーザ遮断層５０を形成するステップと、レーザ遮断層５０が形成されたベース基材１０の少なくとも一面に複数のパターン層を積層するステップと、複数のパターン層の上面に絶縁剤を介在して銅箔層５３を形成し、ビアホールAまたは貫通孔Cが形成された外部パターン層を積層するステップと、外部パターン層に形成されたビアホールAまたは貫通孔Cと、フレキシブル領域Fとにウインドーを設けてレーザ加工するステップと、レーザ加工された外部パターン層を銅メッキし、銅メッキ層の一部領域をエッチングして外部回路パターンを形成するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体パッケージ基板及び半導体パッケージ基板の製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一実施例によると、パッドが形成されたキャリア基板を準備する段階と、前記パッドの上部に絶縁層を形成する段階と、前記キャリア基板を除去する段階と、前記絶縁層及び前記パッドの上部に回路層を形成する段階と、前記パッドの一部をエッチングし、前記絶縁層の内部に開口部を形成する段階と、を含む半導体パッケージ基板の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】導体回路層と該導体回路層を覆う接着層との密着性を向上させることが可能なプリント配線板を提供する。
【解決手段】第１絶縁層１１と、第１絶縁層１１上に形成された第１導体回路層１２と、第１導体回路層１２上に形成された第２導体回路層１３と、第１導体回路層１２及び第２導体回路層１３を覆うように、第１絶縁層１１上に形成された接着層１６と、接着層１６上に形成された第２絶縁層１７とを備え、第１絶縁層１１と平行な面内での少なくとも一方向において、第１導体回路層１２の幅よりも、第２導体回路層１３の幅のほうが広く、第１絶縁層１１の上面１１ａと第１導体回路層１２の側面１２ａと第２導体回路層１３の下面１３ａとに囲まれる凹状の空間１８に、接着層１６が、第１導体回路層１２の側面１２ａに沿って、充填されている。 （もっと読む）

【課題】より簡易な方法で、配線板におけるビア導体の位置精度を高める。
【解決手段】配線板の製造方法が、第１絶縁層を準備することと、第１絶縁層上に導体層を形成することと、導体層上に第２絶縁層を形成することと、第２絶縁層上に導体膜を形成することと、レーザ光を照射することによって、導体膜に第１開口部を形成することと、第１開口部を通じて、導体層に含まれる位置決めマークの位置を光学的に検出することと、位置決めマークを基準にして、導体層に含まれる導体パッドを露出させる第２開口部を第２絶縁層に形成することと、を含む。 （もっと読む）

【課題】配線板における電気的接続の信頼性を高める。
【解決手段】第１面Ｆ１と、第１面Ｆ１とは反対側の第２面Ｆ２と、第１面Ｆ１から第２面Ｆ２まで貫通するキャビティＲ１０（開口部）と、スルーホール３００ａと、を有する基板１００（コア基板）と、キャビティＲ１０に配置されるコンデンサ２００と、を有する配線板１０において、スルーホール３００ａは導体（スルーホール導体３００ｂ）で充填されてなり、スルーホール導体３００ｂは第１面Ｆ１から第２面Ｆ２に向かって細くなっている第１導体部と第２面Ｆ２から第１面Ｆ１に向かって細くなっている第２導体部とで形成されていて、第１導体部と第２導体部とは基板１００内でつながっている。 （もっと読む）

【課題】ピンホール発生が顕在化するレベルの薄厚の金属膜層を使用しても、良好な微細配線形成性が得られるプリント配線板の製造方法を提供すること。
【解決手段】支持体層、薄厚の金属膜層、特定の硬化性樹脂組成物層、内層回路基板の構成を順に有し、該硬化性樹脂組成物層の硬化物である絶縁層がデスミア工程において特定のエッチングレートを満たすことにより、上記課題を解決できることを見出した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応える配線基板およびその実装構造体を提供するものである。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る配線基板４は、ランド１５と、ランド１５上に形成された樹脂層１０と、該樹脂層１０を厚み方向に貫通してランド１５の一部を露出するビア孔Ｖと、該ビア孔Ｖ内に形成されたビア導体１２とを備え、ランド１５は、導体膜１８と、該導体膜１８におけるビア導体１２側の一主面に形成された被覆膜１９とを有し、ビア導体１２は、ビア孔Ｖの内壁およびビア孔Ｖに露出したランド１５の一部に被着した下地膜１７と、該下地膜１７上に形成された導体部２０とを有し、導体膜１８および導体部２０は、被覆膜１９および下地膜１７よりも導電率が高く、被覆膜１９は、導体膜１８よりもヤング率が大きく、且つ、下地膜１７よりも厚みが大きい。 （もっと読む）

【課題】薄膜キャパシタの導電層と誘電層との界面での剥離を抑えることが可能な多層配線基板およびその製造方法、並びにこの多層配線基板を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】上部電極および下部電極の間に誘電層を有する薄膜キャパシタを備えた機能領域と、前記機能領域以外の周辺領域とを有し、前記周辺領域の少なくとも一部に、前記誘電層および導電層が積層された係留部が設けられ、前記導電層の前記誘電層に接する面のラフネスが、前記上部電極または前記下部電極の前記誘電層に接する面のラフネスよりも大きい多層配線基板。チップおよび前記多層配線基板を備えた半導体装置。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生を抑制してパッドの密着強度を高め、製品としての信頼性の向上を図り、ひいてはマザーボード等との接続信頼性の向上に寄与すること。
【解決手段】配線基板１０は、パッド１１Ｐと、パッド１１Ｐを覆い、その表面からパッド１１Ｐの表面が露出し、その裏面にパッド１１Ｐの裏面が露出する開口部ＶＨ１が設けられた最外層の絶縁層１２と、開口部ＶＨ１内に形成されたビアと、絶縁層１２の裏面に形成され、ビア１３に接続された配線層１３とを備え、パッド１１Ｐは絶縁層１２に埋設されて、パッド１１Ｐの側面及び裏面が絶縁層１２に接している。このパッド１１Ｐは、第１の金属層２１と、第１の金属層２１上に設けられた第２の金属層２２と、第２の金属層２２上に設けられ、ビア１３に接続された第３の金属層２３とを有し、第２の金属層２２の周縁部がパッド１１Ｐの周縁部から内側に後退している。 （もっと読む）

【課題】その製造工程の歩留まり向上する事ができるセラミック多層基板を提供する。
【解決手段】複数のセラミック製のグリーンシート（グリーンシート１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ）を焼成して形成されたセラミック基板部２と、セラミック基板部２内部に形成された内部配線部７と、セラミック基板部２の表面に設けられた凹部５と、凹部５の内部に配置され、内部配線部７と電気的に接続されたチップ型電子部品３と、セラミック基板部２上に、湿式めっき法にて形成された金属層（第１の金属層１６、第２の金属層１７から形成された外部電極部９や、電子回路パターン配線部１０）と、を有するセラミック多層基板１において、凹部５のチップ型電子部品３上から充填されたガラス部１５、を有することを特徴とするセラミック多層基板１としたので、セラミック多層基板１の製造工程の歩留まり向上する事ができる。 （もっと読む）

【課題】平坦性によるインピーダンス整合及び設計自由度が高く、高密度実装が可能な多層配線基板及びその製造方法並びに半導体装置を提供する。
【解決手段】多層配線基板１０は、基板１１の上部に絶縁層１２を備え、これと対称に基板１１の下部に絶縁層１３を備える。これらの絶縁層は、ポリイミド樹脂により形成されており、基板１１に対してキャスティングによりビルドアップして形成される。ビルドアップされた絶縁層１２，１３のいずれか又は両方が、基板の流れ方向であるＭＤ方向と、基板の垂直方向であるＴＤ方向とにおいて強度を同じに設定している。 （もっと読む）

【課題】複数の層に電子部品１２ａを内蔵させることを可能とする。
【解決手段】積層プリント配線板３ａは、第１配線板１１ａと、第１配線板１１ａに積層された第２配線板１１ｃと、第１配線板１１ａ及び第２配線板１１ｃの間に配置された電子部品１２ａと、電子部品１２ａの周囲に配置されたスペーサ１１ｂとを備える。スペーサ１１ｂとして、片方の面にのみ配線回路２３ｂが形成された、第１配線板１１ａ、第２配線板１１ｃと同様な片面基板を用いる。 （もっと読む）

【課題】リジッド部とフレキシブル部を構成する基板材料が同じでありながら、高い硬度を有するリジッド部と、屈曲性が良好で配線抵抗が低いフレキシブル部とを備えたリジッドフレキシブル基板、および、その製造方法を提供すること。
【解決手段】可撓性の絶縁性基板と、該絶縁性基板の少なくとも一方の表面に形成された導体配線層とを有するプリント基板を用いて作製され、導体配線層の密度が低いフレキシブル部と、該フレキシブル部よりも導体配線層の密度が高いリジッド部を有するリジッドフレキシブル基板であって、前記リジッド部の表面の少なくとも一部に平面電極を備え、前記平面電極が、Ｓｎを含有する第１金属と該第１金属よりも高い融点を有する第２金属との反応により生成する３００℃以上の融点を有する金属間化合物を含み、前記第２金属の表面に最初に生成する金属間化合物の格子定数と前記第２金属の格子定数との差が、前記第２金属の格子定数に対して５０％以上であることを特徴とする、リジッドフレキシブル基板。 （もっと読む）